Enamikel metallidel kas kuubiline või heksagonaalne.Polümorfismiks nim erinevate kristallivõrede esinemist ühel metallil.nt raud ja titaan.Isomorfismiks nim erinevate metallide kristallivõrede samakujulisust.nt Ag ja Au.Kristalli defektid-kristalli sisestruktuur ei ole täiesti korrapärane.Kristallis esinevad mitmesugused defektid,mis mõjutavad metallid omadusi.Kristallides esinevaid defekte liigitatakse:punktdefektid, joondefektid,pinnadefektid,ruumdefektid-nende puhul on tegemist makroskoopiliste kõrvalekalletega metalli korrapärasest struktuurist.näiteks poorid,praod. Metallide ja sulamite füüsikalised omadused.-Tihedus on homogeense aine mass ruumalaühiku kohta.Pulbriliste materjalide korral eristatakse puistetihedus ja rappetihedus.Eristatakse kergmetalle,kesk ja raskmetalle.Sulamistemp on temp,mil materjal läheb üle tardunud olekust vedelasse.On kergsulavad, kesksulavad, rasksulavad
suundadesse (survetöötlemise- valtsimine, pressimine, tõmbamine- tagajärjel) Metalli polükristalliline struktuur ja terasstruktuur KRISTALLVÕRE DEFEKTID Struktuuriuuringud on näidanud, et kristalli sisestruktuur ei ole täiesti korrapärane. Kristallis esinevad mitmesugused defektid, mis avaldavad olulist mõju metallide omadustele Kristallides esinevaid defekte liigitatakse: Punktdefektid Joondefektid ehk dislokatsioonid Pinnadefektid Ruumdefektid- nende puhul on tegemist juba makroskoopiliste kõrvalekalletega metalli korrapärasest struktuurist. Nendeks on poorid, praod jne. AMORFSED METALLID Kui sulametalli jahutada väga kiiresti (kiiremini kui 106 °C*s-1), siis ei jõua vedelas lahuses juhuslikult paiknevad aatomid paigutuda ümber korrapäraselt vastavalt kristalse struktuuri kohaselt. Saame nn klaasi või amorfse metalli või sulami,
Diagrammid koostatakse termilisel meetodilkatsete aluselsaadud sulamite jahtumiskõverate järgi, kandes diagrammile kõik sulami kriitilised temperatuurid, mille juures toimub järsk jahtumiskiiruse muutus või temperatuuriseisak. Kristallvõre defektid : 1) Punktdefektid - vakants (vabaksjäänud sõlm kristallvõres ja sõlmede vahekohtades asuvad põhimetalli aatomid) ; lisandite aatomid põhimetalli kristallvõre sõlmedes või sõlmede vahel. 2) Joondefektid dislokaatorid (sirg-või kõverjoonelised kristallpindade katkekohad) , mõjutavad tunduvalt kristalliterade tugevust ümberpaiknemise tõttu , vähendades voolavuspiiri 1000 korda. 3) Pinddefektid teradevahelised eralduspinnad ja terasisesed dislokatsioonidest piiratud kristallvõre katkepinnad. Mõjutavad metallide omadusi mida rohkem eralduspindu, seda kõrgem voolavuspiir, suurem sitkus ja väiksem haprus.
ainet ei lahustu vastastikku kogu kontsentratsioonivahemikus, esineb eutektiline punkt, eutektilise koostisega sulam tahkestub madalaimal temperatuuril, võrreldes kõikide teiste koostistega. nt 4. Kirjeldage "kangireegli" rakendamist faaside osakaalu määramiseks binaarselt faasidiagrammilt. 5. Tooge näiteid defektide mõjust materjalide omadustele. Defekti all peetakse silmas igasugust kõrvalekaldumist kristallvõre korrapärasusest. Defektide põhiliigitus on: punktdefektid, joondefektid, pinnadefektid ja ruumdefektid. Punktdefekt võib luua kristallvõres pingepunkti, mis vähendab dislokatsioonide liikuvust ja seetõttu tugevdab materjali. Joondefektide e. dislokatsioonide olemasolu kristallvõres mõjutab materjali plastilisust ja tugevust. Pinnadefekt on näiteks terade esinemise materjalitükis. Mida suuremad on terade orientatsioonide vahelised nurgad, seda tugevam aine on.
1. Mille poolest erineb tardlahus mehaanilisest segust ja keemilisest ühendist? Tardlahuses võivad sulami komponendid vastastikku lahustuda üksteises. Keemilises ühendis komponendid reageerivad omavahel ja mehaanilises segus ei lahustu ega reageeri komponendid omavahel. 2. Millised on kristallivõre defektid ja millist mõju nad avaldavad omadustele? *Punktdefektid- vakantsid, omavad suurt liikuvust ja teiste defektidega toimides mängivad plastse deformatsiooni protsessides suurt rolli *Joondefektid- suurim tähtsus dislokatsioonidel *Pinnadefektid, ruumdefektid- soodustavad punktdefektide moodustumist ja liikumist ning on efektiivseteks barjäärideks joondefektide liikumisele või on nende defektide kristallivõrest väljumiskohaks (poorid, tühikud). 3. Kuidas seletada temperatuuriseisakuid metallide jahtumiskõveratel? See on tingitud kristalliseerumissoojuse eraldumisest 4. Faasidiagrammid (olekudiagrammid) ja nende rakendused metallide tehnoloogias.
hoiavad küttesegu põlemiskiiruse parajates piirides. Tuntuim ning odavaim on tetraetüülplii, kuid see on keskkonnale ning organismidele kahjulik. Pilet 5. Mitte kõik lisandid ei ole kahjulikud, sageli lisatakse neid juurde teadlikult. Kristallivõre defektid võivad olla nii omadefektid kui lisanditega seotud defektid. Punktdefektid aatomi liikumine võre sõlmpunktist sõlmpunktidevahelisse tühimikku (sõlmpunktis tühimiku vakantsi teke. Joondefektid serv- ja kruvidislokatsioonid. Pinddefektid kristallide (terade) eralduspindade teke. Ruumdefektid poorid, tühikud ja praod. Punktdefektid tekivad soojusliikumise tõttu, Punktdefektid liiguvad kristallis pidevalt, võivad ühineda või kaduda. Defektide hulk sõltub kristalli stöhhiomeetriast. Tahke lahus moodustub ühe aine aatomite või molekulide sisestumisel teise aine kristallivõresse. Metallide puhul nimetatakse seda sulamiks
Punktdefektidena esineb lisand tahkes lahuses. Tahke lahus moodustab homogeense segu, kus lisandi aatomid on ühtlaselt jaotunud põhiaines. Tahkeid lahuseid: 1)asendustüüpi- lisandi aatomid asendavad põhiaineid aatomeid võresõlmes.; 2)sisendustüüpi- lisandi aatomid lähevad võresõlmede vahele. Asendustüüpi tahke lahuse tekkimine on võimalik, kui aatomite raadiused ei erine rohkem kui 15%; -ainete elektronegatiivsused on lähedased; -ainete kritallvõred on sarnased. Joondefektid Joondefektideks nim ka dislokatsioonideks, kuna nende lähedusse kogunevad lisandite aatomid. Dislokatsioonid on sellised jooned kristallvõres, mille ümber on osa aatomeid paigutunud ebaregulaarselt. Tekivad kristallide kasvamisel, -plastilisel deformeerimisel; -vakantside kogunemisel; -tahkete lahuste tekkimisel. On olemas kaht tüüpi dislokatsioone: 1)ääre dislok-lisapoolaatomkihi lõppemise äär.; 2)
..................14 1.Plastse deformeerimise füüsikalised alused Kristallivõre põhitüüpideks on ruumkesendatud kuupvõre (Fe, Mo, W jt.), tahkkesendatud kuupvõre ( Cu, Al,Au,Pb,Ag) ning kompaktne heksagonaalvõre (M, Zn, Co). Monokristallilisi metalle iseloomustab omaduste anisotroopia, kuna aatomitevahelised kaugused erinevates suundades erinevad. Kristallivõre defektid liigitatakse järgmiselt: Punktdefektid: vakants, lisandiaatom,sõlmpunktidevaheline aatom. Ühedimensioonilised e. Joondefektid: dislokatsioon Kahedimensioonilised e. Pinddefektid: pakkedefekt ja teradevaheline piir Kolmedimensioonilised e. Ruumdefektid: poor,tühik, pragu Metallide plastse deformatsiooni teoorias on uurim tähtsus joondefektidel dislokatsioonidel. Punktdefektid vakantsid omavad suurt liikuvust ja teiste defektidega toimides mängivad plastse deformatsiooni protsessides suurt rolli. 2. Mahtvormimisprotsessid.
....................................................................................... 43 5.2. Punktdefektid .......................................................................................................... 43 5.2.1. Vakantsid ja võrevahelised aatomid................................................................ 43 5.3. Lisandid tahkes kehas .............................................................................................. 45 5.4. Joondefektid dislokatsioonid (joonis 3.43) ........................................................... 46 5.5. Kahemõõtmelised defektid ..................................................................................... 47 5.5.1. Materjali välised pinnad .................................................................................. 47 5.5.2. Kristallide vahelised piirpinnad ....................................................................... 47 5.5.3
tekkimine on võimalik, kui: - aatomite raadiused ei erine rohkem kui ±15%; - ainete elektronegatiivsused on lähedased; - ainete kristallvõred on sarnased. Näiteks Cu ja Ni, mis lahustuvad piiramatult: R, nm elektroneg kr str Cu 0,128 1,9 TTK Ni 0,125 1,8 TTK Sisendustüüpi tahke lahus tekib, kui Rlis << Rpõhiaine. Ka siis on lahustuvus mitte üle 10%. Näiteks C rauas lahustub veidi üle 2%. 3.3 Joondefektid e dislokatsioonid Joondefekte nimetatakse ka dislokatsioonideks, kuna nende lähedusse kogunevad (dislotseeruvad) lisandite aatomid. Dislokatsioonid on sellised jooned kristallvõres, mille ümber on osa aatomeid paigutunud ebaregulaarselt. Dislokatsioonid tekivad: - kristallide kasvamisel; - plastilisel deformeerimisel; - vakantside kogunemisel; - tahkete lahuste tekkimisel. On olemas kaht tüüpi dislokatsioone:
annaabi.ee 
