Vajad kellegagi rääkida?
Küsi julgelt abi LasteAbi
Logi sisse
Sulge

"alaldava" - 6 õppematerjali

Elektroonika
32
doc

Elektroonika

Sekund- mähisel keskelt väljavõte. Diood üleval/all, alumine ühendatud ülemise ette. Tarbija ülemise mähise peal. Ud=0.9U2. q1=0.67=1/m2-1, m-pulsatsioonide arv alaldatava pinge perioodide peal. 10pdf 5. ÜK-lülitus. Trans üles, lin. elem. alla. Takisti pingelang=väljund Usis>~Uvalj. Pinge järgi võimendust pole, voolu järgi küll. Tänu suurele sisendtakile kas puhvrina. Sign arvutusel Emitterist läbi RE maha. Rsis on suur=h11e+(1+h21e)RE~ 5pdf Pilet 11. 1. alaldava siirde tekkimise tingimus 2. väljatransistoride liigitus 3. 2xT sild (ASK ja FSK) 4. välistav või (tähistus ja tõeväärtustabel) 5. ROM 1. Alaldava siirde tekkimise ting Ge korral pp>>nn Räni korral vastupidi. 2. transis liiguvad ühenimel-d laengukand-d kanalis, mille juhtivust muudetakse elektrivälja abil. Jagunevad:*pn siirdega *isoleeritud paisuga(1.sisseehit kanal 2.induts kanal) (tähistus Gate,Source,Drain üleval) n-kanaliga nool paisust sisse, p-vastupidi. 3pdf 3

Elektroonika → Elektroonika
59 allalaadimist
Elektroonika eksamiks
3
doc

Elektroonika eksamiks

Triiv on kontrollimatu Uvalj muudatus, kui Usis=const. 4. 2NING-EI element (soojuslik on kõige hullem, ka ajaline-elem-d vananevad). Rohi: 1)termostateerimine 5. lihtne DAM 2)termokomp 3)skeemiline termostabilisatsoon 4)M-DM süsteem(sagedusmuundus- 1. Anood-|p|n|-katood. Alaldava siirde tekkimise ting Ge korral p p>>nn Räni korral vastupidi. alalisvooluvõim.) 5)tasakaalustusskeemid. Ventiili ideaal VAK. Pingestamata:siire rohkem n alal. Elektriväli +->-. 0=t*lnp p/pn-pot vahe, p alas allpool joont, kasvab siirde alas 0-ni, t-temp.pot 25mV toatemp. Jdif(p->n)=Jtr(n->p) Pilet 10. voolude tihedused. Päripinge: p-n siirde laiuse vähenemine kõrgeoomilise ala (n) arvelt. Ruum 1. Wien'i sild

Elektroonika → Elektroonika
514 allalaadimist
Elektroonika alused Konspekt
17
docx

Elektroonika alused Konspekt

Suureneb dioodide arv. Tekib vajadus erilise mähisega sekundaar trafo järele. Mida suurem on pulsatsioon seda suurem on tema efektiivväärtus. Alaldid ja stabilisaatorid Alaldamine on protsess, mille käigus muundatakse vahelduvvool alalisvooluks. Vastavaid elektronseadmeid nimetatakse alalditeks. Alaldamise protsess põhineb p-n siirde omadusel juhtida voolu ainult ühes suunas st. päripingestuse korral (vastav elektronseadis on pooljuhtdiood. Alaldeid saab liigitada : · Alaldava elemendi liigi järgi · Voolu liigi järgi · Skeemilise lahenduse järgi Omadused: · Saadud alalisvool (alaldatud vool) on suure pulsatsiooniga · Dioodile mõjub suur pinge · Muudab trafo tööreziimi väheefektiivseks ning suurenevad trafo mõõtmed · Väike pooljuhtdioodide arv · Väike maksumus Ühefaasiline täisperiood alaldi Omadused: · Trafo sekundaarmähis peab olema keskväljavõttega · Dioodidele langeb suur vastupinge · Suurem dioodide arv

Elektroonika → Elektroonika alused
63 allalaadimist
Elektroonika piletid
32
docx

Elektroonika piletid

ühine kollektor (vahelduvsignaali jaoks on maa ja toide samad). Kollektortakisti puudub. Pilet 11 1. Alaldava siirde tekkimise tingimus Alaldava siirde tekkimise tingimus Ge korral pp>>nn Räni korral vastupidi. 2. Väljatransistoride liigitus Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET)

Elektroonika → Elektroonika
76 allalaadimist
Teema 3-Pooljuhtseadmed
46
pdf

Teema 3, Pooljuhtseadmed

Teema 3. Pooljuhtseadised M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk. 23...41): - Pooljuhtdiood, tema ehitus. Alaldava siirde tekkimise tingimus. Protsessid pooljuhtdioodis. Pooljuhtdioodi kasutamisala, põhiparameetrid (lk 23...26). - Bipolaartransistor, tema ehitus, pingestamine, protsessid transistorstruktuuris (27...30). - Ühise baasiga ja ühise emitteriga lülituse karakteristikud (30...32). - Bipolaarne liittransistor (33). - Väljatransistorid (p-n ­ siirdega, isoleeritud paisuga), nende ehitus, tööpõhimõte, tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid)

Elektroonika → Elektroonika alused
105 allalaadimist
Funktsionaalsed materjalid I kontrolltöö vastused
9
pdf

Funktsionaalsed materjalid I kontrolltöö vastused

väline elektriväli sisemisega (joonis 2.16b) ja potentsiaali barjäär kasvab. Enamuslaengukandjad liiguvad üleminekust eemale ja tõkkekihi laius suureneb. Selliselt rakendatud pinget nimetatakse vastupingeks. Siire on ,,suletud", selle suudavad läbida ainult vähemuslaengukandjad. Kuna neid on väga vähe, siis vool läbi p-n siirde on väga väike ja seda nimetatakse vastuvooluks. P-n siirde pinge ­ voolu sõltuvus on toodud joonisel 2.17. Näeme, et p-n siire käitub alaldava kontaktina, st laseb voolu läbi peamiselt ühes suunas. Sellel põhineb pooljuhtdioodide kasutamine alaldina. Peale selle esineb p-n siirdel veel huvitavaid omadusi, mida saab kasutada erineval otstarbel. Näiteks on p-n siirde tõkkekiht sisuliselt kondensaator (positiivselt ja negatiivselt laetud kihid), mille laiust (ja seega mahtuvust) saab reguleerida välise pingega. Selle efekti alusel töötavaid seadiseid nimetatakse varikonideks (muutuva

Informaatika → Funktsionaalsed materjalid
97 allalaadimist


Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun