patareisid tarvitavates rakendustes. Üks põhiline probleem KMOP lülitustega on nende kiirus. Nad ei suuda opereerida väga kiiresti neile omase sisendi mahtuvuse tõttu. B-seeria vahendid aitavad teatud määral sellest probleemist üle saada andes väljundisse ühlast voolu ning lülitades väljundi seisundit kiiremini ümber isegi siis, kui sisendsignaalid on aeglasemad. 14.ESL-loogika põhirakk. ESL lülitused on spetsiaalselt disainitud opereerima eriti suurtel kiirustel, et vältida transistoridele omast hilistumist küllastuspingel. Selle tõttu vajavad need ahelad suures koguses elektrivoolu, et nad saaksid töötada korralikult. Emitter-sidestus loogika baseerub diferentsiaalvõimendite kasutamisel, et võimendada digitaalset signaali. Seal juures ESL loogikalülitustes mitte ükski transistor ei jõua küllastusreziimi, samuti ei ole ükski transistor ka täielikult välja lülitatud. Transistorid jäävad täielikult oma aktiivsesse tegutsemisolekusse kogu aeg. Selle
raadiosaadeta ja helisalvestuste sagedused ulatuvad 30Hz-50kHz ini mis tagab kõrge helikvaliteedi ka muusika saadete puhul. See vastu pikk, kesk ja lühilaine saatjate vastuvõtul piirdub sagedusala 5-8kHz iga kõrgemate sageduste poolt. Kõne on arusaadavam kui sagedustunnusjoon hakkab langema sagedusest 200 Hz ja madalamatel sagedustel. Paljud raadiolüöitused ja helisalvestusseadmed tekitavad väljaspool kasulikke sageduste riba häireid. Näiteks transistoridele on omane laiaribaline kahin ehk niinimetatud valge müra. Näiteks kramafoni plaadi ajur tekitab vibratsiooni tõttu madalsageduslikke ja allapoole kuuldepiiri jäävaid infraheli sagedusi. Magnetlindile ja heliplaadile salvestatuga kaasneb kahin ka kõrgemast helisagedusest ülalpool, sealhulgas kuuldepiirist kõrgemal, see tähendab ultraheli sagedusel. Kõik need häired põhjustavad peale otsese segava müra ka
Ülemine transistor töötab takistina mille takistus sõltub paisule antavast pingest. Kui sisendis X on loogiline üks, siis on alumises transistoris kanal, mis tõttu tema takistus on väike ja väljundis on loogiline null. Kui sisendis on null, siis alumises transistoris kanal puudub, tema takistus on lõpmata suur ja väljundis on loogiline üks. 4.6 Komplementaarne MOP loogika Joonisel on inverter. Üks ja sama sisendpinge mõjub erineva kanaliga transistoridele erinevalt. Kui anda sisendisse loogiline üks, siis alumises transistoris tekib kanal, ülemises transistoris kanal puudub ja väljundis saadakse loogiline null. Kui sisendis on loogiline null, siis alumises transistoris kanal puudub, ülemises transistoris tekib kanal ja väljundis saadakse loogiline üks. Mõlemas väljakujunenud reziimis on üks transistoridest suletud ja inverter ei tarbi voolu. Voolu tarbimine toimub ainult siis, kui toimub ümberlülitamine ühest olekust teise. JA-EI
Võime öelda, et transistoride sageduslike omaduste parendamiseks on olemas kolm võimalust: 1) vähendada kollektorsiirde mahtuvust; 2) vähendada baasi laiust; 3) suurendada laengukandjate liikumiskiirust baasis. Neid võimalusi arvestatakse kõrg-sagedulike transistoride konstrueerimisel. Lisaks on füüsikast teada, et elektronide liikuvus pooljuhis on peaaegu kaks korda suurem aukude liikuvusest. See on üheks põhjuseks, miks kaasajal eelistatakse n-p-n transistore p-n-p transistoridele. Kõik nimetatud põhjused võimendusteguri vähenemiseks võtavad kokku transistori sagedusparameetrid f , f ja fT. 6.9. Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist ja tööpunktist Transistoride omaduste ja parameetrite kõige tugevamaks mõjutajaks on tempera- tuur. See tuleneb vähemuslaengukandjate kontsentratsiooni temperatuurisõltuvusest. Olulisimaks mõjutajaks on kollektori vastuvoolu temperatuurisõltuvus, mille põhjuseks
Märkimisväärset tähtsust omavad IGBT-transistorid, mis ilmusid turule alates aastast 1998. Viimase kümne aasta jooksul on võimsate muundurite väljatöötamisel olnud domineerivaks GBT-tehnoloogia. Kaasaegseid IGBT-transistore toodetakse pingete vahemikus 0,6...6,5 kV ja vooludele kuni 3 kA, mis võimaldab maksimaalset lülitusvõimsust kuni 4 MW. Tänapäeval on IGBT-transistorid kõige levinumad pooljuhtseadised jõuelektroonika rakendustes sagedusvahemikus 1 kuni 150 kHz. Transistoridele pole lubatud liigpinge, kuid need taluvad 7...10 kordset liigvoolu. Tehniliste andmete lehel näidatakse IGBT-transistoride põhiparameetrid. Kollektori nimivool IF kujutab endast voolu maksimaalväärtust teatud temperatuuril, milleks harilikult on 25° ja 100° C. Sageli aitab tehniliste andmete lehel näidatud voolu IF sõltuvus kere temperatuurist valida transistori olemasolevate jahutustingimuste korral. Samuti on kollektori impulssvool IF piiratud
ajahetkedel. Nii venivad impulss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide korral aga vähenevad väljundvoolu muutused, kuna signaali ühel poolperioodil baasi läinud laengukandjatest jõuab osa kollektorisse hoopis teisel poolperioodil ja tulemuseks ongi väljundvoolu muutuste vähenemine. Füüsikast on teada, et elektronide liikuvus pooljuhis on peaaegu kaks korda suurem aukude liikuvusest. See on üheks põhjuseks, miks kaasajal eelistatakse N-P-N 48 transistore P-N-P transistoridele. Kõik nimetatud põhjused võimendusteguri vähenemiseks võtavad kokku transistori sagedusparameetrid f ja f . T 4.7 Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist Transistoride omaduste ja parameetrite kõige tugevamaks mõjutaja on temperatuur. See tuleneb vähemuslaengukandjate kontsentratsiooni temperatuurisõltuvusest. Olulisimaks
Nii venivad impulss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide korral aga vähenevad väljundvoolu muutused, kuna signaali ühel poolperioodil baasi läinud laengukandjatest jõuab osa kollektorisse hoopis teisel poolperioodil ja tulemuseks ongi väljundvoolu muutuste vähenemine. Füüsikast on teada, et elektronide liikuvus pooljuhis on peaaegu kaks korda suurem aukude liikuvusest. See on üheks põhjuseks, miks kaasajal eelistatakse N-P-N transistore P-N-P transistoridele. Kõik nimetatud põhjused võimendusteguri vähenemiseks võtavad kokku transistori sagedusparameetrid f ja fT. 4.7 Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist Transistoride omaduste ja parameetrite kõige tugevamaks mõjutaja on temperatuur. See tuleneb vähemuslaengukandjate kontsentratsiooni temperatuurisõltuvusest. Olulisimaks mõjutajaks on kollektori vastuvoolu temperatuuri sõltuvus, mille põhjuseks on täiendavate vähemuslaengukandjate tekkimine temperatuuri tõusul
annaabi.ee 
