22. Kuidas väljendub difusiooni temperatuursõltuvus? 23. Mis on aktivatsiooni energia? Energia hulka, mida aatomid peavad omama üle kõigi aatomite keskmise energia nimetatakse aktivisatsioonienergiaks E* 24. Millised on aatomdifusiooni mehhanismid tahketes kehades? vakantsmehhanism ja võrevaheline mehhanism. 25. Kirjelda difusiooni vakantsmehhanismi? Aatomid võivad liikuda kristallvõres ühest sõlmest teise, kui nad omavad termilise vibratsioonliikumise tõttu küllaldaselt energiat ja kui sel suurema energia omamise hetkel on nende kõrval tühi võresõlm (vakants), kuhu nad võivad asuda 26. Miks difusioon vakantsmehhanismil on väga temperatuuritundlik? temperatuuri tõstmine suurendab nii vakantside kontsentratsiooni kui ka aatomite vibratsioonliikumise energiat, siis on difusioonikiirus väga temperatuuritundlik. 27. 28. Kirjelda difusiooni võrevahelist mehhanismi? Võrevahelised difusioonil liiguvad aatomid
ioonide arv mis ümbritsevad vaiksemat nii, et need on väiksemaga otseses kontaktis. 5. Mis määrab ära vee kõrge keemispunkti? Vee keemispunkti määrab ära vesiniksideme tugevus. 6. Pakkefaktori väärtus PTK rakus? 74% 7. Loetle vôimalikud punktdefektid? Tasakaalustatud vakantsid, mittetasakaalustatud vakantsid, võrevahelised defektid. 8. Kuidas väljendub difusiooni temperatuursõltuvus? Temperatuuri tõstmine suurendab nii vakantside konsentratsiooni kui ka aatomite vibratsioonliikumise energiat, siis on difusioonikiirus väga temperatuuritundlik. 9. Miks metallid on väga head elekirijuhid? Sest neil on suur hulk vabu elektrone. 10. Snelli seadus valguse murdumisele? Snelli seadus seob valguse murdumisnäitajad ja langemis ja murdumisnurgad kahes keskkonnas. nInl=sinxl/sinx 11. Defineerige lahus. Koosneb lahustist (näiteks vesi) ja selles lahustunud ainest; lahuseks nim teatud piirides pidevalt muutuva koostisega faasi (homogeensest süsteemiosa)
nii, et need on väiksemaga otseses kontaktis. 5.Mis määrab ära vee kõrge keemispunkti? Vee keemispunkti määrab ära vesiniksideme tugevus. 6.Pakkefaktori väärtus PTK rakus? 74% 7.Loetle võimalikud punktdefektid? Tasakaalustatud vakantsid, mittetasakaalustatud vakantsid, võrevahelised dfektid. 8.Kuidas väljendub difusiooni temperatuursõltuvus? Temp tõstmine suurendab nii vkantside konsentratsiooni kui ka aatomite vibratsioonliikumise energiat, siis on difusioonikiirus väga temperatuuritundlik(?) 9.Miks metallid on väga head elektrijuhid? Sest neil on suur hulk vabu elektrone. 10.Snelli seadus valguse murdumisele? Snelli seadus seob valguse murdumisnäitajaid ja langemis ja murdumisnurgad kahes keskkonnas. n/n1=sinx1/sinx 11.Defineerige lahus. 12.Kuidas määrata faaside koostist olekudiagrammist. 14 1.Komposiitmaterjalide kujundamise alused? Komposiitmaterjalid on kujundatud nii, et nad lõpptulemusena omavad mõlema
aatomitega ja ületada mõningane võremoonutus, mis on seotud selle asukoha vahetusega. Aatomite arv, mille energia vastab sellele tingimustele, suureneb temperatuuri tõstmisel. On kaks põhimehhanismi, mida mööda liiguvad aatomid kristallvõres: vakantsmehhanism ja võrevaheline mehhanism. 6.3. Difusiooni vakantsmehhanism. Aatomid võivad liikuda kristallvõres ühest sõlmest teise, kui nad omavad termilise vibratsioonliikumise tõttu küllaldaselt energiat ja kui sel suurema energia omamise hetkel on nende kõrval tühi võresõlm (vakants), kuhu nad võivad asuda (joonis 4.9, 4.10). Vakantsid tahkes kehas on tasakaalulised defektid, s.t. alati on olemas mõned vakantsed kohad, kuhu kõrvalolev aatom võiks difundeeruda. Et temperatuuri tõstmine suurendab nii vakantside 51
annaabi.ee 
