Kokkuvõtte Uurides alumiiniumi ja selle sulamite omadusi ning kasutamisvaldkonnaid saan teha selliseid järeldusi: Sellised omadused, nagu madal tihedus (2,7 g / cm3), suhteliselt suur tugevus, hea soojus - ja elektrijuhtivus, hea töödeldavus, korrosioonikindlus ja suur loodusvara võimaldavad mind väita, et alumiinium on üks olulisemaid tehnilisi materjale tänapäeval. Isegi praegu on raske leida tööstusharu, milles ei kasutata alumiiniumi või tema sulameid, alates mikroelektroonikas ja lõpetades raske metallurgiaga. Kasutatud allikad http://www.sapagroup.com/ee/sapa-profiilid-as/alumiiniumist/alumiiniumi-omadused/ http://www.miksike.ee/documents/main/referaadid/alumiinium_franc.htm http://www.vet.agri.ee/static/body/files/867.Alumiinium.pdf http://www.physic.ut.ee/materjalimaailm/Kirjed/Alumiinium.htm
Lühend tuleneb sõnast metall-oksiid-pooljuht. Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. Mikroelektroonikas on tänapäeval kasutatavaim tehnoloogia CMOS ehk komplementaarne metall-oksiid-pooljuht tehnoloogia, mis põhineb MOSFET komplementaarpaaridel. 44. Mida nimetatakse väljatransistori sulgepingeks? Paisu sulgepinge on paisu ja lätte vaheline pinge, mil transistor sulgub. 45. Mis on türistor? Türistor on mitme pn-siirdega pooljuhtseadis, mille tunnusjoonel on negatiivse diferentsiaaltakistusega lõik. Türistorid valmistatakse ränist.
) - ·Skraibeerimine, markeerimine - (https://www.youtube.com/watch?v=nyGjR04a5aE) digitaalse faili teisendamine materjalile, kus pilt tõlgitakse masinkoodi, ning laser siis saab käsurea joonistatavast pinnast. Nüüd läbib ta joonistava pinna ning märgib pinna staatilise elektriga. Staatiline elekter tõmbab endasse toonerit ning tulemusena saab aluspind kaetud soovitud digitaalse pildiga. - eelised: kiire, täpne, odav(vajab vähe resurssi). ·Komponentide trimmimine mikroelektroonikas - on elektroonika komponentide laserlõikus ehk võimaldab väikeseid elektroonikakomponentide nagu takistite, kondensaatorite lõikamist. - eelised: vähem praaki, kiire, vähe müra, ülitäpne, servad pole sakilised, automaatne, ·Pinna rekristalliseerimine pooljuhttööstuses - ·Stereolitograafia, selektiivne paagutus (selectivesintering) -> kiire prototüüpimine (rapid prototyping)
tänapäeval karbiidsed need), keskkonnahoius õlilekke takistamiseks o Töödeldud kujul: ehk täiesti puhas SiO2. Murdumisnäitaja 1,5 see määrab ka klaasi murdumisnäitaja. Tehnilised rakendused: mikroelektroonikaseadmetes, räni peal tihe õhuke oksiidikiht, mida saab paksendada temperatuuritõstmisega mikroelektroonikas tehakse kontrollitud paksud oksiidikihid Si peale. Puhas räni on HF suhtes interntne, aga oksiid lagundatakse kiiresti. Seetõttu räni pinda puhastatakse HF-ga. Ränidioksiidi eripinda üritatakse suurendada, väiksematel osakestel suurem eripind. Miks vaja? Kuna suhteliselt intertne keemiliselt aga
jahutada kõrgel rõhul. Tähtis on aeg, sest muidu võib grafiit tagasi tekkida. Nende tootmine tegi võimalikuks boornitriidi(BN) tootmise, samasuguses seades ja samadel tingimustel saadakse peaaegu sama kõva kui teemant(enam kui 9,7). Erinevate meetotidetga saadatakse ka räninitriidi Si3N4, näiteks paagutamisel saadakse väga tugev keraamika ning kasutatakse musta ja värviliste metallide töötlemiseks. Alumiiniumnitriid(AlN) on perspektiivne keraamiline materjal mikroelektroonikas, nanotehnoloogias jne. Pindade puhastamiseks kasutatakse veel mineraalset rabu, teraskuule, poleerimiseks kasutatakse CeO, TiO2, Krokus punast, Krokus rohelist. Süsinikterastes sisaldub peale Fe ja C kuni 0,5% Si, kuni 1% Mn. Mitte rohkem kui 0,05% S (kuumrabedus), 0,05% P (külmrabedus). Konstruktsiooniteras sisaldab 0,1-0,8% süsinikku ning on detailide, mehhanismide, konstruktsioonide valmistamiseks tehnikas ja ehitusel . Instrumentaalteras sisaldab 0,7-1,3%
kollektortakisti pingelang, milline on madala tööpunkti puhul väike. Teiseks võimaluseks on kasutada sidestuselemendina ränidioode (joon.1.30), mille tunnusjoone pärisuuna kujust tulenevalt, on dioodi alalispingelang tunduvalt suurem kui vahelduvpingelang ja lülitades kollektori ja baasi vahele 2 ränidioodi on nende alalispingelang 1,3...1,4 Volti, vahelduvpingelang aga ainult mõni kümnendik volti. Eriti laialt on see võte levinud mikroelektroonikas. +E R RC1 RC2 1 CS VT2 U välj VT1
sõltub põhiliselt kasutatavate transistoride sagedusomadustest so. võimenduse piir sagedus ehk transiitsagedus. Ühendades otseselt esimese astme kollektori teise astme baasiga tekib prakitiliselt oht, et teise astme transistor läheb küllastusse, kuna tema baas saab liiga kõrge pinge, ning võimendi lakkab võimendamast. Samas on võimendi kasutamine vägagi ahvatlev, sest terve rida elemente jääb ära, ning vähenevad ka sagedus moonutused. Ereiti oluline on see mikroelektroonikas, sest senini ei osata valmistada intergraalselt suure mahtuvuslisi kondensaatoreid. Prakitilise realiseerimise võimaluseks on kasutada esimesest astmest kõrgemat tööpunkti, kuna seljuul väheneb kollektori ja emiteri vaheline pinge, ning võime vältida teise astme küllastumist. Kahjuks kaasneb ka kõrgema tööpunktiga ka kõrgem voolu tarve. Küllalt levinud on otsese sidestusdioodide kasutamine.
Kui esimese astme on kasutatud tavalist madalat tööpunkti, siis võib osutuda teise astme baasile antav pinge sedavõrd kõrgeks, et tema toimel läheb transistor küllastusse, ning lakkab võimendamast. Kui aga kasutada esimeses astmes kõrgemat tööpunkti siis väheneb kollektori ja emitteri vaheline pinge ja taoline lülitus on võimeline töötama. Joonis 2.4.2 Vajadus taolise lülituse järele tekkib eelkõige mikroelektroonikas sest vajalikke suure mahtuvilisi kondensaatoreid ei osata mikroelektroonika tehnoloogiaga valmistada. Nende lisamine väljaspoolt on aga tülikas. Tingituna sellest, et esimese astme kollektori ja emitteri vaheline pinge mõjub vahetult teise astme baasile. Määrab esimese astme tööpunkti valik automaatselt ka teise astme tööpunkti ja kui on ka kolmas aste siis ka selle tööpunkti. Sellest tingituna kanduvad ka kõik esimese tööpunkti mittestabiilsused
kollektortakisti pingelang, milline on madala tööpunkti puhul väike. Teiseks võimaluseks on kasutada sidestuselemendina ränidioode (joon.7.13), mille tunnusjoone pärisuuna kujust tulenevalt, on dioodi alalispingelang tunduvalt suurem kui vahelduvpingelang ja lülitades kollektori ja baasi vahele 2 ränidioodi on nende alalispingelang 1,3...1,4 Volti, vahelduvpingelang aga ainult mõni kümnendik volti. Eriti laialt on see võte levinud mikroelektroonikas. RE1 CE1 R1 RC1 +E E RE2 CE2 RC2 CS Usis VT2 VT1 R2 Uvälj 90 JOONIS 7.13. Praktiliseks probleemiks otsesesidestuse võimenditel on ikkagi stabiilsus, sest esinevad mittestabiilsused võimendatakse järgnevates astmes. Sel põhjusel ei ühendata praktiliselt otseses sidestuses enamat kui 3...4 astet, samal ajal on aga otsese sidestuse võimendi praktiliselt ainsaks võimaluseks mikroskeemidena teostatud võimendites, sest
milline on madala tööpunkti puhul väike. Teiseks võimaluseks on kasutada sidestuselemendina ränidioode (joon.7.13), mille tunnusjoone pärisuuna kujust tulenevalt, on dioodi alalispingelang tunduvalt suurem kui vahelduvpingelang ja lülitades kollektori ja baasi vahele 2 ränidioodi on nende alalispingelang 1,3...1,4 Volti, vahelduvpingelang aga ainult mõni kümnendik volti. Eriti laialt on see võte levinud mikroelektroonikas. +E R RC1 RC2 1 CS VT2 U välj
seejuures hoitakse detaile survejõuga koos. Ultra- helivõnkumise allikalt antakse võnked sagedusega 15...75 kHz spetsiaalsete otsakute kaudu ühendus- kohta paralleelselt detailide pinnaga. Hõõrdejõu- dude toimel purustatakse liitekohal olevad oksiidi- kelmed, liitekoht kuumeneb ja metall deformeerub seal plastselt. Kasutatakse ühesuguste ja erinevate metallisulamite ning metallide ja mittemetallide liitmi- seks näiteks elektrikontaktide, juhtmete, mähiste kokkukeevitamiseks, mikroelektroonikas juhtmete liitmiseks pooljuhtidega. Sele 2.31. Gaaskeevitamine Külmkeevitamine on tardfaaskeevitamine suurte survete ja sellega kaasneva plastse defor- matsiooniga. Keevisõmbluse geomeetria järgi liigita- 63 Gaaskeevitamisel juhitakse hapnik ja põlev- misväärselt ja ta töötab madalatel temperatuuridel,
annaabi.ee 
