võimendi kahe sisendi vahel. Rds = (1...1000) M ja rohkem Sisendtakistus ühissignaalile Rüs on takistus kahe kokkuühendatud sisendi ja üldjuhtme vahel. Rüs = (1...10) M Väljundtakistus Rv iseloomustab võimendi väljundpinge muutust koormustakistuse muutumisel püsiva sisendpinge korral. Rv = (10...150) Piirsagedus fH on sisendsignaali sagedus, mille puhul võimendi võimendustegur on vähenenud 3 dB, võrreldes võimendusteguriga madalal sagedusel. Ühikvõimenduse e transiitsagedus f1 on sagedus, mille korral võimendusteguri moodul on võrdne ühega. f1 = (1...1000) MHz Väljundpinge kasvukiirus vu on väljundpinge suurim muutumise kiirus diferentspinge hüppelisel muutumisel. vu = (0,5...150) V/s Integraallülitused Integraallülitus on mikroelektroonikaseadis, mis koosneb passiivelementidest (takistid, kondensaatorid), aktiivelementidest (dioodid, transistorid) ja nendevahelistest ühendustest. Analooglülitused kasutavad pidevaid signaale ja muudavad nende
On ilmne et võimendi alumis võimenduspiiri määrab sidestusahela ajakonstant, kuna astme sisendtakistus ei ole vabalt valitav, siis elemendiks, mille valikust sõltub alumine sageduspiir on sidestus kondensaator. Võimendi ülemine võimenduspiir Rakenduselektroonika 6 sõltub põhiliselt kasutatavate transistoride sagedusomadustest so. võimenduse piir sagedus ehk transiitsagedus. Ühendades otseselt esimese astme kollektori teise astme baasiga tekib prakitiliselt oht, et teise astme transistor läheb küllastusse, kuna tema baas saab liiga kõrge pinge, ning võimendi lakkab võimendamast. Samas on võimendi kasutamine vägagi ahvatlev, sest terve rida elemente jääb ära, ning vähenevad ka sagedus moonutused. Ereiti oluline on see mikroelektroonikas, sest senini ei osata valmistada intergraalselt suure mahtuvuslisi kondensaatoreid
9. Ühissignaali summutus tegur CMRR kui OP võimendite sisendisse anda ühesugune signaal, siis need signaalid mõjuvad teineteisele vastu ja väljund peaks olema 0, mida suurem on CMRR seda võrdsemalt on mõlema sisendi toimed ja seda paremaks võib võimendit lugeda. 10. Väljund pinge kasvu kiirus see on väljundpinge muutumise kiirus sisendpinge hüppelise muutuse korral. 11. Transiitsagedus FT see on sagedus mille juures võimendustegur on lagenud üheni, see parameeter isloomustab. Kontrolltöö küsimused 1. Võimentite liigitus, iga liigituse kohta teada nata 2. Signaali moonutuste põhjused ja milles nad avalduvad 3. Kuidas kujundatakse mitme astmelisi võimendeid( RC ja otseses sidestus võimendi erinevused) 4. Vastastakt lülituse tööpõhimõtted, sisend ja väljundtrafode otstarve 5. Tagasiside olemus ja liigitus 6
suurenevad pingelangud kollektori ja emitteri takistitel, mis põhjustab kollektori ja emitteri vahelise pinge (nt. transile jääva pinge) vähenemise, millega kaasneb transi küllastus või sellele lähenemine ning astme võimendus väheneb. On olemas ka transse (nt. GT328), mille voolu ülekandetegur H21E väheneb kollektor-voolu suurendamisel, kui kollektori pinge on konstantne. Siin H21E väheneb kollektorvoolu suurenedes selle tõttu, et väheneb transi transiitsagedus ft. Näiteks: Transistori baasipinge muutumisel vahemikus – 0,5...2,2V muutub kollekorvool 0,5...10mA ja astme võimendustegur väheneb voolu suurenemisel alates 4...10mA-ni 20dB võrra, kuid ühtasi väheneb ka kollektorpinge, kui kollektorvooluringis on kasutatud suure takistusega takistit. See võib põhjustada täiendava võimenduse vähenemise kuni 40 dB (100x). Transi alalisvoolu reziimi muutmisel põhinevaid AVR-i süsteeme kasutat
Ideaalsel juhul peaks ta olema null. 10. Väljundvool see on suurim väljundvoolu väärtus mille juures on opvõimendi parameetrid tagatud. See parameter iseloomustab opvõimendi koormatavust. 11. Väljundpinge kasvu kiirus Vu (Joonis 2.8.5 graafik) see väljundpinge muutumise kiirus sisendpinge hüpelise muutuse korral. 12. transiitsagedus fT see on sagedus mille juures opvõimendi võimendustegur on langenud üheni. Kaks viimast parameetrid iseloomustavad opvõimendi sagedusomadusi ja on omavahel seotud. 2.9 Opvõimendi põhilülitused Opvõimendite kasutamine põhineb kahel skeemil mitteinventeerival ja inventeerival lülitusel. Opvõimendit kui elementi käsitlatakse nende lülituste korral ideaalsetena sest ka reaalselt on opvõimendid mitmete parameetrite osas ideaalsele
töötada, (lubatavat hajuvõimsust ületamata). Võidakse anda ka suurim lubatav impuss- kollektorvool, mis on lubatavast alalisvoolu väärtusest 1,5.-3 korda suurem. 4.5.2. Võimendusparameetrid. Vooluvõimendustegur h (tähistatakse ka ) on väljundvoolu muutuste ja seda 21E põhjustanud sisendvoolu muutuste suhe vahelduvvoolule lühistatud väljundi korral CE lülituses. Transistori võimendusomaduste sõltuvust sagedusest iseloomustab transiitsagedus f , mis T on sagedus, mil transistor lakkab võimendamast s.o. kui vooluvõimendustegur CE lülituses muutub võrdseks ühega. Võimenduse langus algab juba sagedustest 0,1 f ja T võimendustegur sagedustel 0,1... l f on määratav valemiga: T h = f /f 2IE T
(lubatavat hajuvõimsust ületamata). Võidakse anda ka suurim lubatav impuss-kollektorvool, mis on lubatavast alalisvoolu väärtusest 1,5.-3 korda suurem. 4.5.2. Võimendusparameetrid. Vooluvõimendustegur h21E (tähistatakse ka ) on väljundvoolu muutuste ja seda põhjustanud sisendvoolu muutuste suhe vahelduvvoolule lühistatud väljundi korral CE lülituses. Transistori võimendusomaduste sõltuvust sagedusest iseloomustab transiitsagedus fT, mis on sagedus, mil transistor lakkab võimendamast s.o. kui vooluvõimendustegur CE lülituses muutub võrdseks ühega. Võimenduse langus algab juba sagedustest 0,1 fT ja võimendustegur sagedustel 0,1... l fT on määratav valemiga: h2IE = fT/f Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet f, mis on sagedus, mil vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses . 4.5.3. Lülitireziimi parameetri
annaabi.ee 
