Biopolaartransistorid Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure võimendusteguri. Ühise kollektoriga lülitus on spetsiifilisem (emitterijärgur). Ühise baasiga lülitus on sageli kasutusel raadiotehnikas, sest võimaldab kõrgemaid sagedusi kasutada. Väljatransistorid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Konstruktsioon Väljatransistoril on tavaliselt kolm või neli elektroodi. Üht, voolu juhtiva kanali otsas asuvat
On võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n Tööpõhimõte : väikese takistusega emitterringis sisendpinge poolt tekitatud voolumuutused kanduvad peaaegu samasuurtena üle suure takistusega kollektorringi ning kollektorringi lülitatud koormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge. Seega võime transistori vaadelda ka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka selle nimetus. (TRANSfer resISTOR). 26. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). 27. Ühise baasiga: Ühise emitteriga: Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6
hübriidparameetrite süsteemiks. Parameetrid h12 ja h12 on dimensioonita suurused: h12=u1/u2 kui i1=0 või I1=const. h21=i2/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h11 on takistuse dimensiooniga h11=u1/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h22 on juhtivuse dimensiooniga h22=i2/u2 kui i1=0 või I1=const. 40. Millistest teguritest sõltuvad h-parameetrid? Voolust ja pingest 41. Mis on väljatransistor? Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. n-tüüpi MOSFET Voolu tüürimise iseloomult jagunevad väljatransistorid: 1. Elektriväljaga muudetava voolukanali ristlõike muutmise teel nagu see toimub pn-
Kollektortakisti puudub. Pilet 11 1. Alaldava siirde tekkimise tingimus Alaldava siirde tekkimise tingimus Ge korral pp>>nn Räni korral vastupidi. 2. Väljatransistoride liigitus Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). MOSFET: paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO 2 kiht. MOSFET transistorid jagunevad formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks
Dioodide värvikoodid võib leida käsiraamatust L1. Dioodidel kasutatakse standardiseeritud korpusi, nende tähised kujud ja mõõdud on toodud joonisel 5.6. ELEKTROONIKA KOMPONENDID lk. 33 6. TRANSISTORID Bipolar Junction Transistor(BJT) 6.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. See on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n (vt. joonis 6
Taolise stabilisaatori väljundis peab aga olema silufilter, mis silub impulsspinget. Kuna 38 reguleerelemendi lülitumissagedus on suur (20kHz...100 kHz), siis ei ole sellise impulsspinge silumine tehniliselt raske. Impulss-stabilisaatorite väljundpinge pulsatsioon on siiski suurem kui analoogstabilisaatoritel. 39 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT) 4.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist. mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. Ta on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks P-N-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on võimalik valmistada kaht liiki transistore P-N-P ja N-P-N (vt. joonis 4
impulsspinget. Kuna reguleerelemendi lülitumissagedus on suur (20kHz...100 kHz), siis ei ole sellise impulsspinge silumine tehniliselt raske. Impulss-stabilisaatorite väljundpinge pulsatsioon on siiski suurem kui analoogstabilisaatoritel. 27 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT) 4.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist. mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. Ta on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks P-N-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on võimalik valmistada kaht liiki transistore P-N-P ja N-P-N (vt. joonis 4
sisselülituskadusid, mida põhjustab kiire voolumuutus sI, kuid pingemuutuse sU tekitatud kaod 78 a. b. c. Joonis 2.9 mõjutavad samuti muunduri jõuahelat. Tavaliselt ei vähenda summutusahelad kogukadusid, vaid pigem suunavad osa transistori või türistori lülituskadudest summutusahela takistisse ja seega kaitsevad pooljuhtseadist liigpinge eest lülitusprotsessi vältel. Kõige levinum summutusahel koosneb jadamisi lülitatud kondensaatorist ja takistist ning ühendatakse pooljuhtlülitiga või liigkoormuse allikaga rööpselt. Sisemiste liigpingete ärahoidmiseks kasutatakse RC-summutusahelat, mis on toodud joonisel 2.9. Kui taastuv vastuvool kasvab, siis kondensaatoril säilib pinge, mis on ligikaudu võrdne türistori või transistori pingelanguga. Teisest küljest hajutab takisti osa kommutatsiooniahelas
annaabi.ee 
