Transistor koosneb kolmest osast, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega ja kolmas osa on aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, milline on kolmanda osa juhtivus valmistatakse kahte liiki bipolaartransistore : p-n-p ja n-p-n tüüpi. ( PnP nool sisse ¤ nool välja, NpN) ***PILT*** Ehitusest veel Transistorit võib vaadelda ka nagu kahte omavahel kokku ühendatud dioodi ning seal toimuvad protsessid on võrreldavad dioodides toimuvatega. Emittersiire omab tunduvalt suuremat juhtivust kui kollektorsiire . See on tingitud oluliselt suuremas hulgast laengukandjatest. See on tahtlikult tekitatud. ***PILT*** TÖÖPÕHIMÕTE 1. Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega. 2. See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kui vaja on jälgida transistori tüüpi. N-P-N transistori tööpõhimõte 1
Näiteks üks osooni miinimum on eelnevalt mainitud Jungi kihi kõrgusel. Osooni kahanemist põhjustab ka vulkaanipurske järgne aerosoolitulv. M.Chanini(1993) andmeil on esitatud teooria , et vulkaanipursete tulemusena atmosfääris moodustunud väävelhappe piisad kiirendavad keemilisi reaktsioone, mis toodavad atmosfääri klooriühenditest ohtlikke klooriradikaale. Reaktsioonid kulgevad aerosooliosakeste pinnal. Need reaktsioonid on analoogilised polaarsete stratosfääri pilvede pinnal toimuvatega. T.Frey(1993) andmeil seotakse polaaröös polaarsete stratosfääri pilvede pinnal lämmastikuoksiidid lahjaks lämmastikhappeks , millega kaob võimalus siduda kloori kloorinitraadina. Aerosoolikiht võib osoonikihi olukorda mõjutada nii otseselt, kui ka kaudselt. Päikesekiirgus, mis on kõigi Maa atmosfääris toimuvate protsesside põhiline energiaallikas, osaline neeldumine aerosoolikihis võib E.Kyrö(1993) arvates mõjutada kliimaprotsesse ja selle kaudu ka osoonikihi olukorda
skemaatiliselt sümmeetriline, ei ole ta seda elektriliselt, st. kollektor ja emitter ei ole vahetatavad. Erinevus on selles, et emitteri juhtivus peab olema tunduvalt suurem kui kollektoril. See saavutatakse lisandite erinevate kontsentratsioonidega transistori eri osades. 6.2. Transistori tööpõhimõte Transistori ehitusest tulenevalt võime seda vaadelda ka kahe omavahel baasis kokkuühendatud dioodina. Seepärast on ka transistoris toimuvad protsessid mõnevõrra samased dioodis toimuvatega. Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega (joonis 6.2). See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas n-p-n või p-n-p transistore. Vaatleme enamlevinud n-p-n transistori tööd. Kuna emittersiire on pingestatud
R 40 sis R välj R t U sis ~ ~ U Välj =KUsis JOONIS 4.2. On soovitav, et igasuguse generaatori sisetakistus oleks võimalikult väike, sest mida väiksem on generaatori sisetakistus seda rohkem me võime generaatorit koormata . 4.3. Transistori tööpõhimõte Transistori ehitusest tulenevalt võime seda vaadelda ka kahe omavahel baasis kokkuühendatud dioodina. Seepärast on ka transistoris toimuvad protsessid mõnevõrra sarnased dioodis toimuvatega. Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega (joonis 4.3). See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas kasutame N-P-N või P-N-P transistore. JOONIS 4.3. Vaatleme enamlevinud N-P-N transistori tööd
2. On soovitav, et igasuguse generaatori sisetakistus oleks võimalikult väike, sest mida väiksem on generaatori sisetakistus seda rohkem me võime generaatorit koormata . 28 4.3. Transistori tööpõhimõte Transistori ehitusest tulenevalt võime seda vaadelda ka kahe omavahel baasis kokkuühendatud dioodina. Seepärast on ka transistoris toimuvad protsessid mõnevõrra sarnased dioodis toimuvatega. Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega (joonis 4.3). See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kas kasutame N-P-N või P-N-P transistore. JOONIS 4.3. Vaatleme enamlevinud N-P-N transistori tööd
annaabi.ee 
