Temperatuuri tõustes ei suuda elektronid oma trajektooril püsida ja saavad vabadeks elektronideks, elektri juhtideks. 18. Pooljuhi omajuhtivus- puhta pooljuhi elektrijuhtivus. Puhtas pooljuhis puuduvad normaaltingimustel vabad elektronid. 19. Lisandjuhtivus- võõraste aatomite poolt põhjustatud elektrijuhtivus. 20. 1)Doonorlisandil jääb elektrone üle(elektronjuhtimine, n-tüüpi pooljuht) 2)Akseptorlisandid on lisandid, milles sidemete moodustamisel naaberaatomitega jääb elektrone puudu. läheb edasi:20.2)sidemesse, kuhu elektroni ei jätku, tekib auk, mille laengut loetakse positiivseks. Pooljuhti, milles põhilisteks laengukandjateks on ''augu'' nimetatakse p- tüüpi pooljuhiks. / Põhilisteks laengukandjateks mõlemat tüüpi pooljuhis on need, mida on rohkem. P-tüüpi pooljuhis on peale aukude vähesel määral vabu elektrone ja n-tüüpi pooljuhis on peale vabade elektronide vähesel määral auke. 21. p-n siire-
Keemiline side hübriidse orbitaali osavõtul on püsivam, kui side s ja porbitaalide vahel. Hübridisatsioon on energeetiliselt kasulik, sest moodustuvad püsivamad sidemed ja elektronide tiheduse jaotus on sümmeetrilisem. Hübriidse oleku püsivuseks on vajalik, et hübridiseeruvate orbitaalide tihedus oleks küllaldane ning et nende energia oleks lähedase väärtusega. Peale nende tingimuste on vajalik, et sidemete moodustamisel kattuksid hübriidsed orbitaalid naaberaatomitega piisavalt. Üksiksidemed ja kordsed sidemed Vaatlesime sidemeid, mis moodustusid elektronpilvede kattumisel mööda aatomite tsentreid ühendavat sirget. Neid sidemeid nimetatakse sidemeteks. Peale selle tuntakse veel ja sidet( sidet me ei käsitle). sidemed moodustuvad p orbitaalide kattumisel. sidemed esinevad tavaliselt kordsete sidemetega ühendites. Nii näiteks on N2 molekulis kolmikside, millest üks on ja kaks on sidet. Kui sideme kordus on
Näiteks, kui lisada puhtale sulagermaaniumile umbes 10−5% arseeni, siis tahkumisel tekib tavaline germaaniumi kristallvõre, ainult mõnes sõlmes on germaaniumi aatomite asemel arseeni aatomid. Lisandite ülesanne on tekitada kas lisaelektrone või lisaauke. Olgu näiteks ränipooljuhi kristallvõres üks räni aatom, millel on neli valentselektroni asendatud arseeni aatomiga, millel on viis valentselektroni. Neli arseeni aatomi valentselektroni moodustavad sidemed naaberaatomitega, viies elektron jääb aga üle. See üle jäänud elektron on aatomiga nõrgalt seotud ja saab väga lihtsalt aatomi juurest lahkuda. Kui pooljuht sattub välisesse elektrivälja, siis hakkavad triivima just sellised vabad elektronid, ning pooljuhis tekib elektron-lisandjuhtivus. Pooljuhte, mis juhivad elektrit sellisel viisil nimetatakse elektronpooljuhtideks ehk n-tüüpi pooljuhtideks. Aatomeid, mis tekitavad lisaelektrone nimetatakse doonoraatomiteks ehk doonorlisandiks.
Voolusuunaks on vastavalt selle definitsioonile positiivsete ioonide liikumissuund. Et kõrgemal temperatuuril kulgeb elektrolüütiline dissotsiatsioon intensiivsemalt, siis on suureneb temperatuuri kasvades vabade laengukandjate kontsentratsioon elektrolüüdilahustes. Järelikult väheneb elektrolüüdi eritakistus temperatuuri tõustes. Elektrivool pooljuhtides Pooljuhtides (näit. räni, germaanium) on kristallvõres iga aatom seotud naaberaatomitega kovalentsete sidemete kaudu. See tähendab piltlikult öeldes, et kahe naaberaatomi korral kumbki annab ühe valentselektroni, mis hakkab tiirlema ümber mõlema aatomi. Järelikult hoiavad naaberaatomeid koos valentselektronide paarid ja iga aatom saab sideme luua nii mitme naaberaatomiga, kui mitme valentne on pooljuht. Kuna valentselektronid on aatomitega nõrgalt seotud, siis soojusliikumise tõttu võidakse mõni neist oma orbiidilt välja lüüa ja ta muutub vabaks elektroniks
põhjustatud vakantsidele võivad materjalides esineda veel mittetasakaalulised vakantsid, mida on võimalik tekitada materjali plastilised deformatsioonil, materjalide järsul jahutamisel külmutades kinni materjali kõrgtemperatuurse defektkoostise, kui ka materjali pommitamisel suure energiaga osakestega (neutronitega, elektronidega). Vakantsid omavad tendentsi assotsieeruda ja moodustada klastreid (assotsiaate). Nad võivad liikuda mööda kristallvõre vahetades enda kohti naaberaatomitega. See protsess on väga oluline aine difusioonil (ülekandel) tahkes kehas kõrgematel temperatuuridel. Näide Arvutada tasakaalsete vakantside kontsentratsioon vase ühes kuupmeetris temperatuuril 1 000°C. Vakantside tekkeenergia vases on 0,9 eV/aatom. Vase aatomkaal 1 000°C juures on 63,5 g/moolis ja vase tihedus 1 000°C on 8,4 g/cm3. Probleemi lahendamiseks kasutame eelnevalt toodud võrrandit. Eelnevalt püüame leida N väärtuse A Cu = 63,5; = 8,4 g/cm3
Voolusuunaks on vastavalt selle definitsioonile positiivsete ioonide liikumissuund. Et kõrgemal temperatuuril kulgeb elektrolüütiline dissotsiatsioon intensiivsemalt, siis on suureneb temperatuuri kasvades vabade laengukandjate kontsentratsioon elektrolüüdilahustes. Järelikult väheneb elektrolüüdi eritakistus temperatuuri tõustes. 12.7 Elektrivool pooljuhtides Pooljuhtides (näit. räni, germaanium) on kristallvõres iga aatom seotud naaberaatomitega kovalentsete sidemete kaudu. See tähendab piltlikult öeldes, et kahe naaberaatomi korral kumbki annab ühe valentselektroni, mis hakkab tiirlema ümber mõlema aatomi. Järelikult hoiavad naaberaatomeid koos valentselektronide paarid ja iga aatom saab sideme luua nii mitme naaberaatomiga, kui mitme valentne on pooljuht. Näiteks neljavalentne germaanium, millel on välises elektronkihis neli elektroni, loob sideme nelja naaberaatomiga. Lihtsustatult
annaabi.ee 
