kristallivõredel K12 ja H12 – 0,74). Mida suurem on kristallivõre koordinatsiooniarv, seda suurem on võre kompaktsusaste. Polü- ja isomorfism Mõnedel metallidel on sõltuvalt temperatuurist enam kui üks kristallivõre tüüp. Seda erinevate kristallivõrede esinemist ühel metallil nimetatakse polümorfismiks (nt. Fe ja Ti). Erinevate metallide kristallivõrede samakujulisust nimetatakse isomorfismiks. Isomorfsete ainete kristallivõredel on ligilähedased võreperioodid, aatomiraadiused, mistõttu aatomid võivad üksteist kristallivõres asendada (nt. Ag ja Au). Puhta metalli kristallisatsioon Kristallisatsiooniks nim. vedela metalliüleminekut tahkesse olekusse. Kristalliseerumine leiab aset juhul, kui tahke oleku vaba energia on väiksem vedela oleku vabast energiast, järelikult kristalliseerumisprotsess võib toimuda ainult alla tasakaalutemperatuuri jahutatud metalli korral.
Polümorfism- Mõnedel metallidel on sõltuvalt temperatuurist enam kui üks kristallivõre tüüp. Seda erinevate kristallivõrede esinemist ühel metallil nimetatakse polümorfismiks. Tuntumaks näiteks võib tuua raua ja titaani. Kristallivõret on võimalik muuta temperatuuri muutmise teel. Polümorfse muutuse temperatuure on võimalik muuta (alandada toatemperatuurini) legeerimise teel. Isomorfism- Erinevate metallide kristallivõrede samakujulisust nimetatakse isomorfismiks. Isomorfsete ainete kristallivõredel on ligilähedased võreperioodid, aatomiraadiused, mistõttu aatomid võivad üksteist kristallivõres asendada. Puhta metalli kristallisatsioon – jahtumiskõver- Puhta metalli kristalliseerumisprotsessi iseloomustab jahtumiskõver, teljestikus temperatuur – aeg. Väikesel jahtumiskiirusel on allajahutusaste väike ja kristalliseerumine leiab aset tasakaalutemperatuurile lähedasel temperatuuril
joonpakketihedust (atomic linear density). Mida suurem on kristallivõre koordinatsiooniarv, seda suurem on võre kompaktsusaste. , polü- ja isomorfism; Mõnedel metallidel on sõltuvalt temperatuurist enam kui üks kristallivõre tüüp. Seda erinevatekristallivõrede esinemist ühel metallil nimetatakse polümorfismiks (polymorphism). Tuntumaksnäiteks võib tuua raua ja titaani. Erinevate metallide kristallivõrede samakujulisust nimetatakse isomorfismiks (isomorphism). - metallide tegelik struktuur (aatomite pakketihedus, amorfsed metallid, difusioon; Aatomite pakketihedus Mis tahes tüüpi kristallivõres paiknevad aatomid korrapäraselt, kuid aatomite arv pakketihedus (packing density) kristallivõre erinevates tasandites ja suundades on erinev Amorfsed metallid Kui sulametalli (või sagedamini sulamit) jahutada väga kiiresti (kiiremini kui 10 6 °C_s-1), siis ei jõua
Vesinikside - täiendav side H+ ühendeis O-2, N-3, F-4ga, kus H+ ainus elektron on tõmmatud elektronegatiiv- sema iooni poole. Vesinikside on tähtis vee molekulide seostajana vees ja jääs. 7 Metalliline side kõik elektronid on "kollektiviseeritud" kergelt ioonide vahel liikuvaks nn. "elektrongaasiks". Metallid on taotavad ja nad on head elektri- ja soojusjuhid. 32. Isomorfismi ja polümorfismi mõisted? Isomorfismiks nimetatakse ühe elemendi asendumist teisega mineraali kristallvõres. Esineb täielikku isomorfismi, kus kaks isomorfset ainet, näiteks KCl ja KBr, võivad täielikult segunedes moodustada pideva rea homogeenseid segakristalle. Osalise isomorfismi puhul kaks isomorfset ainet, nagu näiteks Ba SO4 ja KMnO4, võivad moodustada homogeenseid segakristalle ainult osaliselt segunedes. Täieliku isomorfismi tekkimiseks on vajalik, et segunevate ainete elementaarosakesed oleksid
osa lahustajakomponendi aatomeid(joonis 1.33a, lk30). Asendatud võib olla piiraatud arv aatomeid siis on tegemist piiratud lahustuvusega või mis tahes hulk aatomeid, mistõttu sellist lahustuvust nim. piiramatuks. Piiramatu asendtardlahuse tekkimise eeltingimuseks on: 1)Komponentide tüübilt ühesugused kristallvõred. 2)Komponentide ligilähetased aatomi raadiused (aatomi raadiuste erinevus R 15 %). Kristallvõrede samakujulisust ja aatomi raadiuste ligilähedust nim. isomorfismiks ja seda tüüpi tardlahused moodustuvad Ag-Au, Ni-Cu, Mo-W, V-Ti jt süsteemide sulameis. b)Sisendustardlahus - sisendustardlahuse korral paigutuvad lahustuva komponendi aatomid eelkõige lahustajakomponendi kristallvõre suurematesse tühikutesse(pooridesse), näiteks kristallvõre K12 korral kuubi keskele. Sisendtardlahuste korral paigutuvad lahustaja kompnendi (nt Fe,Cr,Mo jt) kristallvõresse eelkõige väikese aatomi raadiusega mittemetalli aatomid (C, N, H jt) (joonis 1.33b, lk30)
annaabi.ee 
