2. Keemiline ühend moodustub kahe komponendi vahel ja tekib komponentide kristallivõredest erinev kristallivõre, kus elementide aatomid on paigutunud korrapäraselt 3. Cu(Zn) 4. Fe3C 5. Perliit 11 : 4,00 4,00 Kahe erineva metalli vahelises sulamis esinevad üht liiki kristallid. Üks komponentidest on säilitanud oma kristallvõre ning teise komponendi aatomid asendavad osad aatomid. Mis liiki ühendiga on tegu? : 1. mehaaniline segu 2. asendustardlahus 3. sisendustardlahus 4. keemiline ühend 5. eutektikum 6. eutektoid 12 : 4,00 4,00 Kuidas nimetatakse tardfaasist jahutamisel tekkinud kihilise ehitusega segu (nt. perliit). : 1. mehaaniline segu 2. asendustardlahus 3. sisendustardlahus 4. keemiline ühend 5. eutektikum 6. eutektoid 13 : 4,00 4,00 Millised omadused on ühefaasilisel struktuuril (puhtad metallid, tardlahuse struktuuriga sulamid)? :
Võre kompaktsusaste ehk ruumpakketihedus on võreelemendi kohta tulevate aatomite ruumala suhe võreelemendi ruumalasse: K8: 0.68 K12 ja H12: 0,74 H6: 0.54 2.4. Mls on polümorfism? Erinevate kristallivõrede esinemine ühel metallil erinevate temperatuuride juures 3. Sulamite struktuur 3.1. Loetlege p6hilised tardfaasid metallisulameis. Mehaanilised segud (EI OLE FAASID): eutektikum: L ->A+B eutektoid: -> A+B Tardlahused: asendustardlahus sisendustardlahus Keemilised ühendid 3.2. Kuidas liigitatakse tardlahused? Millised on nende tekke eeltingimused? Tardlahused - faasid, milles üks komponentidest säilitab oma kristallivõre, teise komponendi aatomid paigutuvad esimese komponendi kristallivõresse, muutes selle perioodi. Asendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid asendavad osa lahustajakomponendi aatomeid
Tardlahus on selline faas, kus üks komponent (lahustaja) säilitab oma kristallivõre, teise komponendi (lahustunud) aatomid paigutuvad esimese komponendi kristallivõresse, muutes selle perioodi. Olenevalt komponentide aatomite mõõtmeist, kristallivõre tüübist jm., võib ühe komponendi aatomite paiknemine ehk lahustusviis teise komponendi kristallivõres olla erinev. Seega esineb sulameis erinevat tüüpi tardlahuseid- asendus- või sisendustüüpi. Asendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid asendavad osa lahustujakomponendi aatomeid. Asendustardlahused jagunevad: Piiratud lahustuvusega- asendatatud on piiratud arv aatomeid Piiramatu lahustuvusega- asendatud on mis tahes hulk aatomeid. Piiramatu asendustardlahuse tekkimise eeltingimuseks on: 1) komponentide tüübilt ühesugused kristallivõred 2) komponentide ligilähedased aatomi raadiused Sisendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid paigutuvad eelkõige
(mittekristalliline struktuur) 6. Sulamite struktuur: mehaaniline segu (eutektikum, eutektoid)- Eutektikum- mehaaniline segu, mille terades on vaheldumisi ühel ajal eraldunud tardfaasid. Eutektikum tekib vedelast lahusest kristalliseerumise tulemusena. — Eutektoid- mehaaniline segu, mille terades on vaheldusmisi ühel ajal eraldunud tardfaasid. Eutektoid tekib tardlahuse ümberkristalliseerumise või lagunemise tulemusena. tardlahus (asendus- ja sisendustüüpi), Asendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid asendavad osa lahustujakomponendi aatomeid. Sisendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid paigutuvad eelkõige lahustujakomponendi kristallivõre suurematesse tühikutesse ehk pooridesse. Näiteks kristallivõre K12 korral kuubi keskele. keemiline ühend- Keemilised ühendid erinevad tardlahusest selle poolest, et nendel on komponentide kristallivõredest erinev kristallivõre. 7. Fe-Fe3 C faasidiagramm.
tootele kuju ja eemaldatakse vaik->, ekstrudeerimissilma, milles antakse lõplik ristlõikekuju ning pinnaviimistlus 14.A-pidevarmeerimine, B-diskreetne, C-Dispersioon, D-Kiud. 9.Variant. 1.K6 n=1 2.K12 asendus. B=8*1/8=1 A=6*1/2=3 n=4 3.Piiratud lahustuvuse FD 4.AmBm Komponentide kristallivõredest erinev kristallivõre. Komponenti aatomite täisarvkornde suhe. Omaduste hüppeline muutus ja kindel sulamistemp. 5. Tardfaas P. Wtf? 6.Asendustardlahus-piiratud-piiramatu(Kristallivõred on ühesugused komponentidel, ligilähedased aatomoraadiused R<=15) (Cu-Ni) 7.Tavalisandid terastes.Kasulikud:räni-(kuni 0.4%).Mangaan- (kuni 0.8%) Kahjulikud:Väävel(0.015-0,06), Fosfor-(0.025-0,045) 8.Liblegrafiitmalm ehk hallmalm, keragrafiitmalm, tempermalm. 12.Epoksiidplast[EP] Aminoplast[UF][MF] Fenoplast[FF] 15.Nitriidid-Si3N4, AlN Boriidid-TaB2, TiB2, ZnB2.
Mehaaniline segu tekib kahest komponendist A ja B siis, kui sulami kristalliseerumisel komponendid teineteises ei lahustu ega moodusta keemilisi ühendeid. Sulam koosneb siis komponentide A ja B kristallidest, mis mikrostruktuuris on üksteisest hästi eraldatavad. 11. Mis on tardlahus? Tardlahuste tüübid. Tardlahused - faasid, milles üks komponentidest säilitab oma kristallivõre, teise komponendi aatomid paigutuvad esimese komponendi kristallivõresse, muutes selle perioodi. Asendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid asendavad osa lahustajakomponendi aatomeid. Kui asendatud võib olla piiratud arv aatomeid, siis on tegemist piiratud lahustuvusega, vastasel korral piiramatu lahustuvusega. Piiramatu asendustardlahuse tekkimise eeltingimused: komponentide kristallivõred on tüübillt ühesugused komponentide aatomiraadiused on ligilähedaselt sama suured aatomite vahelised kaugused sarnased
vaheldusmisi ühel ajal eraldunud tardfaasid. Eutektoid tekib tardlahuse ümberkristalliseerumise või lagunemise tulemusena. tardlahus (asendus- ja sisendustüüpi) - ehk tahke lahus on sulami faas, mille korral komponentide lahustuvus üksteises võib jääda püsima ka tahkes olekus. Tardlahus on selline faas, kus üks komponent (lahustaja) säilitab oma kristallivõre, teise komponendi (lahustunud) aatomid paigutuvad esimese komponendi kristallivõresse, muutes selle perioodi. Asendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid asendavad osa lahustujakomponendi aatomeid. Asendustardlahused jagunevad: - piiratud lahustuvusega asendatatud on piiratud arv aatomeid; - piiramatu lahustuvusega asendatud on mis tahes hulk aatomeid. Piiramatu asendustardlahuse tekkimise eeltingimuseks on: 1) komponentide tüübilt ühesugused kristallivõred 2) komponentide ligilähedased aatomi raadiused. Sisendustardlahus- lahustuva komponendi aatomid
diagonaalide sõlmpunktides. c)Lihtne kuupvõre Tähis K6, koordinatsiooniarv 6; Baas n=1; Aatomid paiknevad ainult võreelemendi sõlmpunktides(tippudes). d)Heksagonaalvõre - Lihtne heksagonaal võre H6; Kompaktne heksagonaal võre H12; Lihnte heksagonaal võre Tähis H6; koordinatsiooni arv 6; Baas n=2; Kompaktne heksagonaal võre Tähis H12; Koordinatsiooni arv 12; Baas n=6; 2.Metalliliste faaside kristallvõred a)Asendustardlahus asendustardlahuse korral asenduvad lahustuva komponendi aatomid osa lahustajakomponendi aatomeid(joonis 1.33a, lk30). Asendatud võib olla piiraatud arv aatomeid siis on tegemist piiratud lahustuvusega või mis tahes hulk aatomeid, mistõttu sellist lahustuvust nim. piiramatuks. Piiramatu asendtardlahuse tekkimise eeltingimuseks on: 1)Komponentide tüübilt ühesugused kristallvõred. 2)Komponentide ligilähetased aatomi raadiused (aatomi raadiuste erinevus R 15 %).
annaabi.ee 
