Vajad kellegagi rääkida?
Küsi julgelt abi LasteAbi
Logi sisse
✍🏽 Avalikusta oma sahtlis olevad luuletused! Luuletus.ee Sulge

"asendustardlahuse" - 9 õppematerjali

thumbnail
6
doc

Materjalitehnika konspekt

Kuidas liigitatakse tardlahused? Millised on nende tekke eeltingimused? Tardlahused - faasid, milles üks komponentidest säilitab oma kristallivõre, teise komponendi aatomid paigutuvad esimese komponendi kristallivõresse, muutes selle perioodi. Asendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid asendavad osa lahustajakomponendi aatomeid. Kui asendatud võib olla piiratud arv aatomeid, siis on tegemist piiratud lahustuvusega, vastasel korral piiramatu lahustuvusega. Piiramatu asendustardlahuse tekkimise eeltingimused: · komponentide kristallivõred on tüübillt ühesugused · komponentide aatomiraadiused on ligilähedaselt sama suured · aatomite vahelised kaugused sarnased Sisendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid paigutuvad lahustajakomponendi kristallivõre suurematesse tühimikesse. Tühimike arv on piiratud seega saab olla ainult piiratud lahustuvusega

Materjaliteadus → Materjalitehnika
189 allalaadimist
thumbnail
5
docx

Tehnomaterjalid II kontrolltöö kordamine

, võib ühe komponendi aatomite paiknemine ehk lahustusviis teise komponendi kristallivõres olla erinev. Seega esineb sulameis erinevat tüüpi tardlahuseid- asendus- või sisendustüüpi. Asendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid asendavad osa lahustujakomponendi aatomeid. Asendustardlahused jagunevad: Piiratud lahustuvusega- asendatatud on piiratud arv aatomeid Piiramatu lahustuvusega- asendatud on mis tahes hulk aatomeid. Piiramatu asendustardlahuse tekkimise eeltingimuseks on: 1) komponentide tüübilt ühesugused kristallivõred 2) komponentide ligilähedased aatomi raadiused Sisendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid paigutuvad eelkõige lahustujakomponendi kristallivõre suurematesse tühikutesse ehk pooridesse. Näiteks kristallivõre K12 korral kuubi keskele. Keemilised ühendid erinevad tardlahusest selle poolest, et nendel on komponentide kristallivõredest erinev kristallivõre. 4. Faasidiagramm

Materjaliteadus → Tehnomaterjalid
183 allalaadimist
thumbnail
22
doc

Tehnomaterjalid eksam

11. Mis on tardlahus? Tardlahuste tüübid. Tardlahused - faasid, milles üks komponentidest säilitab oma kristallivõre, teise komponendi aatomid paigutuvad esimese komponendi kristallivõresse, muutes selle perioodi. Asendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid asendavad osa lahustajakomponendi aatomeid. Kui asendatud võib olla piiratud arv aatomeid, siis on tegemist piiratud lahustuvusega, vastasel korral piiramatu lahustuvusega. Piiramatu asendustardlahuse tekkimise eeltingimused:  komponentide kristallivõred on tüübillt ühesugused  komponentide aatomiraadiused on ligilähedaselt sama suured  aatomite vahelised kaugused sarnased Sisendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid paigutuvad lahustajakomponendi kristallivõre suurematesse tühimikesse. Tühimike arv on piiratud seega saab olla ainult piiratud lahustuvusega. Reeglina paigutuvad lahustajakomponendi kristallivõresse eelkõige

Tehnoloogia → tehnomaterjalid
119 allalaadimist
thumbnail
6
doc

Tehnomaterjalide Eksami piletid

I variant: 1)lihtsa kuupvoretahis, koordinatsiooni arv. Voreelemendi kohta tulevate aatomite arv. K6 Tähis: K6; koordinatsiooniarv k=6; n=8*1/8=1 2)asendustardlahuse kristallvore (lahustaja komponendi A kristallivore K12) milline on kristallivore baas? n=4 3)FD kuju komponentide osalise lahustuvuse korral, taasid selle koikides alades, nende tahistus ja sisu. 4)loetlege tardfaasid Fe-C-sulameis. Tooge nende tahistus, sisu ja C-sisaldus. · Ferriit (F): F=Fe(C); C-sisaldus: 7270C 0,02% ja toatemp. 0,01% F= Fe(C); C-sisaldus: 14950C 0,1% · Austeniit (A): A=Fe(C), C-sisaldus 11470C 2,14% ja 7270C 0,8% · Tsementiit (T): Fe3C; C-sisaldus: 6,67% · Martensiit (M): M=Fe(C)ülek; max C-sisaldus on võrdne lähtefaasi ­ austeniidi C- sisaldusega 5)milles seisneb beiniitmuutus Fe-C-sulameis muutuse skeem, T A->(F+T)B; Tekib A lagunemisel selle allajahutamisel temp-ivahemikus 400-500C.(C%=0,8) 6)alaeutekto...

Materjaliteadus → Tehnomaterjalid
162 allalaadimist
thumbnail
6
doc

Tehnomaterjalide kogu eksam

Variant 1 1.lihtsa kuupvõre... koordinatsiooni arv. Võreelemendi kohta tulevate aatomite arv K6 K=6 ; n=1 2.asendustardlahuse kristallvõre (lahustaja komponendi A kristallivõre K12) milline on kristallivõre baas? A=1/8*8=1;B=6*1/2=3; n=A+B=4 3.FD kuju komponentide osalise lahutsuvuse korral, faasid selle kõikides alades, nende tähistus ja sisu 4.Loetlege tardfaasid Fe-C sulameis. Tooge nende tähistus, sisu ja C-sisaldus F (K8) sisentustardlahus alfa-rauas C=0,01%-0,1% (Fe(C)); A (K12) sisendustardlahus gamma-rauas C=0,8...2,14% (Fe(C)) M (K8) C ülekõllastunud tardlahus alfarauas (Fe(Cülek) 5.milles seisneb beiniit muutus Fe-C sulameis, muutuse skeem, T A => (F+T) B (C=0,8% t=400-500C 6.alaeutektoidterase struktuuriosad, nende tekkimistemperatuur C<0,8% struktuur koosneb F ja P, C-sisaldus 0,2% korral ferriidi ja perriidii koguste suhe 3:1 7.tavalisandid terastes, nende sisaldus Räni<0,4% ; mangan <0,8% ; väävel 0,035...0,06%; fosfor 0,0...

Materjaliteadus → Tehnomaterjalid
271 allalaadimist
thumbnail
3
doc

Tehnomaterjalid

1.variant. 1.lihtsa kuupvõre... koordinatsiooni arv. Võreelemendi kohta tulevate aatomite arv K6 K=6 ; n=1 2.asendustardlahuse kristallvõre (lahustaja komponendi A kristallivõre K12) milline on kristallivõre baas? A=1/8*8=1 B=6*1/2=3 n=A+B=1+3=4 3.FD kuju komponentide osalise lahutsuvuse korral, faasid selle kõikides alades, nende tähistus ja sisu 4.Loetlege tardfaasid F-S sulameis. Tooge nende tähistus, sisu ja C-sisaldus F (K8) sisentustardlahus alfa-rauas c=0,01%-0,1% (Fe(C))(Ferriit on süsiniku tardlahus alfa+rauas) A (K12) sisendustardlahus gamma-rauas c=0,8-2,14%(Fe(C)) ( Austeniit on samuti raua ja süsinuku tardlahus, süsinik aatomid on asetatud gamma+rauas tahkesendatud kuupvõre aatomitevahelistesse tühikutesse. (sitke ja hästi deformeeritav, mittemagneetiline) M(K8) c ülekõllastunud tardlahus alfa+rauas(Fe(Cülek)) 5.milles seisneb beiniit muutus Fe-S sulameis muutuse skeem, T A->(F+T) B (C=0,8% t=400-500C 6.alaeutekto...

Materjaliteadus → Tehnomaterjalid
325 allalaadimist
thumbnail
44
docx

Tehnomaterjalide stenogramm

Sagedamini esineb mehaaniliste segude korral struktuur, mille terades on vaheldumisi üheaegselt eraldunud tardfaasid. Eutektikum - kihilise ehitusega segu, kui ta tekib vedelast lahusest selle kristalliseerumise tulemusena. Eutektoid - tekib tardlahuse ümberkristalliseerumise või lagunemise tulemusena. Tardlahusteks nim. faase, kus üks komponentidest säilitab oma kristallivõre, teise komponendi aatomid paigutuvad esimese komponendi kristallivõresse. Asendustardlahuse korral asendavad lahustuva komponendi aatomid osa lahustajakomponendi aatomeid. Sisendustardlahuse korral paigutuvad lahustuva komponendi aatomid lahustajakomponendi kristallivõre tühikutesse. Kahekomponentsete faasidiagrammide põhitüübid ja sulamite strukturid Piiramatu lahustuvus Piiratud lahustuvus ja eutektikumi tekkimine Piiratud lahustuvus ja peritektikumi tekkimine

Tehnoloogia → tehnomaterjalid
37 allalaadimist
thumbnail
30
docx

TEHNOMATERJALIDE EKSAM

Tardlahus on selline faas, kus üks komponent (lahustaja) säilitab oma kristallivõre, teise komponendi (lahustunud) aatomid paigutuvad esimese komponendi kristallivõresse, muutes selle perioodi. Asendustardlahus - lahustuva komponendi aatomid asendavad osa lahustujakomponendi aatomeid. Asendustardlahused jagunevad: - piiratud lahustuvusega asendatatud on piiratud arv aatomeid; - piiramatu lahustuvusega asendatud on mis tahes hulk aatomeid. Piiramatu asendustardlahuse tekkimise eeltingimuseks on: 1) komponentide tüübilt ühesugused kristallivõred 2) komponentide ligilähedased aatomi raadiused. Sisendustardlahus- lahustuva komponendi aatomid paigutuvad eelkõige lahustujakomponendi kristallivõre suurematesse tühikutesse ehk pooridesse. Näiteks kristallivõre K12 korral kuubi keskele. Sisendustardlahuste korral paigutuvad lahustajakomponendi (nt Fe, Cr, Mo jt.) kristallivõresse eelkõige väikese aatomi raadiusega mittemetalli aatomid (C, N, H jt.)

Tehnoloogia → tehnomaterjalid
48 allalaadimist
thumbnail
47
docx

Tehnomaterjalide eksami materjal

diagonaalide sõlmpunktides. c)Lihtne kuupvõre ­ Tähis K6, koordinatsiooniarv 6; Baas n=1; Aatomid paiknevad ainult võreelemendi sõlmpunktides(tippudes). d)Heksagonaalvõre - Lihtne heksagonaal võre H6; Kompaktne heksagonaal võre H12; Lihnte heksagonaal võre ­ Tähis H6; koordinatsiooni arv 6; Baas n=2; Kompaktne heksagonaal võre ­ Tähis H12; Koordinatsiooni arv 12; Baas n=6; 2.Metalliliste faaside kristallvõred a)Asendustardlahus ­ asendustardlahuse korral asenduvad lahustuva komponendi aatomid osa lahustajakomponendi aatomeid(joonis 1.33a, lk30). Asendatud võib olla piiraatud arv aatomeid ­ siis on tegemist piiratud lahustuvusega või mis tahes hulk aatomeid, mistõttu sellist lahustuvust nim. piiramatuks. Piiramatu asendtardlahuse tekkimise eeltingimuseks on: 1)Komponentide tüübilt ühesugused kristallvõred. 2)Komponentide ligilähetased aatomi raadiused (aatomi raadiuste erinevus R 15 %).

Materjaliteadus → Tehnomaterjalid
450 allalaadimist


Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun