Seda lainet nimetatakse elektromagnetlaineks. Vaakumis levib see kiirusega 3 * 108 m/s. * Ruumis lainena leviv elektromagnetväli. Ta on energia- ja impulsikandja. 13. Mis on modulatsioon ja demodulatsioon? Modulatsioon on informatsiooni edastamiseks kasutatava füüsikalise nähtuse (elektrivool, elektromagnetväli jne) mingi parameetri muutmine vastavalt ülekantava signaali muutusele. Moduleerimise eesmärk on: · võimaldada edastada signaali m(t) sidekanalis, mille sagedusomadused on piiratud. · vähendada edastatava signaali kuju või mõne tema olulise parameetri moonutusi edastusel. · võimaldada mitme signaali üheaegset edastamist (ajalise ja sagedustihenduse abil). Modulatsioon raadio- ja sidetehnikas on kõrgsagedusliku elektrivõnkumise (kandevõnkumise, kandesignaali, kandja) või impulsijada mingi parameetri muutmine tunduvalt madalama sagedusega moduleeriva signaali rütmis. 14
ja sidetehnikas kõrgsagedusliku elektrivõnkumise (kandesignaali) või impulsijada mingi parameetri muutmine tunduvalt madalama sagedusega moduleeriva signaali m(t) rütmis. Modulatsiooniga kaasneb signaali m(t) esialgse kuju oluline muutus ja tema spektri üleminek teisele sagedusele. Tuntud on mitu AM-i alaliiki: kandjaga AM, kandjata AM ja ühe külgriba AM. Moduleerimine võimaldab edastada signaali m(t) kanalis, mille sagedusomadused on piiratud, ning aitab vähendada edastatava signaali m(t)kuju või mõne tema olulise parameetri moonutusi edastusel. Eelkõige kasutatakse modulatsiooni selleks, et võimaldada mitme signaali samaaegset edastamist ühes kanalis.[1] Ühe külgriba modulatsioon on amplituudmodulatsiooni liik, mis võimaldab kasutada saatja võimsust ja ribalaiust tõhusamalt võrreldes kahe külgriba modulatsiooniga. Amplituudmodulatsiooni käigus saadakse modulaatori väljundisse kaks külgriba, mis
kondensaatoril tekkiv signaalisagedusega pingelang, seega mida suurema mahtuvusega on sidestuskondensaatorid, seda madalam on võimendi alumine sageduspiir. Praktiliselt mõjutab sageduspiiri ka ahela takistus , täpsemalt tema suhe sidekondensaatori mahtuvustakistusega, kuid kuna need takistused on praktiliselt määratud juba tööpunkti valikuga, siis saame alumist sageduspiiri mõjutada ainult sidekondensaatori valikuga. Võimendi ülemise sageduspiiri määravad kasutatava transistori sagedusomadused (täpsemalt f ja fT). Kuna vaadeldud RC ahela takistused on küllaltki väikesed (k-des), siis on kasutatavate sidekondensaatorite mahtuvused suhteliselt suured. Kasutades väljatransistore (joon.1.27), mida sageli tehakse sisendastmetes, on astma sisendtakistus tuhandeid kordi suurem ja sellest tulenevalt on seal ka valik sidestuskondensaatori mahtuvus vastavalt tuhandeid kordi väiksem +E
Läbilöögi protsess sõltub ka temperatuurist. Kõrgematel temperatuuridel on vastuvool suurem ja mõjuva elektrivälja poolt kiirendatakse siiret läbiva vähemus laengukandjaid, need põrkuvad aatomitega ja löövad neilt välja täiendavaid elektrone, mis suurendab vastuvoolu ning sellise vastuvoolu suurenemine võib viia läbilöögini. 1.5 PN siirde sagedusomadused Päri- ja vastusuuna reziimide kiirel vaheldumisel toimub laengukandjate ümber paiknemine P osast N ossa ja vastupidi. On ilmne, et see protsess võtab aega, järeikult ei saa tekkida vastusuuna takistus hetkeliselt ning tulemusena tekib vastupingelise poolperioodi algul tavalisest suurem vastuvoolu impulss. (joonis) Kui mingis pooljuht seadises kasutatakse PN siirde põhiomadust siis tuleb arvestada et siirde
moodustavad enamus laengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) P-N-siirdega väljatransistor koosneb kas N- või P-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisu tsoonist. Enamlevinud on N-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nende sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 5.1. JOONIS 5.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin, tekib paisu ja kanali vahel P-N-siire ja tõkkekiht. Sellise P-N-siirdega väljatransistori töötamiseks on vaja siirdele anda vastupinge. Mida suurem on vastupinge, seda laiem on tõkkekiht ja seda
ei sõltu oluliselt temperatuurist). 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) P-N-siirdega väljatransistor koosneb kas N- või P-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisu tsoonist. Enamlevinud on N-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nende sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 5.1. JOONIS 5.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin, tekib paisu ja kanali vahel P-N-siire ja tõkkekiht. Sellise P-N-siirdega väljatransistori töötamiseks on vaja siirdele anda vastupinge. Mida suurem on vastupinge, seda laiem on tõkkekiht ja seda kitsamaks jääb juhtiv kanal (väheneb kanali
ülekantava signaali muutustele. • Modulatsioon raadio- ja sidetehnikas on kõrgsagedusliku elektrivõnkumise (kandesignaali sc(t)) või impulsijada mingi parameetri muutmine tunduvalt madalama sagedusega moduleeriva signaali m(t) rütmis • Modulatsiooniga kaasneb signaali m(t) esialgse kuju oluline muutus ja tema spektri üleminek teisele (kande) sagedusele Moduleerimise eesmärgid: 1) Võimaldab edastada signaali m(t) kanalis mille sagedusomadused on piiratud 2) Vähendada edastatava signaali m(t) kuju või mõne tema olulise parameetri moonutusi edastusel 3) Võimaldada mitme signaali samaaegset edastamist ühes kanalis: sagedustihendus FDMA (Frequency Division Multiple Access) 4) Kokkuvõtlikult võib öelda, et modulatsiooni eesmärgiks on võimalikult suure hulga informatsiooni võimalikult kvaliteetne ülekanne piiratud sagedusribas B piiratud energia abil 77
takistuse I+ aga otse maast. See tekitab sisend pingete erinevuse. Selle nähtuse likvideerimiseks lisatakse mitteinventeerivasse sisendisse takistus mille väärtus võetakse võrdseks inventeeriva sisendi ja maa vahelise takistusega ning kui lisada see takistus siis tekib sisendites olevate takistustes võrdne pingelang ning eelnimetatud probleemi ei teki. 2.10 Opvõimendi sageduskarakteristika Opvõimendi sageduskarakteristikast sõltuvad tema baasil koostataud võimendite sagedusomadused. Seejuures ilma tagasisideta opvõimendi on väga suure võimendusteguriga ja ta võib väga kergesti minna genereeima. Automaat reguleerimissüsteemides kaob süsteemi stabiilsus ja ta lakkab töötamast. Joonis 2.10.1 Graafik Automaat reguleerimise teooriast on teada, et süsteem kaotab stabiilsuse kui amplituudi sageduskarakteristika lõikub null joonega suurema kalde all kui 20dB/dekaadi kohta. Seega on korrigeerimata opvõimendi mittestabiilne. Stabiilsuse
Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. 7.2. p-n-siirdega väljatransistorid Junction FET (JFET) p-n-siirdega väljatransistor koosneb kas n- või p-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisutsoonist. Enamlevinud on n-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nenede sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 7.1. JOONIS 7.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin tekib paisu ja kanali vahel p-n-siire ja tõkkekiht. Sellise p-n-siirdega väljatransistori töötamiseks on vaja siirdele anda vastupinge. Mida suurem on vastupinge, seda laiem on tõkkekiht ja seda kitsamaks jääb juhtiv kanal ja nii hakkabki väljatransistori neeluvool sõltuma paisule antavast vastupingest
annaabi.ee 
