tagamiseks. Takistiga Re pannakse paika emitteri pinge maa suhtes. Re põhjustab aga tugevat vahelduvvoolu tagasisidet, mis vähendab võimendust. Et võimenduskadusid vältida ühendatakse sellega rööbiti sildav Ce. Väljundisse alaliskomponendi mitte jõudmiseks kasutatakse sidestuskondensaatorit Ck. Sisendisse on ühendatud pingejagur sõltuvalt signaaliallika omadustest. Sisendisse antakse vahelduvsignaal, mida tüüritakse baasivooluga. Õigesti valitud skeemielementide puhul saame väljundisse võimendatud signaali. Põhimõte on, et madalama sisendpingega tüürida teiste siirete takistusi ja saada sellega suurem väljundsignaali pinge. 4. Mõõdetud pingevõimendustegur ku, sisend- ja väljundtakistused Rsis, Rv ja võimsusvõimendustegur kp . Arvutan võimendi pingevõimendusteguri: Uv := 96.59mV Usis := 20mV Uv ku := Usis ku = 4.83 Arvutan sisendtakistuse: U*v=77,44mV R=5,1 U=20mV
Dioodide ja transistorite sagedamini kasutatav materjal oli varem germaanium, kaasajal räni. Viimasel ajal leiab enam kasutamist ka galliumarseniid. 12. Bipolaarse transi ehitus ja tööpõhimõte. pnp- või npn-transi ehitus, vooluallikate ühendamine ja polaarsused, transi sisend- ja väljundvool ühise emitteriga lülituses. Seos emitteri-, baasi- ja kollektorivoolu vahel. Volude suunad ja laengute liikumine transis. Kollektorivoolu tüürimine baasivooluga, emitterivoolu ülekandetegur ja baasivoolu võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis ilmneb põhiliselt kuna baas on väga kitsas. Bipolaarsete transistoride pingestamisel pingestatakse mõlemad siirded eraldi. (Edaspidi räägime pnp transistorist.
Diood ei tohi selles piirkonnas rikneda => Lubatud max vastuvool läbilöögireziimis on paljudel 1mA...1A. Seda ei tohi ületada. 1.9. Varikap VARIKAP kasutatakse vastupingel C = var , voolu ei juhi, mahtuvuse muutmiseks muudame alalispinget. varikapi vastuvool on A murdosa 1.10. Bipolaartransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid Transistoride otstarve on reguleerida läbivvoolu U sis või isis'ga. Bipolaarseid juhitakse baasivooluga. Väljatransistoreid juhime paisupingega. Bipolaarsel transistoril on kolme kihiline struktuur. Emitter saadab voolukandjad teele, kollektor kogub Emitterist teele asunud voolukandjad kõik kokku ning Baas on imeõhuke ja ta reguleerib voolukandjate voogu Est Ksse. Bipolaarsel transistroil on arvestatav isis! Bipolaari üldskeem Ehitus silikooni põhjal npn transistor
14 kaudu. Ilma taoliste filtriteta võib võimendi muutuda teatud sagedustel ebastabiilseks (kalduda endaergutusele). Kui lähtetööpunkti koordinaadid IC ja UCE ning toitepinge E on valitud, saab neist lähtudes arvutada transistori soovitud reziimi määravate baasi, kollektori- ja emitteriahelate takistused. Järgneval skeemil (Pikkov, lk 70) on näidatud üks võimalik ÜE-lülituses transistori alalisvoolutoiteskeem: püsiva e. fikseeritud baasivooluga lülitus (lähemalt sellest ja teistest toiteskeemidest allpool). Taolise astme arvutus koosneb järgmistest etappidest: - valime väljundkarakteristikutel meile sobiva lähtetööpunkti (jõudepunkti) parameetritega UKEp ja IKp; soovitavalt nii et UKEp< EK/2 (vähendamaks lülituse poolt tarbitavat ja samas soojusena hajuvat võimsust); - arvutame kollektoritakisti väärtuse: E K - U KEp RK =
[vaata | 12. Bipolaarse transi ehitus ja tööpõhimõte. muuda] pnp- või npn-transi ehitus, vooluallikate ühendamine ja polaarsused, transi sisend- ja väljundvool ühise emitteriga lülituses. Seos emitteri-, baasi- ja kollektorivoolu vahel. Volude suunad ja laengute liikumine transis. Kollektorivoolu tüürimine baasivooluga, emitterivoolu ülekandetegur ja baasivoolu võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis ilmneb põhiliselt kuna baas on väga kitsas. Bipolaarsete transistoride pingestamisel pingestatakse mõlemad siirded eraldi. (Edaspidi räägime pnp transistorist
D võimendav transistorpiirik -E k Neg. polaarsusega baasivoolu korral muutuvad ic ja Uk võrdeliselt baasivooluga. Seejuures kulgeb ik R R b k emitterilt kollektorile. Kui aga baasivool saavutab
on skeemis selleks, et muundada kolektrorvoolu muutusi pingemuutusteks RC1 CE1 ja RE2 CE2 on tööpunkti stabiliseerimiseks. Baasiahelas olevad takistused RB1 ja R1 ning R2 on tööpunkti fikseerimiseks. Teatavasti peab võimendina toimiv transistor töötama transistori lineaar reziimis ja selleks on vaja tekitada selles reziimis sobiva väärtusega alalisreziim seda reziimi nimetataksegi tööpunktiks. Joonis 3. Vaadeldavas lülituses kasutatakse esimeses tööpunkti fikseerimist baasivooluga, kuna seal on sisendvool väike ja tööpunkti stabiilsus ei ole kriitiline. Teises astmes on sisendsignaal suurem ja seal on vaja tugevamat stabiliseerimist. Mis tõttu kasutakse pingejagurit koos emitter komplektiga. Teises ahelas on sidestusahel ära jäätud. Otseses sidestuses on elemente vähe ja puudub suure mahtuvuslik sidestus kondensaator, mida ei osata senini integraallülituste sisse tekitada.
a=0,92.. .0,99. Eeltoodud avaldisest lähtudes võime avaldada ka baasivoolu muutuse: IB = IE - IC , Ic = .*IE , järelikult IB = IE - .* IE=IE(1- .) ELEKTROON1KAKOMPONENDID lk.37 6.3.2.Ühise emitteriga lülitus Ühise emitteriga lülitus on kõige enamlevinud lülituseks (joonis 6.6). Ka siin on väljundvooluks kollektorivool, kuid tüürimine toimub baasivooluga. Seega Isis =f IB, IVÄLJ = Ic; Usis = UBE ja UVÄLJ = UCE Kuna baasivool on emittervoolust palju väiksem, on vastavalt suurem ka sisendtakistus. Lülitus annab suurima võimsusvõimenduse, sest üheaegselt esineb siin nii voolu- kui ka pingevõimendus. Astmeid on omavahel kergem sobitada kui eelnevas lülituses, sest siin on sisendtakistus suurem ja väljundtakistus väiksem. CE JOONIS 6.6.
K = = I / I iB C E Kuna baasivoolu muutus on kollektorvoolu muutusega võrreldes suhteliselt väike, siis =0,92.. .0,99 4.4.2.Ühise emitteriga lülitus Ühise emitteriga lülitus on kõige enamlevinud lülituseks (joonis 4.6). Ka siin on väljundvooluks kollektorivool, kuid tüürimine toimub baasivooluga. Seega I SIS = I, B I VÄLJ = I ; U = U ja U = U C SIS BE VÄLJ CE Kuna baasivool on emittervoolust palju väiksem, on vastavalt suurem ka sisendtakistus. Lülitus annab suurima võimsusvõimenduse, sest üheaegselt esineb siin nii voolu- kui ka pingevõimendus
IE = IC + IB . Sisend-ja väljundvoolude muutuste suhet nimetatakse vooluvõimendusteguriks: KiB = = IC / IE Kuna baasivoolu muutus on kollektorvoolu muutusega võrreldes suhteliselt väike, siis =0,92.. .0,99 4.4.2.Ühise emitteriga lülitus Ühise emitteriga lülitus on kõige enamlevinud lülituseks (joonis 4.6). Ka siin on väljundvooluks kollektorivool, kuid tüürimine toimub baasivooluga. Seega I SIS = IB, IVÄLJ = IC; USIS = UBE ja UVÄLJ = UCE Kuna baasivool on emittervoolust palju väiksem, on vastavalt suurem ka sisendtakistus. Lülitus annab suurima võimsusvõimenduse, sest üheaegselt esineb siin nii voolu- kui ka pingevõimendus. Astmeid on omavahel kergem sobitada kui eelnevas lülituses, sest siin on sisendtakistus suurem ja väljundtakistus väiksem.
annaabi.ee 
