metallteravik. Seadme põhimõte meenutab mõnevõrra merepõhja reljeefi kaardistamist nöörloodi abil. Teravikule antakse objekti suhtes mõnevoldine negatiivne potentsiaal. Kui teravik viia objektile väga lähedale (0,1 - 1 nm), hakkab ta kiirgama elektrone, tekib külmemissioon e. autoemissioon Diood- on kahe elektroodiga (katood, anood) elektronseadis, millel on ühesuunaline elektrijuhtivus. Eristatakse elektrovaakumdioode ja pooljuhtdioode. Dioodide põhiline kasutusala on vahelduvvoolu alaldamine, kuid kasutusel on ka mitut liiki eriotstarbelisi pooljuhtdioode. Transistor- on kolme väljaviiguga pooljuhtseadis elektriahelate lülitamiseks ja elektrisignaalide võimendamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. Transistor on elektroonikalülituste tähtsaim koostisosa info- ja sidetehnikas ning samuti jõuelektroonikas.
trajektoor kõverduks. Infot saame osakese laengu, massi ja impulsi kohta. Osakesi saab ,,näha" sähvatuste meetodi, Geiger- Mülleri loenduri, Wilsoni kambri, emulsiooni meetodi, mullikambri abil. · http://www.youtube.com/watch?v=KIAGax2ffN Pooljuhtkamber · Pjk kujutab endast tuhandeid poojuhtdioode. · Pooljuhtdiood ehk diood on kahe elektroodiga pooljuhtseadis, mille eesmärk on lasta elektrivoolu läbi ainult ühes suunas. · Pooljuhtdioode kasutatakse vahelduvvoolu alaldamiseks, moduleeritud elektrivõngete detekteerimiseks (näiteks raadiovastuvõtjates), sageduse muundamiseks, elektrivõnkumiste võimendamiseks kõigis sagedusvahemikes ning tüüritavate elementidena raadio- ja elektronseadmetes. · http://www.youtube.com/watch? v=AqzYsuTRVRc
Joonis 6 Nii tekib p-n siirdes vool, mida nimetatakse pärivooluks. Kui vooluallika poolused vahetada, siis laengukandjad tõmbuvad tõkkekihist eemale ja voolu praktiliselt ei teki. Sellist voolu nimetatakse vastvooluks. Joonis 7 p-b siirde põhiomadus – Ühepoolse juhtivusega(käitub kui ventil). Sellel põhineb pooljuhtdiood. Joonis 8. Pooljuhtdioode kasutatakse vahelduva voolu alaldamisel. Alalisvoolu on vaja Joonis 8
valmistamise tehnoloogiast ja välismõjudest (temperatuur, elektriväljatugevus, valgustatus jne.). Pooljuhid on kas keemilised elemendid või keemilised ühendid. Pooljuhtelemente on üldse 13, kuid enamkasutatavad on germaanium, räni, seleen, telluur, arseen ja fosfor. Germaanium (Ge) on perioodilisussüsteemi IV rühma element, välimuselt hõbehall, metalse läikega, raskesti töödeldav ja rabe, sulamistemperatuur 958,5 °C. Temast valmistatakse pooljuhtdioode ja transistore, mis võivad töötada temperatuuridel 60...+70 °C. Räni (Si) on sama rühma element, hallikas, kõva, habras ja metalse läikega, sulamistemperatuur 1415 °C. Kasutatakse mitmesuguste pooljuhtseadiste (dioodid, transistorid, türistorid, stabilisaatorid jne.) valmistamisel. Seleen (Se) on VI rühma element, hall kristalne aine sulamistemperatuuriga 221 °C. Kasutatakse peamiselt valgustundlike pooljuhtseadiste (fotoelemendid, fototakistid jne.) varemalt ka alaldite
traatvõrgustikule, tiivkamber traatvõrgustikule tõmmatud ioonid triivivad gaasis piki elektrivälja jõujooni tekidades võrgule trajektoori projektsiooni kujutisening kui kambri põhi moodustub kahest ristuvast võrest, siis annab triivkamber trajektoori punktidest kaks koordinaati ning kui on vaja kolmandad tuleb arvutada ioonide võrguni triivimise aeg, pooljuhtkamber kujutab enadst tuhandeid pooljuhtdioode, mille pingestatud siirdes tekib ioniseeriva osakese läbilennul lühike vooluimpulss, detektorid panneksa tugevasse magnetvälja, et laetud osakeste trajektoor temas kõverduks.
tulemusena. Iooniline side esineb aktiivsete metallide ja mittemetallide vahel. Ioonilise sideme tekkeks peab sidet moodustavate elementide elektronegatiivsuse vahe olema vähemalt 1,7. Metalliline side ehk metalliside on keemilise sideme tüüp, mis moodustub negatiivsete vabade elektronide ja positiivsete metallioonide vastastikuse tõmbumise tulemusena metallis. Vabad elektronid põhjustavad metallide elektri- ja soojusjuhtivust ning plastilisust. Pooljuhtdioode kasutatakse vahelduvvoolu alaldamiseks, moduleeritud elektrivõngete detekteerimiseks (näiteks raadiovastuvõtjates), sageduse muundamiseks, elektrivõnkumiste võimendamiseks kõigis sagedusvahemikes ning tüüritavate elementidena raadio- ja elektronseadmetes. Dioodi kest võib olla kas klaasist, plastist või metallist. Metallkesti kasutatakse reeglina suurevoolulistel dioodidel ja tavaliselt on see parema jahutuse võimaldamiseks ühendatud dioodi katoodiga
Isolatsioonikambris tekkinud ioonid võidakse tõmmata ka elektrivälja abil kambri põhjale asetatud traatvõrgustikule. Triivkamber annab trajektoori punktidest kaks koordinaati, kuid teda on võimalik panna 'reetma' ka kolmandat. Selleks tuleb arvutada ioonide võrguni triivimise aeg. Nii saame aja projektsioonikambri. Kõige moodsamad oma töö kiiruse ja väikeste mõõdete tõttu on pooljuhtkambrid. Need kujutavad endast tuhandeid pooljuhtdioode, mille pingestatud siirdes tekib ioniseeriva osakese läbilennul lühike vooluimpulss. Detektorid paigutatakse tugevasse magnetvälja. Neutraalsed osakesed detektoris jälgi ei jäta. Fundamentaalosakeste ja vastastikmõjude süsteem kannab standardmudeli nime. 9 Kokkuvõte Elementaarosakesed ongi need väikseimad osakesed, mille sisemise koostise kohta puuduvad
) Pooljuhid on kas keemilised elemendid või nende keemilised ühendid nagu germaanium, räni, seleen, telluur, arseen, fosfor, või ränikarbiid ning mitmesuguste metellide oksiidid (vaskoksiid, titaanoksiid jne.) ja sulfiidid (tsinksulfiid, hõbesulfiid, magneesiumsulfiid jt.).. Germaanium (Ge) on välimuselt hõbehall, metalse läikega, raskesti mehaaniliselt töödeldav ja rabe, sulamistemperatuur 958,5 °C., suhteline dielektriline läbitavus ε = 16. Germaaniumist valmistatakse pooljuhtdioode ja transistore, mis võivad töötada temperatuuridel –60°C...+70 °C. Räni (Si) hallikas, kõva, habras ja metalse läikega, sulamistemistemperatuur 1415 °C, suhteline dielektriline läbitavus ε = 12,5. . Rauasulamite koostises suurendab elektrotehnilise terase elektrilist eritakistust. Kasutatakse dioodide, transistoride, türistoride, pinge stabilisaatorite jne. valmistamisel. Seleen (Se), hall kristalne aine sulamistemperatuuriga 221 °C. Kasutatakse peamiselt
Kontrollida kas Ohmi seadus kogu vooluringile on õige ja teha sellest järeldus. 4. Tabel Mõõtmistulemused Arvutustulemused E (V) U (V) I (A) Rsise ) R () Järeldus: 1. Kuidas kontrollitakse dioodide korrasolekut? 2. Mida nimetatakse pooljuhtdioodiks? 3. Mis otstarbeks pooljuhtdioode kasutatakse? 4. Kus kasutatakse pooljuhtdioodide omadusi elektriseadmetes? 15 5. Kuidas mõõdetakse emj. ja kuidas pinget toiteallika klemmidelt? LABORATOORNE TÖÖ NR. 10 Eesmärk: Ühefaasilise sildalaldi uurimine. 1. Kasutatavad mõõteriistad ja tööks vajalikud vahendid. Jrk. Nimetused Tüüp Vahejaotus Süsteem Mõõtepiirkond 1
(temperatuur, elektriväljatugevus, valgustatus jne.). Pooljuhid on kas keemilised elemendid või keemilised ühendid. Pooljuhtelemente on üldse 13, kuid enamkasutatavad on germaanium, räni, seleen, telluur, arseen ja fosfor. Germaanium (Ge) on perioodilisussüsteemi IV rühma element, välimuselt hõbehall, metalse läikega, raskesti töödeldav ja rabe, sulamistemperatuur 958,5 °C. Temast valmistatakse pooljuhtdioode ja transistore, mis võivad töötada temperatuuridel 60...+70 °C. Räni (Si) on sama rühma element, hallikas, kõva, habras ja metalse läikega, sulamistemperatuur 1415 °C. Kasutatakse mitmesuguste pooljuhtseadiste (dioodid, transistorid, türistorid, stabilisaatorid jne.) valmistamisel. Seleen (Se) on VI rühma element, hall kristalne aine sulamistemperatuuriga 221 °C. Kasutatakse peamiselt valgustundlike pooljuhtseadiste (fotoelemendid, fototakistid jne
Kui vastupinge ületab dioodi läbilöögipinge UBR, siis kasvab vastuvool väga järsult. Samal ajal jääb (vastu)pingelang dioodil peaaegu konstantseks. Seda omadust kasutatakse pinget stabiliseerivates stabilitronides e. zenerdioodides. Muud liiki dioodide normaalses tööolukorras ei tohi vastupinge dioodi läbilöögipinget ületada. Dioodi nimipinge on tavaliselt 80 ... 90 % läbilöögipingest ning praktikas võetakse dioodi tööpingeks mitte enam kui 60 ... 70 % läbilöögipingest. Pooljuhtdioode kasutatakse toitelülitustes madalsageduslike vahelduvvoolude alaldamiseks (alaldusdioodid, ka: pinddioodid) ning kõrgsageduslülitustes moduleeritud kõrgsagedusvõnkumistest moduleeriva signaali (infosignaali) eraldamiseks e. detekteerimiseks. Dioodi pinge-voolu tunnusjoone mittelineaarsus võimaldab dioode kasutada kõrgsageduslike võnkumiste sageduste liitmiseks ja lahutamiseks (segustusdioodid) ning kordistamiseks (varaktordioodid). Tööks kõrgetel ja ülikõrgetel
sidestuskonded ja sidestustrafod ei lase läbi pinge või voolu alaliskomponente. NF-des kasut. mittelin. Elemente (enam pooljuhtdioode).TV-tehnikas tähendab signaali alaliskomponendi kaotus heleduse gradiatsiooni rikkumist, sest alaliskomponent iseloomustab kujutise keskmist heledust.
XV 1. Registrid. VT IX piletit 2. Käsuformaadid- 0, 1, 2, 3 ja 1,5 aadressiga arvutid. VT IX piletit 3. Pinumälu (stack) realiseerimine ja kasutamine protsessoris. VT XI piletit XVI 26 1. Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad. - Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad: 30ndatel valmistati releede baasil, 40ndatel kasutati elektronlampe, 50ndatel kasutati bipolaarseid pooljuhtdioode ning transistoreid, 60ndatel sündisid esimesed mikroskeemid. TTL (Transistor-Transistor Logic) – bipolaarne tehnoloogia, kus kasutatakse bipolaarseid transistoreid. 90ndatest asendus MOS-tehnoloogiaga (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET MOS) – väljatransistorite unipolaarsed tehnoloogiad. Algusaastatel oli MOS-tehnoloogia aeglasem, kuid väiksema voolutarbega ja suurema pakkimise tihedusega kristalli pinnal. Praeguseks
+ U välj ~220V JOONIS.3.1. Plokkskeemil toodud osade ülesanded on järgmised. Trafo ülesandeks on muuta vahelduvvooluvõrgust saadavat pinget sel määral, et väljundis saada nõutava suurusega alalispinget. Sellest tulenevalt võib toiteseadme trafo olla nii pinget tõstev kui pinget vähendav. Alalduslülituse ülesandeks on muundada võrgust saadud vahelduvpinge alalisvooluks ja sel eesmärgil kasutatakse reeglina pooljuhtdioode. Alalduslülitusest saadav pinge on vähemal või enamal määral pulseeriva (muutuva) iseloomuga. Selle pulsatsiooni ehk lainelisuse vähendamiseks on silufilter, milline silub alaldatud pinge pulsatsiooni nõutava tasemeni.. Vahelduvvoolu võrgupinge stabiilsus ei ole väga kõrge, üldiselt on lubatud pinge kõikumine ±10%. Selline pinge kõikumine on mitmete elektroonikaseadmete toiteks liiga suur. Eriti kui on tegemist mõõtelülitusega. Nende pingekõikumiste vähendamist
JOONIS.3.1. Plokkskeemil toodud osade ülesanded on järgmised. Trafo ülesandeks on muuta vahelduvvooluvõrgust saadavat pinget sel määral, et väljundis saada nõutava suurusega alalispinget. Sellest tulenevalt võib toiteseadme trafo olla nii pinget tõstev kui pinget vähendav. Alalduslülituse ülesandeks on muundada võrgust saadud vahelduvpinge alalisvooluks ja sel eesmärgil kasutatakse reeglina pooljuhtdioode. Alalduslülitusest saadav pinge on vähemal või enamal määral pulseeriva (muutuva) iseloomuga. Selle pulsatsiooni ehk lainelisuse vähendamiseks on silufilter, milline silub alaldatud pinge pulsatsiooni nõutava tasemeni.. Vahelduvvoolu võrgupinge stabiilsus ei ole väga kõrge, üldiselt on lubatud pinge kõikumine ±10%. Selline pinge kõikumine on mitmete elektroonikaseadmete toiteks liiga suur. Eriti kui on tegemist mõõtelülitusega
annaabi.ee 
