Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid pn-siirdega väljatransistorideks (JFET, JUGFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET, metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid). Väljatransistoride eelised Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju. Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. Väljatransistoridel puudub soojuslik läbilöök. Väljatransistorite Puudused Võrreldes bipolaartransistoridega on väljatransistoride tüüriv elektrood väga tundlik staatilise elektri suhtes ja sageli üle 20 voldi pinget ei talu. Väljatransistore võib olla kohati keerulisem tüürida, nende jaoks valmistatakse spetsiaalseid draivereid.
pingega tüüritav element. 43. Milline on väljatransistoride põhiline ühendusviis? Isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorid (MOSFET, MOP). Lühend tuleneb sõnast metall-oksiid-pooljuht. Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. Mikroelektroonikas on tänapäeval kasutatavaim tehnoloogia CMOS ehk komplementaarne metall-oksiid-pooljuht tehnoloogia, mis põhineb MOSFET komplementaarpaaridel. 44. Mida nimetatakse väljatransistori sulgepingeks?
voolu-võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt emitterist baasi läinud laengukandjad jõuavad kollektorisse erinevatel ajahetketel. Nii venivad impuss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide korral aga vähenevad väljundvoolu muutused, kuna signaali ühel poolperioodil baasi läinud laengukandjatest jõuab osa kollektorisse hoopis teisel poolperioodil ja tulemuseks ongi väljundvoolu
võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt emitterist baasi läinud laengukandjad jõuavad kollektorisse erinevatel ajahetkedel. Nii venivad impulss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide korral aga vähenevad väljundvoolu muutused, kuna signaali ühel poolperioodil baasi läinud laengukandjatest jõuab osa kollektorisse hoopis teisel poolperioodil ja tulemuseks
Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt emitterist baasi läinud laengukandjad jõuavad kollektorisse erinevatel ajahetkedel. Nii venivad impulss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide korral aga vähenevad väljundvoolu muutused, kuna signaali ühel poolperioodil baasi läinud laengukandjatest jõuab osa kollektorisse
Austeniit 83 1700 18,2 Feriit 85 2250 30 Martensiit 86 2150 18,2 -6 Nende kermiste eeliseks on ka terasele lähedane soojuspaisumise koeffitsent - 8...13 x 10 , mis teeb nad kergesti joodetavaks ja difusioonselt keevitatavaks terase külge. Uued boriidide baasil kermised on suurepärase korrosioonikindlusega mitmesugustes orgaanilistes ja anorgaanilistes hapetes ja leelistes. Nad on inertsed ka sulametallides, nagu Al ja Zn, ületades WC-Co kermiseid küneid kordi. 68 Soovitatav kirjandus 1. P.Kulu, J.Kübarsepp, A.Laansoo, J.Pirso, L.Valdma ,,Metalliõpetus ja metallide tehnoloogia II osa. Metallide Tehnoloogia 2.Tallinn 2001.
annaabi.ee 
