p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). 27. Ühise baasiga: Ühise emitteriga: Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. Isis = IE : Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte- lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit. Kui sisendpinge muutub Usis võrra, siis emittervool IE võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada:
Sellele niinimetatud sobitustingimusele tuleb elektroonikas pöörata sagedast tähelepanu, sest tegemist on nõrkade signaalidega ja on vaja, et need nõrgad signaalid kanduksid võimalikult kadudeta astmelt astmele. 1.2. Võimendamisel tekkivad moonutused Võimendusprotsessis tekivad paratamatult signaali moonutused, kuid need ei tohi ületada lubatud piiri. Tekkivaid moonutusi on kahte liiki: lineaar- ehk sagedusmoonutused ja mittelineaar- moonutused. Lineaarmoonutused tekivad lülituses leiduvate reaktiivelementide toimel, mille takistus sõltub sagedusest. Nendeks on kondensaatorid ja induktiivsused. Osa neist elementidest on lülitusse viidud kindlal eesmärgiga, osa aga tekivad parasiidselt (Nt: trafode puisteinduktiivsused või ahelate -vahelised parasiitmahtuvused). Selliste elementide toime tulemusena võimendatakse erineva sagedusega signaale erineval määral. See toime avaldub nii signaali amplituudi (joon.1.7), kui ka faasi muutustes (joon.1.8).
kuuluvate astmete arvuga. Võimendi stabiilsuse tagamiseks positiivse tagasiside korral peab kõikidel sagedustel olema täidetud tingimus BK<1. Vaatamata sellele, et võimendus negatiivse tagasiside korral väheneb, on põhiliseks kasutatavaks tagasiside liigiks just negatiivne tagasiside, sest vaatamata võimendusteguri vähenemisele kõik kvaliteedinäitajad paranevad. Nii näiteks vähenevad mittelineaarmoonutused ja lineaarmoonutused (laieneb võimendatav sagedusriba), suureneb sisendtakistus ja paraneb võimendusteguri stabiilsus. Väga laialdaselt kasutatakse negatiivset tagasisidet mittelineaarmoonutuste vähendamiseks. Sel puhul haaratakse negatiivse tagasisidega lõppaste või kaks viimast astet. Võimenduse langus negatiivse tagasiside korral kompenseeritakse võimenduse suurendamisega eelvõimendis, kuna seal väikese signaali amplituudi tõttu praktiliselt mittelineaarmoonutusi ei teki.
gamma-korrektsiooni U sis abil veidi kõveraks, et kompenseerida kujutise * V õ im e n d i a . s . k . saatmisel ja vastuvõtul tekkinud MLM-i ja 1 - id e a a ln e 2 - g a m m a k o r e k t s io o n ig a parandada kujutise heleduse gradatsiooni. 3. lineaarmoonutused tekivad sisendsignaaliga kaasnevate siirdeprotsesside tõttu võimendi reaktiivtakistuslikes elementides (mahtuvus ja induktiivsus). LM-i suuruse üle saab otsustada võimendi amplituudi-sageduse ja faasi-sageduse karakteristikute või siirdekarakteristikute abil. Võimendi amplituud-sageduse karakteristik ehk sagedusekarakteristik - võimedusteguri k sõltuvus võimedi sisendisse antavast US sagedusest f.
Sellele niinimetatud sobitustingimusele tuleb elektroonikas pöörata sagedast tähelepanu, sest tegemist on nõrkade signaalidega ja on vaja, et need nõrgad signaalid kanduksid võimalikult kadudeta astmelt astmele. 7.2. Võimendamisel tekkivad moonutused 84 Võimendusprotsessis tekivad paratamatult signaali moonutused, kuid need ei tohi ületada lubatud piiri. Tekkivaid moonutusi on kahte liiki: lineaar- ehk sagedusmoonutused ja mittelineaar- moonutused. Lineaarmoonutused tekivad lülituses leiduvate reaktiivelementide toimel, mille takistus sõltub sagedusest. Nendeks on kondensaatorid ja induktiivsused. Osa neist elementidest on lülitusse viidud kindla eesmärgiga, osa aga tekivad parasiidselt (Nt: trafode puisteinduktiivsused või ahelate -vahelised parasiitmahtuvused). Selliste elementide toime tulemusena võimendatakse erineva sagedusega signaale erineval määral. See toime avaldub nii signaali amplituudi (joon.7.6), kui ka faasi muutustes (joon.7.7).
signaalidega ja on vaja, et need nõrgad signaalid kanduksid võimalikult kadudeta astmelt astmele. 7.2. Võimendamisel tekkivad moonutused 62 Võimendusprotsessis tekivad paratamatult signaali moonutused, kuid need ei tohi ületada lubatud piiri. Tekkivaid moonutusi on kahte liiki: lineaar- ehk sagedusmoonutused ja mittelineaar- moonutused. Lineaarmoonutused tekivad lülituses leiduvate reaktiivelementide toimel, mille takistus sõltub sagedusest. Nendeks on kondensaatorid ja induktiivsused. Osa neist elementidest on lülitusse viidud kindla eesmärgiga, osa aga tekivad parasiidselt (Nt: trafode puisteinduktiivsused või ahelate -vahelised parasiitmahtuvused). Selliste elementide toime tulemusena võimendatakse erineva sagedusega signaale erineval määral. See toime avaldub nii signaali amplituudi (joon.7.6), kui ka faasi muutustes (joon.7.7).
koormab ta signaali allikat. Väljundtakistuse väärtus sõltub lõppastmes kasutatavatest võimenduselementidest. Selleks et tarbijale antav signaali võimsus oleks maksimaalne, peab väljundtakistus võrduma tarbija takistusega. 1.3. Võimendamisel tekkivad moonutused Võimendamisprotsessil võivad tekkida kahesugused moonutused: lineaarmoonutused, ehk sagedusmoonutused, mille põhjustajaks on lülituses leiduvad sagedusest sõltuvad elemendid so. kondensaatorid ja intuktiivsused. Nende toimel hakkab väljundsignaal sõltuma signaali sagedusest, kusjuures võib muutuda nii signaali amplituud, kui ka faas. Amplituudi moonutused avalduvad võimendusteguri
võimendustegur ei lange kokkuleppelisest allapoole (tavaliselt 0,7) Joonis 2.1.2 2.2 Võimendamisel tekkivad moonutused Praktikas ei õnnestu kunagi võimendada signaale moonutuste vabalt, kuid moonutused ei tohi ületada lubatut piir. Sõltuvalt moonutuste põhjustustest ja ilmnemise viisist, eristatake kahesuhuseid moonutusi: lineaarmoonutusi mille põhjuseks on võimendi lülituses leiduvad sagedusest sõltuvad elemendid ja mitte lineaarmoonutused mille põhjuseks on võimendus elementide mitte lineaarsus. Sagedusest sõltuvadeks elemenditeks on mitmesugused kondensaatorid ja induktiivsused kaasaarvatud ka elementide ja juhtmete vahelised parasiit mahtuvused. Nende toimel võimendatakse erineva sagedusega signaale erineval määral (tavaliselt esineb võimenduse langus madalatel ja kõrgematel sagedustel). Võimenduse erinev määr kajastub võimendi amplituudi sageduskarakteristikul
o. vahelduv-komponendile väga väikeseks takistuseks (praktiliselt lühiseks). ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 36 6.3.1. Ühise baasiga lülitus. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, s t . = Isis IE : Usis = U EB , U VÄLJ = U CB ja I VÄLJ = Ic JOONIS 6.5 Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte-lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit. Kui sisendpinge muutub Usis võrra, siis emittervool IE võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada:
annaabi.ee 
