Joon.1.19 samal ajal sinna kogunenud laengute pääsu maha enne kui paisu maaga., võimaldades U need võiksid hakata mõjutama paisu potentsiaali. sis Takistus RG jääb paralleelselt sisendklemmidega ja ta määrab astme sisendtakistuse. Praktiliselt valitakse see takistus kusagil 10 M ringis tagades piisavalt suure sisendtakistuse ja samal ajal ka vaba pääsu elektronidele paisult maha. F-MOS transistor (indutseerkanaliga väljatransistor) võib teatavasti töötada mõlema polaarsusega sisendpingega st. nii vaesustus, kui rikastusreziimis ja sellest tulenevalt kasutatakse mõnikord ka nulleelpinget (joon.1.20) mis on samuti võimalik, positiivset eelpinget ei kasutata, kuna selline reziim on ebaökonoomne. ID +E
Kui paisupinge on negatiivne, on elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond ehk vaeguspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad P-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega. Seega võib formeerkanaliga MOSFET transistor töötada mõlemapolaarse paisu-pingega. Sellise transistori ülekande- ja väljundtunnusjooned on toodud joonisel 5.5. 65 JOONIS 5.5. Kuigi eelnimetatud põhjustel kasutatakse enamasti N-kanaliga MOSFET transistore, toodetakse ja kasutatakse ka P-kanaliga transistore. Nende kasutamisel tuleb vaid
Paisu all tekib tühjenduspiirkond ehk 46 vaeguspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad P-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega. Seega võib formeerkanaliga MOSFET transistor töötada mõlemapolaarse paisu-pingega. Sellise transistori ülekande- ja väljundtunnusjooned on toodud joonisel 5.5. JOONIS 5.5. Kuigi eelnimetatud põhjustel kasutatakse enamasti N-kanaliga MOSFET transistore, toodetakse ja kasutatakse ka P-kanaliga transistore
EPROM, EEPROM ja Flash tehnoloogiad põhinevad kõik ujuva paisuga väljatransistoridel. Transistorile on paisu juurde on lisatud teine pais kuhu on võimalik kanda laeng. Selle laenguga muudetakse transistori avamiseks (suudme ja lätte vahel suureneb järsult vool) vajaliku paisu pinge suurust. Põhineb sellel, et kui ujuval paisul on laeng, siis alguses tõstes paisu pinget, kulub ta selle laengu kompenseerimiseks ja seejärel alles avab transistori. Kustutamisel laeng ujuvalt paisult eemaldatakse (EPROM-il ultravioletse valgusega, EEPRO-il ja Flashil elektriväljaga). Seejärel saab teda spetsiaalse programmaatoriga uuesti programmeerida. Valides mingi sõna, avanevad ainult need transistorid, mille ujuval paisul laeng puudub ja 39 vastava bitiliini väärtus on üks. Transistorid, kus on ujuval paisul laeng, ei avane ja vastava bitiliini väärtus on läbi takisti nulli nivool. · Magnet mäluseadmed (Magnetic memory)
EPROM, EEPROM ja Flash tehnoloogiad põhinevad kõik ujuva paisuga väljatransistoridel. Transistorile on paisu juurde on lisatud teine pais kuhu on võimalik kanda laeng. Selle laenguga muudetakse transistori avamiseks (suudme ja lätte vahel suureneb järsult vool) vajaliku paisu pinge suurust. Põhineb sellel, et kui ujuval paisul on laeng, siis alguses tõstes paisu pinget, kulub ta selle laengu kompenseerimiseks ja seejärel alles avab transistori. Kustutamisel laeng ujuvalt paisult eemaldatakse (EPROM-il ultravioletse valgusega, EEPRO-il ja Flashil elektriväljaga). Seejärel saab teda spetsiaalse programmaatoriga uuesti programmeerida. Valides mingi sõna, avanevad ainult need transistorid, mille ujuval paisul laeng puudub ja vastava bitiliini väärtus on üks. Transistorid, kus on 39 ujuval paisul laeng, ei avane ja vastava bitiliini väärtus on läbi takisti nulli nivool. Magnet mäluseadmed (Magnetic memory)
- EPROM, EEPROM ja Flash tehnoloogiad põhinevad kõik ujuva paisuga väljatransistoridel. Transistorile on paisu juurde on lisatud teine pais kuhu on võimalik kanda laeng. Selle laenguga muudetakse transistori avamiseks (suudme ja lätte vahel suureneb järsult vool) vajaliku paisu pinge suurust. Põhineb sellel, et kui ujuval paisul on laeng, siis alguses tõstes paisu pinget, kulub ta selle laengu kompenseerimiseks ja seejärel alles avab transistori. Kustutamisel laeng ujuvalt paisult eemaldatakse (EPROM-il ultravioletse valgusega, EEPRO-il ja Flashil elektriväljaga). Seejärel saab teda spetsiaalse programmaatoriga uuesti programmeerida. Valides mingi sõna, avanevad ainult need transistorid, mille ujuval paisul laeng puudub ja vastava bitiliini väärtus on üks. Transistorid, kus on ujuval paisul laeng, ei avane ja vastava bitiliini väärtus on läbi takisti nulli nivool. 34. Siirete ennustamine (Branch prediction): vajadus, meetodid.
Kui paisupinge on negatiivne, on see elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad p-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega. Seega võib formeerkanaliga MOSFET transistor töötada mõlemapolaarse paisu-pingega. Sellise transistori ülekande- ja väljundtunnusjooned on toodud joonisel 7.6. JOONIS 7.6. Kuigi eelnimetatud põhjustel kasutatakse enamasti n-kanaliga MOSFET transistore, toodetakse ja kasutatakse ka p-kanaliga transistore. Nende kasutamisel tuleb vaid arvestada pingete vastupidise polaarsusega.
annaabi.ee 
