1906.aastal nad lahutasid oma abielu, sest Rudolph oli joodik ja peksis oma naist Tütar jäi Matale, kuid poeg suri paar aastat enne lahutust. Peale lahutust läks ta elama Pariisi, kus ta hakkas tantsijaks. Oma kunstnikunimeks valis ta Mata Hari, mis tähendab malai keeles päikest. Ta oli tuntud kurtisaan, kes suhtles tihedalt paljude poliitikute ja sõjaväelastega ja seetõttu sai temast Esimese maailmasõja ajal Saksa salaluure organisatsiooni spioon, nimega H21. Nimelt tahtis Saksamaa saad Matalt infot prantsuse sõjaväe kohta. Elu spioonina Tema tähtsust spioonina on suuresti ülehinnatud, sest talle, kui tantsijale ei tutvustatud sõjasaladusi. 1916.aastal värvati ta ka prantsuse spiooniks. Varsti said, aga nii sakslased kui prantslased aru, et Mata Hari on topeltspioon. Surm Saksa mereväeatasee saatis Saksa salaluurele Amsterdamis sifreeritud telegrammi
Siirdeprotsessid käivitusel. Kasutatavad seadmed: · Ostsilloskoobi mooduliga PicoScope 2205 varustatud personaalarvuti · Toiteplokk EP-603 · Montaaziplaat, transistor (BC547B), takistid, kondensaatorid, induktiivpool · Ühendus- ja montaazijuhtmed · Tööriistad Töö käik Valime ja arvutame koostatava transistorvõimendi parameetrid Lähteandmed: E=9 V Uk0=6V Ik0=1 mA f0=1 MHz UE0=1 V h21= 300 · Emitter takistus k · Koormustakistus Rk=3 k · Tegelik väärtus 3 k · Baasipingejaguri alumise õla takistus rahuldab võrdust k Tegelik väärtus 36 k · Pingejaguri ülemise õla takistus k · Tegelik väärtus 130k · Emittertakistiga sildav kondensaator F · Tegelik väärtus 22 nF · Sisendkondensaatori mahtuvus F · Tegelik väärtus 39k nF
- - 66. Ud = 0 ,9 U2 q1 = (2 * fV *L F )/Rt ; fV : - i K = h21 E * i B ; h 21 E - . - , . ,
IC = f (UCE) Katseandmed märkisime tabelisse 7.2. Joonestasime sõltuvuse graafikud (joonised 7.5 ja 7.6). Joonis 7.5 Tunnusjooned UBE = f (IB) Joonis 7.6 Tunnusjooned IC = f (UCE) 8. Tunnusjoonte alusel määrasime: ΔU BE 0,68−0,69 0,1 h11e = = = =0,005 ΔI B 40−60 20 Δ I C 2,84−4,7 1,86 h21 e = = = =0,093 ΔI B 40−60 20 10. Võrdlesime omavahel ÜB- ja ÜE-lülituses transistori parameetreid. Võrreldes bipolaartransistori ühisbaas- ja ühisemitterühendust, selgub, et ÜB-ühenduse korral on sisendvool ja väljundvool peaaegu samad, kuid ÜE-ühenduse korral on sisend- ja väljundvoolude vahe oluliselt suurem. Tundmatutel mõjudel ei olnud võimalik rohkem
lubatud näitaja, ehk n = 12000 p/min. Leian lõikekiiruse Ve: 10 12000 = = = 376,8/ 1000 1000 Leian töölaua ettenihke vf: = = 0,055 12000 4 = 2640/ 7 1.3.3. Keerme freesimine Lõikeriist: ISCAR MillThread MTSR 0021 H21 [3] D = 21 mm (lõikeosa läbimõõt) d = 20 mm (saba läbimõõt) Hambaid freesil zn = 1 Lõikeplaat: ISCAR MillThread MT21 I 2.0 ISO [3] Materjal: IC908 [3] Soovitatav ettenihe hambale fz = 0,072 mm/h [3] Soovitatav lõikekiirus Vc = 210 m/min. [3] Leian spindli pöörete arvu n: 1000 210 1000 = = = 3185/ 21 Leian töölaua ettenihke vf:
..113. Ühise baasiga lülituses toimub transistori tüürimine emittervooluga, Ühise emitteriga lülitus on kõige enam levinud lülituseks, Ühise kollektoriga lülitus pingevõimendust ei arenda. 39. Mida nimetatakse transistori h-parameetriteks ja kuidas neid määratakse? Lk 112 h-parameetrid on mitmesuguste dimensioonidega ja seepärast nim seda süsteemi sega-ehk hübriidparameetrite süsteemiks. Parameetrid h12 ja h12 on dimensioonita suurused: h12=u1/u2 kui i1=0 või I1=const. h21=i2/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h11 on takistuse dimensiooniga h11=u1/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h22 on juhtivuse dimensiooniga h22=i2/u2 kui i1=0 või I1=const. 40. Millistest teguritest sõltuvad h-parameetrid? Voolust ja pingest 41. Mis on väljatransistor? Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element
Üht sagedamini kasutatavat parameetrite süsteemi, kus sõltumatuteks parameetriteks on sisendvool ja väljundpinge, nimetatakse hübriid- ehk h-parameetriteks. Neid mõõdetakse madalatel sagedustel (50...1000 Hz). Transistori kui neliklemmi h- parameetrid avalduvad järgmiste võrrandite kaudu: DU1 = h11DI1 + h12 DU 2 DI 2 = h21DI1 + h22 DU 2 Neist saame h-parameetrid h11, h12, h21 ja h22 teatud tingimuste juures avaldada. Nendeks tingimusteks on kaks mõõtereziimi: lühistatud väljundi reziim, kus U2 = 0, ja avatud sisendi reziim, kus I1 = 0. Sisendtakistus (ingl. k. input impedance) lühistatud väljundi korral: DU1 h11 = , kui DU2 = 0 DI1 Tagasisidetegur pinge järgi (ingl. k. voltage feedback ratio) avatud sisendi korral:
sisendi reziim (I1 = 0). h-parameetrid avalduvad järgmiselt: s.o. transistori sisendtakistus (Input impedance) lühistatud väljundi korral; s.o. tagasisidetegur (voltage feedback ratio) avatud sisendi korral; s.o. vooluvõimendustegur (current gain) lühistatud väljundi korral; s.o väljundjuhtivus (output admittance) avatud sisendi korral. On oluline märkida, et CB lülitusel h21 ja CE lülitusel h21. ELEKTROON1KAKOMPONENDID lk.45 Ligikaudsus tuleneb sellest, et h on määratud lühistatud väljundi korral. Tegelikus tööolukorras on aga väljundis suhteliselt väike takistus (võrreldes kollektorsiirde takistusega), mistõttu nad kujunevadki väga lähedasteks. h-parameetrite laialdane kasutamine on tingitud nende mõõtereziimide hõlpsast
vaheline pinge ületab 0,5V. Kui mingil põhjusel vajatakse suuremat varu (häirekindluse tõstmiseks) siis antakse baasile kuni 1V negatiivset pinget. Transistori viimiseks küllastusreziimi tuleb anda baasile transistori küllastamiseks piisav vool, mille väärtus sõltub toitepingest, koormustakistusest ja kasutatava transistori vooluvõimendustegurist E I c _ sat = ; I c = * I b ; = h21 E ; Rc I c _ sat E I b _ sat = . = Rc * Transistoride vooluvõimendustegurite väärtused on aga praktiliselt mõnevõrra hajuvad. Kui me arvutame küllastuseks vajaliku baasivoolu keskmise väärtuse järgi, siis kui reaalne transistori on
annaabi.ee 
