Väljatransistori voolukanali otsmisi kontakte nimetatakse lätteks (ingl. k. source) ja neeluks (ingl. k. drain). Kui võrrelda bipolaartransistoriga, siis on lätte vaste emitter ja neelu vaste kollektor. Väljatransistorid jagunevad oma struktuurilt - pn-väljatransistorideks e. pn-tõkkekihiga väljatransistorideks, kus tüüritava elektrivälja mõjul muutub kanali tegevristlõige, ja - isoleeritud paisuga väljatransistorideks ehk MOP-transistorideks, milles elektriväli muudab laengukandjate kontsentratsiooni kanalis, seega ka kanali takistust. Viimased jagunevad omakorda - formeeritud kanaliga MOP-transistorideks, ja - indutseeritud kanaliga MOP-transistorideks. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 26 MOP on lühend sõnadest metall-oksiid-pooljuht-, millele ingl.k. vastab MOS = metal oxide semiconductor. Väljatransistor ingl. k
saab reguleerida välise pingega. Selle efekti alusel töötavaid seadiseid nimetatakse varikonideks (muutuva mahtuvusega kondensaatoriteks), mis on funktsionaalsed seadised. Suure vastupinge rakendamisel p-n siirdele toimub siirdel läbilöök, mille tulemusel vastuvool kasvab kiiresti ja jääb praktiliselt konstantseks (joonis 2.18). Seda efekti kasutatakse voolu stabiliseerimiseks ja seadiseid nimetatakse stabilotronideks. Seadiseid, mis sisaldavad kaht p-n siiret, nimetatakse transistorideks. Neid kasutatakse signaali võimendamiseks. Mikroskeemid sisaldavad samas pooljuhtkristallis või kilelises struktuuris väga palju p-n siirdeid erinevas kombinatsioonis ja ka teisi skeemielemente (takisteid, kondensaatoreid, induktiivsusi, juhte ja kontakte). Kasutatakse ka nn heterosiirdeid, kus n ja p ala on valmistatud erinevatest materjalidest erineva keelutsooni laiusega. Heterosiirdeid kasutatakse kiirgusega seotud seadistes (valgusdioodid, pooljuhtlaserid,
Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). MOSFET: paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO 2 kiht. MOSFET transistorid jagunevad formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks. Need omakorda võivad olla kas n- või p-kanaliga. 3. 2xT sild (ASK ja FSK) ASK-amplituudi sag. Karak. – süsteemi väljund sisendpinge amplituudide suhte sõltuvus sagedusest f (nurksagedusest ω). FSK- faasi sag.karak – süsteemi väljund ja sisendpinge faasinihke sõltuvus sagedusest (f või ω). Kõige sagedamini kasutatud tagasisidestusahelana kaksik-T-sild. Kvaasiresonantssagedusel f0 ülekandetegur |γ| = 0, faasinihe sisend- ja 1 1
a · kesksageduslikud: f 30 MHz; a · kõrgsageduslikud: f 300 MHz; a · ülikõrgsageduslikud: f > 300 MHz. a Mõnede transistore tootvate firmade liigitus on teistsugune. Nii ei liigita nad üldiselt väikesevõimsuselisi transistore, vaid need loetakse kõik üldotstarbelisteks väikese võimsuselisteks transistorideks (small signal transistors). Suurevõimsuselisteks ehk jõutransistorideks (power transistors) loetakse aga neid, mille lubatav kollektorvool I CMAX 1 A. Lisandub liigitus soovitava kasutusala ja sageduse järgi. Eri liigi moodustavad aga raadiosageduse transistorid ehk RF transistorid {radio frequency). Sinna kuuluvad transistorid töösagedustega 2 MHz ... 4 GHz, lubatava kollektori hajuvõimsusega kuni 150 W
- keskmise võimsusega: Pc 1,5 W; - suure võimsusega: Pc > 1,5 W. Maksimaalse töösageduse järgi: - madalsageduslikud: fa < 3 MHz; - kesksageduslikud: fa 30 MHz; - kõrgsageduslikud: fa 300 MHz; - ülikõrgsageduslikud: fa > 300 MHz. Mõnede transistore tootvate firmade liigitus on teistsugune. Nii ei liigita nad üldiselt väikesevõimsuselisi transistore, vaid need loetakse kõik üldotstarbelisteks väikese võimsuselisteks transistorideks (small signal transistors). Suurevõimsuselisteks ehk jõutransistorideks (power transistors) loetakse aga neid, mille lubatav kollektorvool ICMAX 1 A. Lisandub liigitus soovitava kasutusala ja sageduse järgi. Eri liigi moodustavad aga raadiosageduse transistorid ehk RF transistorid {radio frequency). Sinna kuuluvad transistorid töösagedustega 2 MHz ... 4 GHz, lubatava kollektori hajuvõimsusega kuni 150 W
Võime kujutleda , et lüliti rezhiimi sisselülitatud olukorras jääb koormustakistusega järjestiku kanali takistus ja seetõttu sõltubki neelu ja lätte vaheline pinge transistori läbivast voolust Nimetatud põhjusel püütakse suurevooluliste väljatransistoride korral leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks, selleks otstarbeks kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore, kus on püütud tekitada võimalikult lühike voolu juhtiv kanal. Parimateks taolisteks transistorideks on D- MOSFET transistorid, mille kanali takistus võib olla 0,1 oomi ja vähem. See on eriti oluline suuremate voolude korral mitmesusgustes jõupooljuhtmuundites. Samal eesmärgil kasutatakse ka IGBT transistore, mille sisendi omadused sarnased väljatransistori omadega, väljundi omadused aga bipolaartransistoriga. Tema kasutamisel lüliti rezhiimis töötavates seadmetes on nende kasutegur parem kui MOS transistoride kasutamisel ID
- keskmise võimsusega: Pc 1,5 W; - suure võimsusega: Pc > 1,5 W. · Maksimaalse töösageduse järgi: - madalsageduslikud: f < 3 MHz; - keskdageduslikud: f < 30 MHz; - kõrgsageduslikud: f < 300 MHz; - ülikõrgsageduslikud: f > 300 MHz. Mõnede transistore tootvate firmade liigitus on teistsugune. Nii ei liigita nad üldiselt väikesevõimsuselisi transistore, vaid need loetakse kõik üldotstarbelisteks väikesevõimsuselisteks transistorideks {small signal transistors). Suurevõimsuselisteks ehk jõutransistorideks (power transistors) loetakse aga neid, mille lubatav kollektorvool ICMAX > 1 A. Lisandub liigitus soovitava kasutusala ja sageduse järgi. Eri liigi moodustavad aga raadiosageduse transistorid ehk RF-transistorid (radio frequency). Sinna kuuluvad transistorid töösagedustega 2 Mhz ... 4 GHz, lubatava kollektori hajuvõimsusega kuni 150 W. Nende transistoride konstruktsioonis
Taoline element võimaldab hõlpsasti moodustada loogikalülitusi ning TTL-tüübiga võrreldes saavutatakse umbes 100 korda suurem tihedus. Märkimisväärne on IIL- elementide väike võimsustarve, sest tööpinge on madal; selle määrab pingelang avatud siirdel. Elemendid säilitavad oma töövõime kuni üliväikeste pingeteni, selle juures aga väheneb nende töökiirus mitu suurusjärku. Et väljatransistore nimetatakse tihti MOS-transistorideks (metall-oksiid pooljuht), kannab ka valmistamisviis nime MOS (Metal-oxyde-semiconductor). MOS transistorid võivad erineda kanalit juhtivustüübilt. Seejuures on p-kanaliga transistorid lihtsamad valmistada ning seetõttu kasutati neid esimestes mikroprotsessorites valdavalt. Nende töökiirus on aga n-kanaliga transistoridega võrreldes oluliselt väiksem, sest aukude liikuvus on tunduvalt madalam elektronide liikuvusest. Seetõttu
annaabi.ee 
