Läbilöögi protsess sõltub ka temperatuurist. Kõrgematel temperatuuridel on vastuvool suurem ja mõjuva elektrivälja poolt kiirendatakse siiret läbiva vähemus laengukandjaid, need põrkuvad aatomitega ja löövad neilt välja täiendavaid elektrone, mis suurendab vastuvoolu ning sellise vastuvoolu suurenemine võib viia läbilöögini. 1.5 PN siirde sagedusomadused Päri- ja vastusuuna reziimide kiirel vaheldumisel toimub laengukandjate ümber paiknemine P osast N ossa ja vastupidi. On ilmne, et see protsess võtab aega, järeikult ei saa tekkida vastusuuna takistus hetkeliselt ning tulemusena tekib vastupingelise poolperioodi algul tavalisest suurem vastuvoolu impulss. (joonis) Kui mingis pooljuht seadises kasutatakse PN siirde põhiomadust siis tuleb arvestada et siirde sagedus omadustel on alati mingi piir, seejuures see piir võib olla erineb sõltuvalt sellest, millist
arvuga. Asünkroonse loenduri kõik astmed ei lülitu ümber samal ajahetkel. 7. Ühefaasiline poolperioodalaldi Kasutatakse ainult üht dioodi, mis on lülitatud tarbijaga järjestikku. Kui alaldatavas pinges on positiivne poolperiood, siis on diood pingestatud pärisuunas, tema takistus on väike ja kogu alaldatud pinge toimib tarbijale. Selle tulemusena on nii tarbijat läbiv vool, kui ka pinge siinuse poolperioodi kujulised. Alaldatava pinge negatiivsel poolperioodil saab diood vastusuuna pinge, mil tema takistus on väga suur (Mohm), dioodi vastusuuna takistus ületab tunduvalt tarbija takistuse ja seetõttu on pinge tarbijal praktiliselt null. Alaldustegur on Ka = 0,45. pulsatsiooni tegur p = 1,57. UR = U2max = 1,41 * U2.
Tensotakistid: Tensotakisti on pooljuhtseadis, mille takistus sõltub deformatsioonist. Tensotakisteid kasutatakse väikeste deformatsioonide mõõtmiseks ja rõhuandurites.. 33. Pooljuhtdioodid. Alaldusdiood: Pooljuhtdiood on ühe pn-siirdega ja kahe metallväljaviiguga pooljuhtseadis. Ühesuunalise elektrijuhtivuse tõttu kasutatakse dioode alaldites ja kõrgsagedusdetektorites. Dioodid valmistatakse põhiliselt ränist või germaaniumist. Ideaalse dioodi pärisuuna takistus on null ja vastusuuna takistus lõpmatult suur ehk päripingelang ja vastuvool on võrdsed nulliga. Diood juhib hästi ühes suunas (pärisuunas) ja halvasti teises suunas (vastusuunas). Selleks et diood juhiks, tuleb ta lülitada pärisuunda. Selleks ühendatakse patarei plussklemm dioodi p-kihi ehk anoodiga (joonis 8.10, a) ja miinusklemm n-kihiga ehk katoodiga. Polaarsuse muutmisel läbib dioodi vastuvool v I , mis on tühine võrreldes normaalse pärisuuna vooluga p I . Selline lülitus on kujutatud joonisel 8
Aega, mis kulub tõkkekihi taastamiseks pinge polaarsuse muutumisel, nimetatakse taastumiskestuseks ja selleks loetakse ajavahemikku, mille jooksul vastutakistus saavutab 90% oma väärtusest pärast ümberlülitumist päripingelt vastupingele. 1.6. P-N-siirde läbilöök (Breakdown) P-N-siirde pärisuunareziim on piiratud suurima lubatava pärivooluga. Lubatav pärivool sõltub siirde mõõtmetest ja kasutatud materjalist. Vastusuuna reziim on aga piiratud suurima lubatava vastupingega. Selle pinge ületamisel võib tekkida P-N-siirde läbilöök ja tema omaduste kadumine. Suurim lubatav vastupinge on määratud siirde vastusuuna pinge-voolu tunnusjoonega (joonis 1,12). P-N-siirde läbilöök võib toimuda kahel põhjusel: 1) põrkeionisatsiooni mõjul; 11 2) elektronide ja tuumade sidemete puruksrebimise tõttu tugeva elektrivälja toimel.
nähtus ilmneb kõrgetel sagedustel vastuvoolu suurenemisena. Aega, mis kulub tõkkekihi taastamiseks pinge polaarsuse muutumisel, nimetatakse taastumiskestuseks ja selleks loetakse ajavahemikku, mille jooksul vastutakistus saavutab 90% oma väärtusest pärast ümberlülitumist päripingelt vastupingele. 1.6. P-N-siirde läbilöök (Breakdown) P-N-siirde pärisuunareziim on piiratud suurima lubatava pärivooluga. Lubatav pärivool sõltub siirde mõõtmetest ja kasutatud materjalist. Vastusuuna reziim on aga piiratud suurima lubatava vastupingega. Selle pinge ületamisel võib tekkida P-N-siirde läbilöök ja tema omaduste kadumine. Suurim lubatav vastupinge on määratud siirde vastusuuna pinge-voolu tunnusjoonega (joonis 1,12). P-N-siirde läbilöök võib toimuda kahel põhjusel: 1) põrkeionisatsiooni mõjul; 2) elektronide ja tuumade sidemete puruksrebimise tõttu tugeva elektrivälja toimel.
Mahtuvus C koosneb omakorda kahest osast: a) laengumahtuvusest, mis on tingitud erinevates pooljuhtides paiknevatest laengutest ja b) difusioonimahtuvusest, mis tekib töö käigus difundeeruvate laengukandjate vahel. Lihtsustatult võime neid vaadelda ühise mahtuvusena. Kuna sõltuvalt rakendatud pingest muutub tõkkekihi paksus, siis muutub koos sellega ka dioodi mahtuvus. Rakendatava pinge sageduse suurenemisel hakkab avalduma mahtuvuse shunteeriv mõju, mis avaldub vastusuuna reziimis, kus siirde takistus väheneb mahtuvusjuhtivuse suurenemise tõttu. ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 25 JOONIS 4.11. JOONIS 4.12. Teiseks sagedust piiravaks teguriks on p-n-siirde inerts. Kui siirdele mõjub päripinge, siis tõkkekiht puudub. Kui aga rakenduv pinge muudab polaarsust, siis tekib tõkkekiht. Tõkkekihi tekkimine ei toimu aga momentaalselt, vaid alles mõne hetke möödumisel
annaabi.ee 
