Pikkov lk 64 Siin vaadeldakse transistori ÜE-lülituse lihtsat aseskeemi ja tuletatakse valem lülituse pingevõimendusteguri arvutamiseks. h11E ja h21E on nn hübriidparameetrid (transistori kui neliklemmi parameetrid h- parameetrite süsteemis). Need võetakse transistori spetsifikatsioonist või vajaduse korral mõõdetakse. h11E on transistori sisendtakistus ja h21E tema vooluülekandetegur (tuntud ka kui b » IK / IB). RK» tähistab koormustakistust vahelduvvoolule; see võrdub kollektortakisti RK ja koormustakistuse Rt paralleelühenduse takistusega (tähistatakse kui RK|| Rt). Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 9 Tabel 6.1. ÜE-lülituse ligikaudsed arvutusvalemid ja orienteerivad väärtused [3] Pingevõimendustegur Ku = Uvälj / Usis = h21eRC / h11e kuni 104
Joonis 5.17. a) Signaaliallika väljundi saame esitada Thevenin'i aseskeemi kujul. b) Kui aseskeem ühendada koormustakistusega, saame eelmises punktis vaadeldud pingejaguri. Mõned allikad nagu näiteks patareid, ei talu suuri koormusvoolusid, mistõttu neid tuleb mõõta nii suure koormustakistuse juures kui võimalik. Samuti tuleb võimalike suurte koormusvoolude puhul arvestada sellega, et need võivad kahjustada nii testitavat allikat ennast kui ka koormustakistust. Näide Kaudsel teel tuleb määrata võimendi väljundtakistus. Selleks antakse võimendi sisendile siinuspinge, mis tekitab võimendi koormamata väljundil pinge, mille efektiivväärtus on 2 V. Väljundile 500 W koormustakistuse ühendamisel langeb pinge väljundil 2-lt voldilt 1,5 voldini. Kui suur on võimendi väljundtakistus? Vaatleme võimendit tema väljundi suhtes signaaliallikana. Signaaliallika pinge VS on
suurusega. Prakitiliselt jääb sisendite vahele ikkagi mingi erinevus ja reaalselt on see 0,5 kuni 1 mV. Sellest tulenevalt on ka mitteinverteeriva võimendi sisendtakistus suur ulatudes prakitilselt 100M. Samal ajal aga väljundtakistus aga tagasiside toimel väheneb, ning seda saab selgitada järgmiselt: kui me suurendame võimendi koormust (vähendame väljundisse ühendatud koormustakistust), siis tekib väljundvoolu suurenemine. Võimendi väljundtakistuse tekib pinge lang ja väljundpinge väheneb. Väljundpinge vähenemine toob kaasa ka tagasiside pinge vähenemise, mistõttu väheneb pinge inverteerivas sisendis. Nüüd pääseb maksusule mitteinverteeriv pinge toime ja sisendite vahelise pinge suurenemisel suureneb ka väljundpinge. Kirjeldatud toime on samaväärne väljundtakistuse vähenemisega, ning
harmoonilise) amplituud; I2 teise harmoonilise amplituud jne. Kvaliteetse heliülekande puhul ei lubata mittelineaarmoonutusi üle 1%, vähemkvaliteetsemal 3-5%. Kõne ülekandel võidakse lubada moonutusi kuni 8%. Üle 10% moonutuste korral muutub ka kõne halvasti arusaadavaks. 1.3. Transistori kolm reziimi Transistori kui võimendi ülesandeks on anda võimendatud signaal tarbijale ja see tarbija lülitatakse reeglina kollektorahelasse kus ta kujutab endast koormustakistust. Sellist tööolukorda nimetatakse dünaamiliseks reziimiks kuna toimub kõikide voolude ja pingete üheaegne muutumine ja see rezhiim lahendatakse grafoanalüütiliselt kandes transistori väljundtunnusjoontele koormussirge mille asend sõltub koormustakisti väärtusest ja toitepingest. Seejuures igale sisendvoolu väärtusele vastav reziim on määratud koormussirge ja baasivoolule vastava tunnusjoone lõikepunktiga (joon.1.10).
lineaarsuse protuktid) satuvad vastasfaasi võimendis tekivate harmoonilistega ja tulemusena väheneb harmooniliste hulk. Laieneb ka võimendatav sagedusriba. Suureneb sisendtakistus ja väheneb väljundtakistus. Sisendtakistuse suurenemist on lihtne seletada sellega, et kui tagasiside signaal on võimendi sisendsignaaliga vastasfaasiga, siis põhjustab see sisendvoolu vähenemise. Sisendvoolu vähenemine on aga samaväärne sisendtakistuse suurenemisega. Kui me vähendame koormustakistust siis suureneb väljundvool see toob omakorda kaasa tagasiside pinge vähenemise ning sisendpinge osa sisendis suureneb suurendades veelgi väljundvoolu. See tähendab et väheneb väljundtakistus. Mittelineaarmoonutuse vähendamiseks haaratakse negatiivse tagasisidega kas lõpp aste või ka lõppaste koos eelastmega, sellega kaasneb võimenduse vähendamine aga kompenseeritakse võimenduse suurendamisega eelastmes sest eelastmetes on signaal väike ja mittelineaarmoonutusi seal
sõltuvuse vältimiseks tuleb kollektorsiirde temperatuur hoida lubatavates piirides. Tavaliselt on see võimsate transistoride probleem ja temperatuurireziimi hoidmiseks nõutavates piirides kasutatakse transistoride jahutamiseks radiaatoreid JOONIS 4.10 4.8. Transistori kolm reziimi Transistori kui võimendi ülesandeks on anda võimendatud signaal tarbijale ja see tarbija lülitatakse reeglina kollektorahelasse kus ta kujutab endast koormustakistust. Sellist tööolukorda nimetatakse dünaamiliseks reziimiks kuna toimub kõikide voolude ja pingete üheaegne muutumine ja see reziim lahendatakse grafoanalüütiliselt kandes transistori väljundtunnusjoontele koormussirge mille asend sõltub koormustakisti väärtusest ja toitepingest. Seejuures igale sisendvoolu väärtusele vastav reziim on määratud koormussirge ja baasivoolule vastava tunnusjoone lõikepunktiga (joon.4.11.). . K K K E E 49 E B B B IC IC IC IB IB E/RC R C +E IC IB
probleem ja temperatuurireziimi hoidmiseks nõutavates piirides kasutatakse transistoride jahutamiseks radiaatoreid 35 JOONIS 4.10 4.8. Transistori kolm reziimi Transistori kui võimendi ülesandeks on anda võimendatud signaal tarbijale ja see tarbija lülitatakse reeglina kollektorahelasse kus ta kujutab endast koormustakistust. Sellist tööolukorda nimetatakse dünaamiliseks reziimiks kuna toimub kõikide voolude ja pingete üheaegne muutumine ja see reziim lahendatakse grafoanalüütiliselt kandes transistori väljundtunnusjoontele koormussirge mille asend sõltub koormustakisti väärtusest ja toitepingest. Seejuures igale sisendvoolu väärtusele vastav reziim on määratud koormussirge ja baasivoolule vastava tunnusjoone lõikepunktiga (joon.4.11.).
annaabi.ee 
