rakendama koormuspinge ja -voolu impulssreguleerimist lüliti abil. Levinum impulssreguleerimise viis on pulsilaiusmodulatsioon (pulse width modulation, PWM), mille puhul on konstantse sisendpinge korral regulaatori väljundpinge keskväärtus võrdeline impulsside laiusega (joonis 4.13). Sujuva reguleerimise saavutamiseks peab lüliti kommutatsioonisagedus olema küllalt suur. Niisugusteks lülititeks sobivad kõige paremine suure toimekiirusega jõupooljuhtseadised. Aktiivkoormuse sisse- ja väljalülitamisel probleeme ei teki, sest ahela pinged ja voolud on võrdelised ahela aktiivtakistusega. Hoopis tülikam on sisse- ja väljalülitada ahelaid, mis sisaldavad reaktiivkomponente, nt. energiat salvestavaid kondensaatoreid ja/või induktiivsusi. Sel juhul peab lüliti taluma suuri voolutõukeid mahtuvusliku koormuse sisselülitamisel või suuri pingeimpulsse induktiivkoormuse väljalülitamisel. Tuleb arvestada ka seda,
inversioon, XOR - välistav või. loendureiks. Kahendloendur - täiendkood(1100) (eelmisele 1 salvestamiseks läheb vaja umbes Täielik süsteem on selline, mille kahepositsiooniliste trigeritega. liita). Kiire ülekanne - kaks korda vähem elemente), superpositsiooni abil saab Lihtsaim loendustriger jadarööpülekanne. pesikud suurema toimekiirusega ning kirjeldada iga funktsiooni. moodustab kahendloenduri järgu. jaotataksegruppidesse. Gruppide tarvitab tööks vähem energiat. 2.Mikroskeemide valmistamise Loendustegur=2 n (n- vahel võimalik: 1) jadaülekanne Dünaamiliste muutmälude tehnoloogiad: DTL (Diod loendurikohtade arv)
· Staatiline muutmälu- selles kasut. iga infobiti salvestamiseks ühte trigerit, mis säilitab infot seni, kuni säilib toitepinge. Kuna staatilises mälus säilib salvestatud informatsioon ka pärast mälust lugemist, püsides seal toitepinge olemasolu korral kuitahes kaua, siis nim. niisugust mälu staatiliseks. · Dünaamiline muutmälu- on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamiliste muutmälude eeliseks on väike hind ja võimsustarve. Neid saab valmistada väga suure integratsiooniastmega, mis võimaldab toota suure mälumahuga kiipe. Seepärast ehitatakse arvutite ja mikroprotsessorsüsteemide suuremad mäluseadmed tavaliselt dünaamilistest mälukiipidest. · Püsimälu on mõeldud korduvaks inform. lugemiseks. Info on salvestatud püsimällu kas pooljuhtmälukiibi valmistaja või kasutaja poolt
rakendama koormuspinge ja -voolu impulssreguleerimist lüliti abil. Levinum impulssreguleerimise viis on pulsilaiusmodulatsioon (pulse width modulation, PWM), mille puhul on konstantse sisendpinge korral regulaatori väljundpinge keskväärtus võrdeline impulsside laiusega (joonis 4.13). Sujuva reguleerimise saavutamiseks peab lüliti kommutatsioonisagedus olema küllalt suur. Niisugusteks lülititeks sobivad kõige paremine suure toimekiirusega jõupooljuhtseadised. Aktiivkoormuse sisse- ja väljalülitamisel probleeme ei teki, sest ahela pinged ja voolud on võrdelised ahela aktiivtakistusega. Hoopis tülikam on sisse- ja väljalülitada ahelaid, mis sisaldavad reaktiivkomponente, nt. energiat salvestavaid kondensaatoreid ja/või induktiivsusi. Sel juhul peab lüliti taluma suuri voolutõukeid mahtuvusliku koormuse sisselülitamisel või suuri pingeimpulsse induktiivkoormuse väljalülitamisel. Tuleb arvestada ka seda, et ideaalset
pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilisi muutmälusid regenereeritakse harilikult regenereerimissignaaliga REG ja koos sellega toimub mälu kõigi ridade järjestikune adresseerimine. Tavaline lugemine ega kirjutamine pole regenereerimise ajal võimalik, samuti ei saa regenereerimist alustada lugemise ega kirjutamise tsükli ajal. Regenereerimishetke kindlaksmääramine, kõigi rea-aadresside etteandmine,
mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilise muutmälu elemendi skeem on joonisel. Mäluna toimib transistori VT2 paisuahela mahtuvus C1. Info kirjutatakse mällu ja loetakse sealt siini Y kaudu (signaal D). Enne info lugemist antakse signaal REG, mis avab transistori VT4, ning mahtuvus C2 (siini Y parasiitmahtuvus) laetakse allikast +E. Seejärel antakse siinile X kirjutuse/lugemise sünkrosignaal CWR, mis avab transistori VT3, kuid ei saa avada transistori VT2.
mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilisi muutmälusid regenereeritakse harilikult regenereerimissignaaliga REG ja koos sellega toimub mälu kõigi ridade järjestikune adresseerimine. Tavaline lugemine ega kirjutamine pole regenereerimise ajal võimalik, samuti ei saa regenereerimist alustada lugemise ega kirjutamise tsükli ajal. Regenereerimishetke kindlaksmääramine, kõigi rea-aadresside etteandmine, lugemise ja kirjutamise blokeerimine jms
ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilisi muutmälusid regenereeritakse harilikult regenereerimissignaaliga REG ja koos sellega toimub mälu kõigi ridade järjestikune adresseerimine. Tavaline lugemine ega kirjutamine pole regenereerimise ajal võimalik, samuti ei saa regenereerimist alustada lugemise ega kirjutamise tsükli ajal. Regenereerimishetke kindlaksmääramine, kõigi rea-aadresside
avatud alaldi ja vaheldi grupi pooljuhtseadised, mis omakorda põhjustab vahelduv-ja alalisvooluahelate vahelise lühise. Kiiretoimeline kaitselüliti alalisvooluahelas kaitseb muundurit sellise avariitalitluse eest. Sõltumatute vaheldite korral on kaitse põhieesmärgiks vaheldi ohutu lahutamine alalisvoolu vahelülist. Alalisvoolu kaitselülitid ja kontaktorid aitavad vältida avariitalitlusi. Selle probleemi teiseks võimalikuks lahenduseks on hetktoimega ja keskmise toimekiirusega vooluandurite kasutamine. Nende signaalid muudavad modulatsiooni viisi selliselt, et transistorid sulguksid liigvoolu korral. Summutus-ja piirikahelad. Kõikidel türistoridel ja transistoridel tekkivate kõrgete pingete ja suurte voolude tõttu kasvavad lülitusprotsessi siirdetalitluses lülituskaod võrdeliselt muunduri lülitussageduse kasvuga. Lisaks suurenevatele lülituskadudele langeb muunduri kasutegur ja voolumuutus sI ning pingemuutus sU põhjustavad seadistes soojuslikke
52 Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilise muutmälu elemendi skeem on joonisel 1.26. Siin Y CWR Siin X C2 VT1 VT2 VT3 C1
annaabi.ee 
