katkestamisega sulari lahtisulatamise abil või ahela lühistamise ehk kokkusulatamisega. Sellist mäluliiki kasutatakse programmide salvestamiseks jäädavalt. PROM on valmistatud tühja kestana ja sõltuvalt tehnoloogiast, saab programmeerida seda kas süsteemis või viimasel testimisel. Tüüpiline PROM loeb kõik bitid sõnastuses „1“. Burning Fuse programmeerimise käigus loeb „0“. Mälu saab programmeerida ainult üks kord. 5. High-Z Hiz ehk kolmas olek. Loogialülituses sisendite ja väljundite omavaheline ühendamine. Hiz = High Impedance = Kõrge takistus (impedantsus). Hiz tähendab, et antud element ei anna välja täpselt ei 0 ega 1 nim ka (FLOAT = ujuv potentsiaal) kasutatakse seal, kus on siinisüsteem. Kui saatjad korraga „räägivad“ võib tekkida siinikonflikt (üks ütleb „1“ ja teine „0“), see on lubamatu. Kõik saatjad peale ühe peavad olema Hiz olekus (s
voolukandjaid, kollektor kogub, baas reguleerib. Planetaartehnoloogia K(n), selle sees B(p) kanal, juhtmelõik. Seda tehakse programmaatori abil. mille sees E(n) kanal. baasi paksus 1um. Võimendus võimsuse järgi, mitte voolu. PNP trans 5. suur impedants. Teada, et dig.elektroonika seadmel võib olla kaks olekut 1 ja 0. Kolmandaks pingestamata nagu 2 dioodi: baasi kohal pot 0, dün tasakaal: p-n siirdeid läbivad Jdif=Jtr. =IEp/IE- olekuks on HiZ (ehk float state). HiZ tähendab, et antud injektsiooni tegur 0,995. El-de rekomb tulevad baasiahelast ja moodustavad baasivoolu. element ei anna välja täpselt ei 0 ega 1! Float state "ujuv potentsiaal". Kasutatakse seal, kus on Välispingete eesmärk tagada transiitne rakendatud siinisüsteem. Kui mõlemad puhvrid korraga hakkavad saatma andmeid andmesiinile, laengukandjate voog
Maa mõiste elektronlülitustes. Negatiivne ja positiivne toitepinge. Maa on sisuliselt kõikidele komponentidele ühine jupp juhet, mis garanteerib vooluringi olemasolu elektronlülituses. 4.Loogika baaselemendid NING, VÕI, EI. Lihtsaim seadis, mis sooritab sisendsignaalidega mingit loogikatehet. Neil on ainult kaks olekut 0 ja 1. Tähtsamad on invertor (EI), konjunktor (NING), disjunktor (VÕI), Pierce'i element (EI-EGA) ja Shefferi element (NING-EI). 5.Baaselemendid NING-EI, VÕI-EI. 6.HiZ otstarve, kasutusnäide, HiZ realiseerimise põhimõte. HiZ on sisuliselt kõrge takistus (miski kolmas olek). 7.Bipolaartransistor kui lüliti. Bipolaartransistoride germaaniumist või ränist pooljuhtstruktuur koosneb kolmest p- ja n-juhtivustüübiga kihist (pnp- või npn-struktuur) ning kahest nendevahelisest pn-siirdest. Ühe pn-siirde (näit emittersiirde) voolu muutumine põhjustab teise siirde (kollektorsiirde) takistuse muutumise
siis juhib voolu T2, ja T1 on vooluta. 153 I2L integreeritud injektsiooniloogika. Põhielement bipolaarne transistor lisaelektroodiga, mille nimi on injektor. Injektoris voolab kogu aeg vool. Transistor juhib või ei juhi, sõltuvalt sellest, kas injektori vool tuleb transistori baasi või lastakse sellest mööda (kohe maha). Kasutatakse seal, kus on vaja väikseid toitepingeid (1,5V). 154 HighZ (HiZ, suur impedans, kolmas olek, 3d state, float state) Teada, et dig.elektroonika seadmel võib olla kaks olekut 1 ja 0. Kolmandaks olekuks on HiZ (ehk float state). HiZ tähendab, et antud element ei anna välja täpselt ei 0 ega 1! Float state "ujuv potentsiaal". Kasutatakse seal, kus on rakendatud siinisüsteem. 155 156 Kui mõlemad puhvrid korraga hakkavad saatma andmeid andmesiinile, tekib siinikonflikt (üks saadab "1" ja teine "0"). See on lubamatu
transi baar. Tarbib vähem võimsust. NAND nende
baasil. Transside paar (ühel inv baas või siis npn ja pnp paar)
2. Passiiv-mahtuvus. C=*S/l, -diel.läbit. Uc=1/C*int(0-t)idt. Kasut. el.energia salvest-ks.
Spiraal sees. Pingeallikas. Polariseeritud. VEAD:*ei talu ülepinget, kuumutamist, tähtis
polaarsus, max vahelduv komponent tähtis (85C parim). 0,1uF->10F. Salvestatav energia
Wc=CU2/2. reakt.tak. Xc=1/2fC=1/C, f-sagedus[Hz], -nurksagedus[rad/s]
3. HiZ olekuga seadmed-üks seade CS(inv) sisse lülit=y Elem-d vahetult kokku 2)väljundtran
avatud kollektoriga/lahtise suudmega-väljundid kokku ühise takisti R abil toitesse 60..300V, R
vastavalt tehase juhendile JA tehe 3)VÕI 12 pdf
4. NTS-vähendab võimendustegurit, toob stabiilsust. NTS suurendab Rsists=Rsis*K/Kts,
vähendab Rvaljts=Rvalj*Kts/K. K<0=>NTS KNts=K/1+K