sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). 27. Ühise baasiga: Ühise emitteriga: Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. Isis = IE : Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte- lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit
Bipolaartransistor on vooluga tüüritav seadis. 37. Mida kujutavad endast bipolaartransistori sisend- ja väljundtunnusjooned? See on staatiline pinge-voolu tunnusjoon. Väljund tunnusjooneks on sõltuvus Ik=f(Uke) ja Ib=const. Sisendtunnusjooneks on Ube=f(Ib) ja Uke=const. 38. Milliseid tööpiirkondi (tööreziime) võib eristada transistoril tööpunkti valiku järgi? z, r, h, ja y-parameetrite süsteemid. lk 107, lk 111...113. Ühise baasiga lülituses toimub transistori tüürimine emittervooluga, Ühise emitteriga lülitus on kõige enam levinud lülituseks, Ühise kollektoriga lülitus pingevõimendust ei arenda. 39. Mida nimetatakse transistori h-parameetriteks ja kuidas neid määratakse? Lk 112 h-parameetrid on mitmesuguste dimensioonidega ja seepärast nim seda süsteemi sega-ehk hübriidparameetrite süsteemiks. Parameetrid h12 ja h12 on dimensioonita suurused: h12=u1/u2 kui i1=0 või I1=const. h21=i2/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h11 on takistuse
Tingituna sellest, et erinevate lülituste omadused on erinevad, vaatleme neid eraldi täpsemalt. Kõikide nende lülituste vaatlemisel tuleb meeles pidada, et lülituses olevad alalispingeallikad on signaalile s.o. vahelduv-komponendile väga väikeseks takistuseks (praktiliselt lühiseks). ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 36 6.3.1. Ühise baasiga lülitus. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, s t . = Isis IE : Usis = U EB , U VÄLJ = U CB ja I VÄLJ = Ic JOONIS 6.5 Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte-lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva
lülitusi mõnikord ka maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Tingituna sellest, et erinevate lülituste omadused on erinevad. Vaatleme neid eraldi täpsemalt. Kõikide nende lülituste vaatlemisel tuleb meeles pidada, et lülituses olevad alalispinge-allikad on signaalile s.o. vahelduv-komponendile väga väikeseks takistuseks (praktiliselt lühiseks). 4.4.1. Ühise baasiga lülitus. Ühise baasiga lülituses (joonis 4.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, s.t. I =I SIS E USIS = U , U =U EB VÄLJ CB ja I = I . VÄLJ C JOONIS 4.5. See lülitus annab suure pingevõimenduse . Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas
maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Tingituna sellest, et erinevate lülituste omadused on erinevad. Vaatleme neid eraldi täpsemalt. Kõikide nende lülituste vaatlemisel tuleb meeles pidada, et lülituses olevad alalispinge-allikad on signaalile s.o. vahelduv-komponendile väga väikeseks takistuseks (praktiliselt lühiseks). 4.4.1. Ühise baasiga lülitus. Ühise baasiga lülituses (joonis 4.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, s.t. ISIS = IE USIS = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = IC . 30 JOONIS 4.5. See lülitus annab suure pingevõimenduse . Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses
annaabi.ee 
