Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Konstruktsioon Väljatransistoril on tavaliselt kolm või neli elektroodi. Üht, voolu juhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks (drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate). Bipolaartransistoridel vastavad neile emitter, baas ja kollektor. Neljas elektrood on alus (body, base; puudub pn-siirdega väljatransistoridel), mis enamasti lätte külge ühendatakse. Konstruktsioon Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid pn-siirdega väljatransistorideks (JFET, JUGFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET, metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid). Väljatransistoride eelised
sulgemine võtab kauem aega. puhul lülitub korraga ümber Maksimaalne väljundite arv kasutaja. TTL- st kiirem. ECL- (Emitter ainult 1 triger. võrdub kombinatsioonide arvuga Ümberprogrammeeritavaid Coupled Logic)- 5.Registrid: Registriteks nim. 2n. Dekoodrid koostatakse püsimälusid saab kasutaja bipolaartransistoridel põhinev, trigeritest koosnevat seadet, mis peamiselt NING- elementidest. vajaduse korral kasutada ja uuesti kiiretoimeline. unipolaarne: võimaldab salvestada, säilitada 8.Multipleksor: Multipleksor programmeerida. Muut- ja kasut. arvutiskeemides. ning taasesitada infot ühe sõna kujutab endast andmeselektorit. püsimälude töökiirus peab olema
Liiga vana versioon lihtsalt. * TTL (Transistor Transistor Logic)- sama, mis DTL, aga 1). osa on samuti transistoritega. (Bipolaarne tehnoloogia). Suur edusamm- dioodide asemel transistorid. Tarbib vähem voolu ja kiirem. * STTL (Schollky TTL e. Low TTL)- kasutatakse Soti dioodi. Pannakse transistori ette diood, et transistor ei küllastuks, kuna küllastunud transistori sulgemine võtab kauem aega. Järelikult on TTL- st kiirem. * ECL- (Emitter Coupled Logic)- bipolaartransistoridel põhinev, kiiretoimeline. Väga kiire. * MOS (Metal Oxyde Silicon)- unipolaarne tehnoloogia * NMOS (n- channel MOS)- n juhtivusega MOS- loogika. * PMOS- P juhtivusega MOS loogika * CMOS (Complementary MOS) Kasut. arvutiskeemides. Aeglasemad, kui bipolaarsed, kuid võimaldavad suurema pakkimistiheduse, energitarve väiksem. 3.TRIGERID Triger on mäluelement, mis säilitab 1 biti informatsiooni. Triger on kahe stabiilse olekuga loogikalülitus (1 või 0). Trigeri olek vastab tema
Liiga vana versioon lihtsalt. * TTL (Transistor Transistor Logic)- sama, mis DTL, aga 1). osa on samuti transistoritega. (Bipolaarne tehnoloogia). Suur edusamm- dioodide asemel transistorid. Tarbib vähem voolu ja kiirem. * STTL (Schollky TTL e. Low TTL)- kasutatakse Soti dioodi. Pannakse transistori ette diood, et transistor ei küllastuks, kuna küllastunud transistori sulgemine võtab kauem aega. Järelikult on TTL- st kiirem. * ECL- (Emitter Coupled Logic)- bipolaartransistoridel põhinev, kiiretoimeline. Väga kiire. * MOS (Metal Oxyde Silicon)- unipolaarne tehnoloogia * NMOS (n- channel MOS)- n juhtivusega MOS- loogika. * PMOS- P juhtivusega MOS loogika * CMOS (Complementary MOS) Kasut. arvutiskeemides. Aeglasemad, kui bipolaarsed, kuid võimaldavad suurema pakkimistiheduse, energitarve väiksem. 16. Vahemälu Pöördumine mälu poole on protsessori töökiirusega võrreldes vägaaeglane. Tehniliselt võiks
Tarbib vähem voolu ja on kiirem. Schotky TTL TTL-is kasutatakse Šotki dioodi. Transistori ette pannakse diood, et transistor ei küllastuks, kuna küllastunud transistori sulgemine võtab kauem aega ning järelikult on TTL- st kiirem. Integraal indektsioon loogika IIL-s tehakse ühele kristallile nii np- kui ka npn-tüüpi transistore; saavutatakse mõnevõrra parem kiirus ja pakkimisomadused on paremad. Emittersidestuses loogika ECL - bipolaartransistoridel põhinev; on väga kiire; lisaks on sellel negatiivne loogika, kus loogilise nulli nivoo on kõrgem kui loogilise ühe nivoo. Unipolaarsed tehnoloogiad n-channel MOS NMOS n-juhtivusega MOS- loogika. Väljatransistor. p-channel MOS PMOS p-juhtivusega MOS loogika. Väljatransistor. Unipolaarne. Kõrge nivoo - avatud kontaktidega lüliti, madal nivoo - suletud kontaktidega lüliti Complementary MOS
pinda ühe lülituselemendi kohta. Seetõttu valmistati esimesed mikroprotsessorid eranditult väljatransistoride baasil. Vaatamata oma tehnoloogilistele eelistele jäävad väljatransistorid bipolaarsetele siiski alla töökiiruse poolest. See omakorda stimuleeris viimaste forsseeritud arendamist ning selline konkureeriv areng on kestnud tänapäevani. Tulemusena ei ole kumbagi tüüpi suudetud välja tõrjuda, küll on aga tekkinud nende erinevad rakendusalad. Bipolaartransistoridel valmistatakse suure töökiirusega mikroprotsessorid, mälud ja mitmesugused abilülitused. Nende puuduseks on väiksem lülituselementide arv ühel 1 kristallil ning seega ka tagasihoidlikumad funktsionaalsed võimalused. Teiseks oluliseks puuduseks on mitu suurusjärku suurem võimsustarve. Väljatransistoridel on ehitatud suurem osa mikroprotsessoreid ja mäluelemente, mis nõuavad suurt elementide tihedust ning vähem võimsust
põhjal otsustada võib, on DMOS transistori kanal lühike ja suure ristlõikega, mis on sobiv jõutransistorile. Selle transistori ehitus ei ole sümmetriline ja seepärast ei ole lubatud suudme ja lätte elektroodide vahetamine. JOONIS 7.10. 7.4.3. IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor). Bipolaarsete transistoridega võrreldes on väljatransistoride eripäraks see, et neil suurima voolu reziimis s.o. töötamisel lülitina, ei ole sellist küllastusreziimi kui bipolaartransistoridel, kus kollektori ja emitteri vaheline pingelang ei sõltu teda läbivast voolust. Sisselülitatud lülitina töötades on neil küll kanali takistus väga väike (minimaalselt mõni kümnendik oomi), kuid pingelang sõltub Ohmi seaduse kohaselt teda läbivast voolust. ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 61 IGBT on liittransistor, kus sisendis on isoleeritud paisuga väljatransistor ja väljundis suurevõimsuseline bipolaartransistor
ainult rikastusreziimis, on vaja anda paisule sobiva suurusega positiivne eelpinge ja selleks on kõige lihtsam kasutada sisendis pingejagurit (joon.5.11.). A UGS ID Usis RD +E VT R2 E 70 R1 +2V JOONIS 5.11 5.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor). Bipolaarsete transistoridega võrreldes on väljatransistoride eripäraks see, et neil suurima voolu reziimis s.o. töötamisel lülitina, ei ole sellist küllastusreziimi kui bipolaartransistoridel, kus kollektori ja emitteri vaheline pingelang ei sõltu teda läbivast voolust. Sisselülitatud lülitina töötades on neil küll kanali takistus väga väike (mõni kümnendik oomi), kuid pingelang sõltub Ohmi seaduse kohaselt teda läbivast voolust. IGBT on liittransistor, kus sisendis on isoleeritud paisuga väijatransistor ja väljundis suurevõimsusline bipolaartransistor. Peale nende sisaldab ta veel täiendavaid elemente.
E Usis JOONIS 5.11 5.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor). Bipolaarsete transistoridega võrreldes on väljatransistoride eripäraks see, et neil suurima voolu reziimis s.o. töötamisel lülitina, ei ole sellist küllastusreziimi kui bipolaartransistoridel, kus kollektori ja emitteri vaheline pingelang ei sõltu teda läbivast voolust. Sisselülitatud lülitina töötades on neil küll kanali takistus väga väike (mõni kümnendik oomi), kuid pingelang sõltub Ohmi seaduse kohaselt teda läbivast voolust. 50 IGBT on liittransistor, kus sisendis on isoleeritud paisuga väijatransistor ja väljundis suurevõimsusline bipolaartransistor
annaabi.ee 
