Valentstsooni augud liiguvad aga p-kihist sama välja toimel vastassuunas (samaväärne elektronide liikumisega plussklemmi suunas). Sellises päripingestatud lülituses diood juhib voolu. pn-siire vastuvoolu resiimis: Kui vooluallika plussklemm ühendada n-pooljuhi ning miinus p-pooljuhiga, siis n-pooljuhi elektronid tõmbuvad välja toimel positiivse klemmi poole ning p-pooljuhi augud negatiivse klemmi poole, mistõttu pn-siirde läheduses voolukandjaid ei ole ning elektrivool vooluringis puudub- diood on "lukus".
Kristallide ehitus Kristallides on aatomid/ioonid paigutatud kindlas korras, nad moodustavad ruumvõre Metallide kristallides on kristallivõreks seostunud positiivsed ioonid, mille vahel liiguvad peaaegu vabalt kristalliseerumisel vabanenud elektronid. See muudab metallid ka headeks elektrijuhtideks Dielektrikutes, nagu teemant, kvarts ja teflon, jäävad elektronid seotuiks oma aatomitega ja seetõttu pole seal vabu voolukandjaid Pooljuhtide elektrijuhtivus on metallide ja dielektrikute vahepealne, ainult osa aatomeid on ioniseerunud ja loovutanud elektronid kristalli ühisesse leiulainesse Aatom 5 saj e.kr. Demokritos 1907.a. lord Kelvin: aatom on igavesti monoliitne osakene 1672.a. Newton: päikese dispersioonispekter(spekter-viirastus) 19.saj.II pool hõrendatud gaaside joonspektrid 1859.a. Gustav Kirchoff ja Robert Bunsen: spektraalanalüüs-sidusid spektri aatomiga
KRISTALLIDE EHITUS · Kristallides on aatomid/ioonid paigutatud kindlas korras, nad moodustavad ruumvõre. · Metallide kristallides on kristallvõreks seostunud positiivsed ioonid, mille vahel liiguvad peaaegu vabalt kristalliseerumisel vabanenud elektronid. See muudab metallid ka headeks elektrijuhtideks. · Dielektrikutes, nagu teemant, kvarts ja teflon, jäävad elektronid seotuiks oma aatomitega ja seetõttu pole seal vabu voolukandjaid. · Pooljuhtide elekrijuhtivus on metallide ja dielektrikute vahepealne, ainult osa aatomeid on ioniseeritud ja loovutanud elektronid kristalli ühisesse leiulainesse. MOLEKULI EHITUS · Kui kaks või enam aatomit on ühinenud tihedalt seotud koosluseks, siis öeldakse, et need aatomid moodustavad molekuli. · Aatomeid kooshoidev keemiline side jaguneb kovalentseks ja ioonsidemeks. · Kovakentne side moodustub siis, kui molekuli koosseisu kuuluvate aatomite üks või
kahekihilise pooljuhi. Nende ühinesmiskiht ongi pn-siire. 15. Kuidas tekib pn-siirdel vahelduvvoolu alaldav tõkkekiht? Lk 65 P-poolmes on palju auke, n-poolmes elektrone. Voolukandjate tiheduste erinevus hakkab läbi siirde tasanduma: augud valguvad n-poolmesse ja elektronid p- poolmesse. Siirdealas jäävad p-poolmesse neg. aktseptorioonid ja n-poolmesse jäävad pos. doonorioonid. Selle kakskihi elektriväli hakkab ülevalguvaid voolukandjaid tagasi tõrjuma, kuni on saavutatud tsasakaaluseisund tekkimud ongi tõkkekiht. 16. Millise polaarsusega pinget dioodil nimetatakse päripingeks, millist vastupingeks? Lk 65 Päripinge-positiivnset pinge, vastupinge-negatiivset pinget 17. Nimeta aladite rakendusalasid. Lk 66 Raadio, televiisor, arvuti 18. Mida tekitab valgusdiood? Lk 66 Kui valgusdioode läbib pärivool, hakkavad need valgust kiirgama: siirdealas kohtuvad elektronid ja augud taasühinevad rekombineeruvad 19
(kanal on juba tehases valmistatud, selle suurust reguleeritakse pingega) Kanal on juba sisseehitatud, kuid paisupinge abil vaid laiendame või ahendame seda kanalit. Pinged on juba sobivad arvutites 1.12. Mis on JFET (pn-siirdega väljatransistor) JFET'i on harva vaja. See on alati vastupingestatud.Neid teatakse ka kui isoleerimata paisuga väljatransistorid. Seal on paisu ja juhtiva kanali vahel vaesunud ala, kus on vähe voolukandjaid. Mida kõrgem on vastupinge pn- 6 siirdel seda laiem on vaesunud ala. Mida laiem on vaesunud ala, seda kitsam on kanal ja seda väiksem vool läbi voolab. 1.13. Mis on türistor? Vahendid voolu sisse-väljalülitamiseks, kasutusel jõuelektroonikas (energeetikas). Vool katkeb toitepinge mahavõtmisel.Keskmine np-siire vastupingel on ~0,7V. Joonisel on trinistor. Kui midagi juurde mõelda same
3. mitteinverteeriv võimendi OV põhjal 4. MS-struktuur 5. Dekooder Pilet 2. 1. Bipolaarne transistor 2. Millal on vaja kasutada positiivset tagasisidet? 3. Schmitt i trigger OV baasil 4. K-MOP loogika 5. Multiplekser 1. Juhtimine vooluga. Kasutusel mõlema märgiga laengukandjad; 3-kihiline 2x pn siire. pnp(augud)-nool emitterist sisse npn(el-d)-nool välja. Otstarve:reguleerida Usis või Isis-ga läbivoolu. Kirchoff: Ie=Ik+Ib.ibik/100 BPT-l kolmekihiline struktuur, emitter saadab voolukandjaid, kollektor kogub, baas reguleerib. Planetaartehnoloogia K(n), selle sees B(p) kanal, mille sees E(n) kanal. baasi paksus 1um. Võimendus võimsuse järgi, mitte voolu. PNP trans pingestamata nagu 2 dioodi: baasi kohal pot 0, dün tasakaal: p-n siirdeid läbivad Jdif=Jtr. =IEp/IE-injektsiooni tegur 0,995. El-de rekomb tulevad baasiahelast ja moodustavad baasivoolu. Välispingete eesmärk tagada transiitne laengukandjate voog. Vooluülekandetegur =IKp/IE=
kirjutati sisse kõikjale (näiteks) 1-d.Nullid tuleb sisse pnp(augud)-nool emitterist sisse npn(el-d)-nool välja. Otstarve:reguleerida Usis või Isis-ga programmeerida liigsed dioodid või transistorid kõrvaldada. Kõrvaldamine tähendab dioodi läbivoolu. Kirchoff: Ie=Ik+Ib.ibik/100 BPT-l kolmekihiline struktuur, emitter saadab ühenduse läbipõletamist. Vooluimpulsiga mittevajalikud dioodid lülitatakse välja aurustatakse voolukandjaid, kollektor kogub, baas reguleerib. Planetaartehnoloogia K(n), selle sees B(p) kanal, juhtmelõik. Seda tehakse programmaatori abil. mille sees E(n) kanal. baasi paksus 1um. Võimendus võimsuse järgi, mitte voolu. PNP trans 5. suur impedants. Teada, et dig.elektroonika seadmel võib olla kaks olekut 1 ja 0. Kolmandaks pingestamata nagu 2 dioodi: baasi kohal pot 0, dün tasakaal: p-n siirdeid läbivad Jdif=Jtr. =IEp/IE- olekuks on HiZ (ehk float state)
"superbeta" h21D = 500... 33 Väljatransistorid (unipolaarsed), FET Väljatransistoris liiguvad ühenimelised laengukandjad kanalis, mille juhtivus muudetakse elektrivälja abil. Väljatransistorid: p-n siirdega, isoleeritud paisuga. Pais, Gate, , Lätte, Source, , Neel, Drane, Mida laiem vaesunud ala, seda kitsam kanal, seda väiksem vool voolab läbi kanali. Vaesunud alas on vähe voolukandjaid. p-n siirdega väljatransistor. p-n siire on alati vastupingestatud! 34 Mida kõrgem vastupinge p-n siirdel, seda laiem on vaesunud ala. 35 Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOP- transistorid). Formeerkanaliga (sisseehitatud kanal) Indutseerkanaliga Formeerkanaliga MOP- transistor RSIS 1012 1014 Ohm. Isolaator SiO2
annaabi.ee 
