. Amorfseid materjale saab valmistada kiirel jahutamisel (klaasi tootmine). Amorfsete materjalide hulgas eristatakse nn klaasitaolisi materjale. Neil on tahke (klaasitaolise) oleku ja vedela (voolava) oleku vahel nn viskoelastne olek. Siia kuuluvad paljud polümeerid. Metallid kristalsed. Keraamilised materjalid suurem osa kristalsed. Polümeerid suurem osa amorfsed. 2.Difusiooni mehhanismid. Aatomid on kristallis pidevas vibratsioonliikumises. Energia fluktuatsioonide tõttu võib mõni aatom omandada energia, mis ületab keskmise energia sedavõrd, et aatom saab võres liikuda. Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama nimetatakse difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergiat, on difusiooni mõttes aktiivsed. Nende kontsent-ratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: n = N xC x exp(- E*/kT) kus N aatomite üldine
Enne optilise mikroskoobiga vaatamist tehakse dislokatsioonide väljumiskohad kristalli pinnal nähtavaks söövitamisega keemiliste reagentide abil. Kkuna dislokatsioonid omavad lisaenergiat, siis toimub seal kritalli lahustumine kiiremini ja tekivad söövitussüvendid. Süvendite kuju järgi saab määrata välispinna tasapinna tüüpi. Dislokatsioonid ei ole tasakaalulised defektid. 3. Difusiooni mehhanismid Aatomid on kritallis pidevas vibratsioonliikumises. Energia fluktuatsioonide tõttu võib mõni aatom omandada energia, mis ületab keskmise energia sedavõrd, et aatom saab võres liikuda. Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama nim difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergia, on difusiooni mõttes aktiivsed. Aatomi liikumiseks kritallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1)kõrval peab olema tühi koht, kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne.
Amorfseid materjale saab valmistada kiirel jahutamisel (klaasi tootmine). Amorfsete materjalide hulgas eristatakse nn klaasitaolisi materjale. Neil on tahke (klaasitaolise)oleku ja vedela (voolava) oleku vahel nn viskoelastne olek. Siia kuuluvad paljud polümeerid. Metallid kristalsed. Keraamilised materjalid suurem osa kristalsed. Polümeerid suurem osa amorfsed. 2. Difusiooni mehhanismid (4.1) Aatomid on kristallis pidevas vibratsioonliikumises. Energia fluktuatsioonide tõttu võib mõni aatom omandada energia, mis ületab keskmise energia sedavõrd, et aatom saab võres liikuda. Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama (vajalikku lisaenergiat) nimetatakse difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergiat, on difusiooni mõttes aktiivsed. Nende kontsentratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: kus N aatomite üldine kontsentratsioon; C mingi konstant;
Amorfseid materjale saab valmistada kiirel jahutamisel (klaasi tootmine). Amorfsete materjalide hulgas eristatakse nn klaasitaolisi materjale. Neil on tahke (klaasitaolise)oleku ja vedela (voolava) oleku vahel nn viskoelastne olek. Siia kuuluvad paljud polümeerid. Metallid kristalsed. Keraamilised materjalid suurem osa kristalsed. Polümeerid suurem osa amorfsed. 2. Difusiooni mehhanismid (4.1) Aatomid on kristallis pidevas vibratsioonliikumises. Energia fluktuatsioonide tõttu võib mõni aatom omandada energia, mis ületab keskmise energia sedavõrd, et aatom saab võres liikuda. Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama (vajalikku lisaenergiat) nimetatakse difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergiat, on difusiooni mõttes aktiivsed. Nende kontsentratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: kus N aatomite üldine kontsentratsioon; C mingi konstant;
pinnal nähtavaks söövitamisega keemiliste reagentide abil. Kuna dislokatsioonid omavad lisaenergiat (vabad sidemed), siis toimub seal kristalli lahustumine kiiremini ja tekivad söövitussüvendid (joon 3-9). Süvendite kuju järgi saab määrata välispinna tasapinna tüüpi. Dislokatsioonid ei ole tasakaalulised defektid. Põhimõtteliselt saab valmistada dislokatsioonivabu kristalle. 3. Difusiooni mehhanismid. Aatomid on kristallis pidevas vibratsioonliikumises. Energia fluktuatsioonide tõttu võib mõni aatom omandada energia, mis ületab keskmise energia sedavõrd, et aatom saab võres liikuda. Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama (vajalikku lisaenergiat) nimetatakse difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergiat, on difusiooni mõttes aktiivsed. Nende kontsentratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: (4.1) kus N aatomite üldine kontsentratsioon; C mingi konstant;
struktuur. Amorfseid materjale saab valmistada kiirel jahutamisel (klaasi tootmine). Amorfsete materjalide hulgas eristatakse nn klaasitaolisi materjale. Neil on tahke (klaasitaolise) oleku ja vedela (voolava) oleku vahel nn viskoelastne olek. Siia kuuluvad paljud polümeerid. Metallid kristalsed. Keraamilised materjalid suurem osa kristalsed. Polümeerid suurem osa amorfsed. 2. Difusiooni mehhanismid (4.1) Aatomid on kristallis pidevas vibratsioonliikumises. Energia fluktuatsioonide tõttu võib mõni aatom omandada energia, mis ületab keskmise energia sedavõrd, et aatom saab võres liikuda. Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama (vajalikku lisaenergiat) nimetatakse difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergiat, on difusiooni mõttes aktiivsed. Nende kontsentratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: n = N C exp(- E*/kT) kus N aatomite üldine kontsentratsioon;
kohta. Nagu märkasite on Boltzmanni poolt tuletatud valem enda olemuselt analoogne Arheniuse poolt tuletatud valemiga, mis väljendab keemiliste reaktsioonide temperatuursõltuvust. Valemite sarnasus on lihtsalt seletatav, sest mõlema protsessi toimumiseks on vajalikud aatomid, mille energia ületab mingi väärtuse võrra osakeste keskmise energia. 6.2. Aatomdifusioon tahketes materjalides (joonis 4.8). Tahketes kehades aatomid on pidevas termilises vibratsioonliikumises. Energia fluktuatsioonide tõttu tekib võimalus, et aatomi energia ületab difusiooni aktivatsioonienergia ja tekib tõenäosus, et aatom võib liikuda võres. Et aatom liiguks võres, peavad olema täidetud 2 tingimust (joonis 4.8): · aatomi kõrval peab olema tühi koht (vakants) võres, kuhu aatom võiks asetuda; · aatomi energia peab olema küllaldane, et lõhkuda sidemed enda kõrval asuvate