kaudu. See tähendabki juhtimist VOOLUGA. Mida suurem on baasivool, seda rohkem trans avaneb, järelikult suureneb ka koormuse vool. Väike baasivoolu muutus põhjustab suurt kollektorvoolu muutust -> transistor VÕIMENDAB. Bipolaartransistore annab skeemi ühendada 3-l eri moel: - ühise baasiga lülitus, - ühise emitteriga lülitus, - ühise kollektoriga lülitus. Ühise baasiga lülitus. Omadused: - väike sisendtakistus (30..150), - suur väljundtakistus (0,5M..2M), - vooluvõimendus < 1, - pingevõimendus mõnisada, - sisend ja väljund liiguvad samas taktis (e. faasis). Märkus: saab kasutada näiteks erinevate signaaliallika alalispinge nivoo sobitamiseks järgneva skeemiga, ntx. RS-232-lt üleminek TTL loogikale. Analoogskeemides kasutatakse ntx. kõrg-, ja ülikõrgsagedusvõimendites. Ühise emitteriga lülitus. Omadused: - keskmine sisendtakistus (0,2k..2k), - keskmine väljundtakistus (10k..100k), - vooluvõimendus mõnikümmend..mõnisada,
Väljatransistor+väljatransistor=CMOS Väljundis on alati vool, mis sageli on vaja muuta pingeks. Transistorid toimivad aktiivse skeemielemendina ja võivad signaali toiteallika arvel mõjutada. Ühendamise võimalusi on kolm: 1.Ühise baasiga/paisuga(Uv>Us, faas ei muutu) 2.Ühise emitteriga/lättega (uv>us, iv>is, faasipööre) 3.Ühise kollektoriga/neeluga lüliti Peamised transistorit iseloomustavad parameetrid on: a.) Sisendtakistus (Rs) b.) Vooluvõimendus(iv/is ehk hfe või β (BPT) c.) Pingevõimendus(uv/us ehk Au) d.) Väljundtakistus (Rv) Bipolaarse transistori ehitus: Väli E ainult siirdealas. Korjab vaid siirdealas olevaid laengukandjaid- vähemuslaengukandjate triiv. Vastupingestatud p-n siire. Täiendav päripingega p-n siire. Emitteris on suur difusioonvool. Elektriväli p-n siirdel baasi ja kollektori vahel tõmbab elektronid kollektorisse. Igale konkreetsele baasivoolule vastab kindel võimendatud kollektorvool
·Sisuliselt nagu 2 otsapidi kokku ühendatud dioodi (vt. aseskeemi) ·Baas-emittersiire alati päripingestatud. Pingelang seega 0,6V => väike sisendtakistus · B-K siire vastupingestatud ·Tüüritakse vooluga ·2 erinevat juhtivusetüüpi NPN ja PNP Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 26 Transistori olulised parameetrid ·Ucemax ehk maksimaalne tööpinge ·Ic max ehk maksimaalne töövool ·Kanali takistus (väljatransistoridel) ·Beeta (h21e) ehk vooluvõimendus (sisend- ja väljundvoolude suhe) dünaamiline · B (h21E) sama alalisreziimis ·Piirsagedus kui vooluvõimendus=1 (ÜE lülitus) ·Sügis 2010 korpuse Praktilise elektroonika loeng ja ehituse iseärasused 27 Standardlülitused · Ühise emitteriga (tavaline lülitus) · Ühise baasiga · Ühise kollektoriga (emitterjärgur) Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 28 ÜE lülitus
maandatud), siis nimetatakse neid mõnikord ka maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Joonis 3.14. Bipolaartransistoride kolm lülitusviisi [3]. Tabel 3.2. Bipolaartransistoride kolm lülitusviisi [8]. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 18 Ühise baasiga (ÜB) ühendusviisi puhul saadakse lülitusastmelt pingevõimendus (vooluvõimendus KI < 1). Võimsusvõimendus on suhteliselt väike. Sisendtakistus on väiksem kui teiste lülitusviiside puhul (mõnest mõnekümne oomini), väljundtakistus aga on suurem kui teiste lülitusviiside puhul, mis tekitab probleeme seda tüüpi astmete omavahelisel ühendamisel. Lülituse mittelineaarmoonutus ei ületa mõnd protsenti. Ühise emitteriga (ÜE) ühendusviisi puhul saadakse nii pinge- kui ka vooluvõimendus.
Samal ajal on need takistid rööbiti transistori sisendtakistusega, viimast vähendades. Võimendusaste on signaaliallika ja koormusega sidestatud sidestus- kondensaatorite kaudu. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 11 6.2.3 ÜB-lülituses transistor ÜB- (ühise baasiga) lülitust iseloomustavad madal sisendtakistus ja suur väljundtakistus, väike vooluvõimendus (<1) ja suur pingevõimendus. Sisendsignaal antakse transistori baasile ja väljundsignaal võetakse transistori kollektorilt. Transistori baas peab võimendatava signaali jaoks olema maandatud (vahelduvsignaali jaoks teostub see läbi kondensaatori CB). Lülitus võimendatava signaali faasi ei pööra. ÜB-lülituses transistor on võimeline töötama kõrgematel sagedustel kui ÜE-lülituses transistor, mis transistoride kasutuselevõtu algusaegadel aastatel tingis ÜB-lülituse
valida transistorid või mistahes teised võimeduselemendid sellise piirsagedusega, mis vastavad võimendi poolt esitatavatele nõuetele. Samal ajal tuleb arvestada võimeduselementide parameetrite sõltuvust sagedusest, tööpunkti asukohast, t-st, sisemisest tagasisidest ja skeemilistest iseärasustest; näteks tagasiside kasutamisel. Transistorile esitatavatest nõuetest on esmatähtsad: 1) piirsagedus fp 2) kollektorsiirde mahtuvus 3) suur vooluvõimendus 4) väike kollektorsiirde vastuvool Ik0 E k Astmete vaheline sidestuslüli, mis R1 R k koosneb kondensaatorist ja takistist: R i
vooluvõimendusteguri avaldis: Avaldame väärtuse a kaudu: Saadud valemist näeme, et mida suurem on , seda suuremaks kujuneb ka . 6.3.3. Ühise kollektoriga lülitus. Ühise kollektoriga lülitus pingevõimendust ei arenda. Isis = IB, IVÄLJ = IE, USIS = UBC ja UVÄLJ = UCE Kuna väjundpinge võetakse emitteriahelast ja on väga lähedane sisendpingega, siis nimetatakse teda ka emitterjärguriks. Vooluvõimendus on küllalt suur, kuna emittervool on tunduvalt baasivoolust suurem. Suure vooluvõimenduse tõttu annab lülitus ka võimsusvõimendust. Lülituse eripäraks on suur sisend- ja väike väljundtakistus, mis võimaldab seda kasutada sobitusastmena. Avaldame nüüd ühise kollektoriga lülituse vooluvõimendusteguri: Kuna aga on lähedane ühele, siis analoogiliselt eelmise lülitusega KiC ELEKTROON1KAKOMPONENDID lk. 38 JOONIS 6.7
Ühise kollektoriga lülitus Ühise kollektoriga lülitus pingevõimendust ei arenda. I =I, SIS B I =I, VÄLJ E U = U ja U SIS BC VÄLJ =U CE Kuna väjundpinge võetakse emitteriahelast ja on väga lähedane sisendpingega, siis nimetatakse teda ka emitterjärguriks. Väljundpinge on sisendpingest praktiliselt 0,6 V võrra sisendpingest väiksem. Vooluvõimendus on küllalt suur, kuna emittervool on tunduvalt baasivoolust suurem. Suure vooluvõimenduse tõttu annab lülitus ka võimsusvõimendust. Lülituse eripäraks on suur sisend- ja väike väljundtakistus, mis võimaldab seda kasutada sobitusastmena. JOONIS 4.7 Vooluvõimendustegurid ja on põhilisteks transistori võimendusomadusi iseloomustavateks parameetriteks. h-parameetrite süsteemis = h ja = h . 21B 21E 4.4.4
avaldis: KiE = = Ic/IB 4.4.3. Ühise kollektoriga lülitus Ühise kollektoriga lülitus pingevõimendust ei arenda. ISIS = IB, IVÄLJ = IE, USIS = UBC ja UVÄLJ = UCE Kuna väjundpinge võetakse emitteriahelast ja on väga lähedane sisendpingega, siis nimetatakse teda ka emitterjärguriks. Väljundpinge on sisendpingest praktiliselt 0,6 V võrra sisendpingest väiksem. Vooluvõimendus on küllalt suur, kuna emittervool on tunduvalt baasivoolust suurem. Suure vooluvõimenduse tõttu annab lülitus ka võimsusvõimendust. Lülituse eripäraks on suur sisend- ja väike väljundtakistus, mis võimaldab seda kasutada sobitusastmena. JOONIS 4.7 Vooluvõimendustegurid ja on põhilisteks transistori võimendusomadusi iseloomustavateks parameetriteks. h-parameetrite süsteemis = h21B ja = h21E.
Järgmisel poolperioodil tööreziimid vahetuvad, VT1 suletakse ja VT2 avatakse. Erinevates suundades ja tulemusena induktseeritakse sekundaarmähises ja tarbijas tavaline vahelduv signaal. Taolise lültise kasutegur on kõrge. Üle keskmise .. sest tänu madalale tööpunktile (sulgumise piiril on tarbitav vool väike). Vastastak töötab aint sel juhul kui mõlemad tema õlad on võrdsete omadustega st. transistorid peavad olema võrdsete vooluvõimendus teguritega, ning sisend, ning väljundtrafod peavad olema valmistatud rangelt sümeetriliselt. Helivõimendite korral on võimalik vältida väljundtrafot, kuna standartseks valjuhääldi takistuseks on 8. Selle lähedane on ka transistori väljundtakistus. Ilma väljund trafota vastatab lülituste realiseerimiseks on kaks võimalust. Kas kasutatada kahte toiteallikat, või suuremahtuvuslist kondensaatorit. OPvõimendiks nim. Tavaliselt intergraal lülitusena teostavat universaalset
annaabi.ee 
