Dramaturgi vanaisa Richard elas Stratfordi lähedal. Oli talumees ning suri 1560.-60. aastal talvel. Varanduse pärijaks oli ametlikult maakonnast lahkunud John Shakespeare. Esimesed teated tema asumisest Stratfordi pärinevad 1552. Aastast. 1557. Aastal abiellus John Mary Ardeniga. Samal aastal tõusis ta silmapaistvate linnakodanike hulka. 1568 sai temast tänapäevases mõttes linnapea. Teadmata põhjustel sattus võlgadesse ega tahtnud isegi enam kirikusse ilmuda. Arvatavasti vaesustus ta täiesti. Peres oli kokku 8 last, kellest kolm surid juba lapsepõlves. William Shakespeare oli pere kolmas laps. Shakespeare õppis Stratfordi grammatikakoolis. Põhirõhk oli ladina keelele. Tolleaegse õpetuse omapäraks oli ka talumatu tundub kümnete ja sadade lk'de päheõppimine, sest raamatud olid haruldased ja kallid. Siit võivad pärit olla ka Shakespeare'i hilisemates teostes esinevad tsitaadid. 1582 abiellus Shakespeare Anne Hathaway'ga. Naine oli pärit rikkast perest. 1583.a
need võiksid hakata mõjutama paisu potentsiaali. sis Takistus RG jääb paralleelselt sisendklemmidega ja ta määrab astme sisendtakistuse. Praktiliselt valitakse see takistus kusagil 10 M ringis tagades piisavalt suure sisendtakistuse ja samal ajal ka vaba pääsu elektronidele paisult maha. F-MOS transistor (indutseerkanaliga väljatransistor) võib teatavasti töötada mõlema polaarsusega sisendpingega st. nii vaesustus, kui rikastusreziimis ja sellest tulenevalt kasutatakse mõnikord ka nulleelpinget (joon.1.20) mis on samuti võimalik, positiivset eelpinget ei kasutata, kuna selline reziim on ebaökonoomne. ID +E R
märgatavalt ei sõltu ning päripinge korral tekkib arvestatav paisuvool, mis on ebasoovitav. [vaata | 15. Väljatranss (MOSFET, MOP-trans). muuda] Kanali voolu tüürimine isoleeritud paisu elektriväljaga. Akanlivoolu sõltuvus paisu pingest vaesustus- (depletion) ja rikastusrezhiimis (enhancement) töötavas transis. Väljatransside skeemisümbolid. Alalisrezhiimi seadmine väljatransiga võimendusastmes, ühise lättega võimendusastmete skeemid. MOSFET (Metal Oxice Semiconductor Field Effect Transistor) ehk MOP väljatransistor (Metall Oksiid Pooljuht) on selline, kus paisuks on metallplaat, mis on oksiidikihiga isoleeritud pooljuhist, seega paisuvoolu ei eksisteeri. Sellisesse transi
need võiksid hakata mõjutama paisu potentsiaali. 69 Takistus R jääb paralleelselt sisendklemmidega ja ta määrab astme sisendtakistuse. G Praktiliselt valitakse see takistus kusagil 10 M ringis tagades piisavalt suure sisendtakistuse ja samal ajal ka vaba pääsu elektronidele paisult maha. F-MOS transistor (formeerkanaliga väljatransistor) võib teatavasti töötada mõlema polaarsusega sisendpingega st. nii vaesustus, kui rikastusreziimis ja sellest tulenevalt kasutatakse mõnikord ka nulleelpinget (joon.5.10.) mis on samuti võimalik, positiivset eelpinget praktiliselt ei kasutata, kuna selline reziim on ebaökonoomne. A UGS ID Usis RD +E VT RG E JOONIS 5.10 I-MOS transistoridel (indutseerkanaliga väljatransistoridel), mille võimalik tööreziim on ainult rikastusreziimis, on vaja anda paisule sobiva suurusega positiivne eelpinge ja
võimaldades samal ajal sinna kogunenud laengute pääsu maha enne kui need võiksid hakata mõjutama paisu potentsiaali. Takistus RG jääb paralleelselt sisendklemmidega ja ta määrab astme sisendtakistuse. Praktiliselt valitakse see takistus kusagil 10 M ringis tagades piisavalt suure sisendtakistuse ja samal ajal ka vaba pääsu elektronidele paisult maha. F-MOS transistor (formeerkanaliga väljatransistor) võib teatavasti töötada mõlema polaarsusega sisendpingega st. nii vaesustus, kui rikastusreziimis ja sellest tulenevalt kasutatakse mõnikord ka nulleelpinget (joon.5.10.) mis on samuti võimalik, positiivset eelpinget praktiliselt ei kasutata, kuna selline reziim on ebaökonoomne. I D +E RD A
annaabi.ee 
