· · Joonis 1: Väljundsignaali ajaline kuju · · · · · 2)Mõõtsime ostsillaatori väljunsignaali sageduse f0=468 kHz, amplituudi U=4.181 V. · Eeldame, et võnkeringiga liituvad parasiitmahtuvused on tühised. Arvutame võnkeringi · induktiivsuse L= · · · 3) Sageduse standarhälve =150,1 Hz. · Sageduse stabiilsus =3,2· · Ostsillaator on suhteliselt sagedusstabiilne. · · 4)Toitumispinge kõikumismõju väljundsagedusest stabiilsusele · · Joonis 2: Pinge sõltuvus sagedusest. · · 5) Harmoonilisustegur kh=9,496% · · 6)
· CK=10 nF · CE= 4,7 F · RB1= 150 k · RB2= 36 k · RE=1 k 2. Mudeli amplituud-sageduskarakteristik Joonis 2. Amplituud-sageduskarakteristik 3. Määrasime võimendi resonantssageduse f0, selleks muutsime sisendsignaali sagedust vahemikus 40-80 kHz ning kuna me otsustasime alustada keskelt, seega 60kHz juurest, siis saime üpriski kiiresti kätte resonantssageduse f0=59 kHz. Amplituud on Uv0=474 mV. 4. Eeldame, et võnkeringiga liituvad parasiitmahtuvused on tühised. Arvutame võnkeringi induktiivsuse, kui f0 ja C on teada, kasutame Thompsoni valemit. µH 5. Leiame võimendi pingevõimendusteguri ,4 6. Punktides 6, 7, 8 ja 9 mõõdetud väärtused tabelis. Punkt 6 vastab skeem, kus pingejagur on ühendatud võimendi ette. Punkt 7 vastab skeem, kus on koormustakisti ühendatud resonantsvõimendi väljundisse. Punktis 8 tehtud mõõtmised skeemile, kus võnkering on ühendatud võimendiga harundi kaudu
5. vanim ROM(info valmistamise käigus:vasakult aadress läbi dekoodri, alt välj, ülevalt läbi takistus maha, sõlmedes „1” dioodid) 13pdf Pilet 12. 1.Passiivelemendid 2.Trafosidestuse eelised ja puudused 3.Lihtne "voolupeegel" 4.Loogikaelementide süsteemid 5.Kahekordse integreerimisega ADM 1. R, C, L, trafo 2. vanim, tee kasvõi katuseplekist südamik ja keri telefonitraat ümber. Kallis, paartuhat keerdu paar sotti. Alum ja ülem sagedus piiratud, parasiitmahtuvused. Hea-ca 100&% galvaanil lahtisisdestus. Ülekantav võimsus määra ülekandeteguriga.n*ik~ n-trafo ülekandetegur. Kollektorahelast 3. BT ÜB-lülit: lihtne skeem(vasakul R1, R2, paremal Rt, trans, Re). Väljundvool muutumatu kuni UKE>UKEsat ehk >UBE. ItIE=UB-UBE/RE. Parem kui R2->stabilitron (nool üles) ItIE=Ust- Ube/Re, Mõlemas skeemis UBE->-2mV/C. Et seda komp panna vasakule õlale diood(nool
Enne t1->uo>0 siis Um=2*220=311V. Toitetrafod, helisagedustrafod(väljuntr), impulsstrafo(teleka realahutus). Uvalj=U -valjm. Mitteinv-l sisendil. U(t)=-U-valjm, kus =R1/R1+R2 See pinge laeb kondet pol- Sidestus võim astmete vahel. Alum ja ülem sagedus sega -+. Ajal t1 inv-l sisendil U - on võrdne U+ mitteinv; uo->0->OV lülitub ümber Uvalj=U +valjm; piiratud, parasiitmahtuvused. Hea-ca 100% galvaanile U(t) vahetab märgi ja on nüüd U+valjm. See vastab uo<0 ning hakatakse kondet ümber laadima. lahtisidestus. Ülekantav võimsus määra ülekandeteguriga. ti=ln((U-mx+U+mx)/(U+mx-U-mx)); f=1/2ln..., kui U+mx=|U- 2. Räni kristallis 2 taskut. Paisu positiivne pinge kogub mx|, siis ti=ln(1+ 2*R1/R2).
ületada lubatud piiri. Tekkivaid moonutusi on kahte liiki: lineaar- ehk sagedusmoonutused ja mittelineaar- moonutused. Lineaarmoonutused tekivad lülituses leiduvate reaktiivelementide toimel, mille takistus sõltub sagedusest. Nendeks on kondensaatorid ja induktiivsused. Osa neist elementidest on lülitusse viidud kindlal eesmärgiga, osa aga tekivad parasiidselt (Nt: trafode puisteinduktiivsused või ahelate -vahelised parasiitmahtuvused). Selliste elementide toime tulemusena võimendatakse erineva sagedusega signaale erineval määral. See toime avaldub nii signaali amplituudi (joon.1.7), kui ka faasi muutustes (joon.1.8). K K=f(f) f Joon.1.7 Amplituudi muutused kajastuvad võimendusteguri sagedussõltuvuses ja seda sõltuvust nimetatakse amplituudi-sageduskarakteristikuks (joon.1.7). Faasimuutused kajastuvad
negatiivse tagasiside korral kompenseeritakse võimenduse suurendamisega eelvõimendis, kuna seal väikese signaali amplituudi tõttu praktiliselt mittelineaarmoonutusi ei teki. Peale eespool toodud liigituste liigitatakse tagasisidet veel tahtlikuks ja parasiitseks. Tahtlik tagasiside on loodud seadme projekteerimisel, eesmärgiga mõjutada soovikohaselt võimendi omadusi. Parasiitne e. soovimatu tagasiside tekib lülitustes parasiitahelate kaudu, milleks võivad olla ahelatevahelised parasiitmahtuvused, trafode puisteinduktiivsused ja toiteallika sisetakistus. Ka parasiitne tagasiside mõjutab võimendi omadusi, ning see mõju võib sageli olla ettenägematu ja ebasoovitava suunaga, kuna ta avaldub alles seadme valmimisel. 6.5.3 Tagasisidelülituste praktilisi näiteid Lihtsaima negatiivse tagasiside lülituse saame, kui jätta ära ÜE-lülituse emittertakistusega paralleelselt olev kondensaator (joon.6.17).
lubatud piiri. Tekkivaid moonutusi on kahte liiki: lineaar- ehk sagedusmoonutused ja mittelineaar- moonutused. Lineaarmoonutused tekivad lülituses leiduvate reaktiivelementide toimel, mille takistus sõltub sagedusest. Nendeks on kondensaatorid ja induktiivsused. Osa neist elementidest on lülitusse viidud kindla eesmärgiga, osa aga tekivad parasiidselt (Nt: trafode puisteinduktiivsused või ahelate -vahelised parasiitmahtuvused). Selliste elementide toime tulemusena võimendatakse erineva sagedusega signaale erineval määral. See toime avaldub nii signaali amplituudi (joon.7.6), kui ka faasi muutustes (joon.7.7). K=f(f) K f . f m f k JOONIS 7.6 Amplituudi muutused kajastuvad võimendusteguri sagedussõltuvuses ja seda sõltuvust nimetatakse amplituudi-sageduskarakteristikuks (joon.7.6). Faasimuutused kajastuvad faasisageduskarakteristikul (joon.7
piiri. Tekkivaid moonutusi on kahte liiki: lineaar- ehk sagedusmoonutused ja mittelineaar- moonutused. Lineaarmoonutused tekivad lülituses leiduvate reaktiivelementide toimel, mille takistus sõltub sagedusest. Nendeks on kondensaatorid ja induktiivsused. Osa neist elementidest on lülitusse viidud kindla eesmärgiga, osa aga tekivad parasiidselt (Nt: trafode puisteinduktiivsused või ahelate -vahelised parasiitmahtuvused). Selliste elementide toime tulemusena võimendatakse erineva sagedusega signaale erineval määral. See toime avaldub nii signaali amplituudi (joon.7.6), kui ka faasi muutustes (joon.7.7). K K=f(f) . fm fk f JOONIS 7.6
tagasiside kas tahteline, mis tekib siis kui lülitusse on viidud elemendid soovitava tagasiside tekitamiseks võib parasiiter kui tagasiside tekib lülituse parasiitelementide kaudu. Nagu näiteks ahelate vahelised Rakenduselektroonika 13 parasiitmahtuvused. Ka võib tekkida parasiitne tagasiside ühise sisendtakistuse liitumisel. Tagasiside toimel muutuvad võimendi parameetrid eelkõige võimendustegur. U U välj K ts = välj = : U sis = U sis U sis U ts U välj U sis K
· kandevsignaalide genereerimine · juhtimpulsside genereerimine · juhtimpulsside jaotamine transistoridele · juhtimpulsside muundamine transistoride tüürimpulssideks · jõu-ja juhtahelate galvaaniline eraldamine · transistoride avamine ja sulgemine. IGBT-transistoride ning MOSFET-transistoride lülitusomadused määravad nende struktuursed parasiitmahtuvused (joonis 3.9) ja sisend-ning väljundtakistused. Transistoride juhtimine sõltub oluliselt juhtelektroodi mahtuvuse ümberlaadumisest. Tüüpilise positiivse juhtpinge UG(on) +15V puhul IGBT-transistor avaneb ja sulgub negatiivse juhtpinge UG(off) -5 ...-8...-15V korral. Joonisel 3.9 on parasiitmahtuvused antud, kui suletud transistori pingest sõltuvad nõrga signaali mahtuvused: · sisendmahtuvused CIES = CGE + CGC and CISS = CGS + CGD
annaabi.ee 
