Rambus DRAM multibank DRAM + liideslülitus, edastab infot nii eis kui tagafrondist, kiire Content Adressable Memory, CAM assotsiatiivmälu Double Data Rate DRAM edastab infot nii esi kui tagafrondist SIMM 72 klemmi DIMM 168 klemmi PÕHIMÄLU 23. Püsimälud: Maskiga programmeeritav ROM Progtammeeritav ROM fuse-maatriks tehnoloogia Kustutatav püsimälu Erasable ROM transistoris ujuvpais, mis ei lase laengul välja imbuda. Kustutatakse UV-kiirgusega ujuvpaisul olev laeng hajub Mälu jaotatakse moodulitesse, millest lugemiseks tuleb aktiveerida vastav ChipSelect sisend. Vastavalt CPUs töödeldavate mälusõnade järkudele ehitatakse andmesiinid ja mälu sõnalaiused. BIOS, mikroprogrammid 24. Magnetmälud: Mittemagneetuval alusel magneentuv substants, mille kohal liigub vooluga mähis, milles kitsas pilu. Pilust väljuv magnetväli pöörab magneetuva substantsi doomenid vastavalt voolu suunale. Lugemisel kasutatakse magnetilist
Rambus DRAM multibank DRAM + liideslülitus, edastab infot nii eis kui tagafrondist, kiire Content Adressable Memory, CAM assotsiatiivmälu Double Data Rate DRAM edastab infot nii esi kui tagafrondist SIMM 72 klemmi DIMM 168 klemmi PÕHIMÄLU 23. Püsimälud: Maskiga programmeeritav ROM Progtammeeritav ROM fuse-maatriks tehnoloogia Kustutatav püsimälu Erasable ROM transistoris ujuvpais, mis ei lase laengul välja imbuda. Kustutatakse UV-kiirgusega ujuvpaisul olev laeng hajub Mälu jaotatakse moodulitesse, millest lugemiseks tuleb aktiveerida vastav ChipSelect sisend. Vastavalt CPUs töödeldavate mälusõnade järkudele ehitatakse andmesiinid ja mälu sõnalaiused. BIOS, mikroprogrammid 24. Magnetmälud: Mittemagneetuval alusel magneentuv substants, mille kohal liigub vooluga mähis, milles kitsas pilu. Pilust väljuv magnetväli pöörab magneetuva substantsi doomenid vastavalt voolu suunale. Lugemisel kasutatakse magnetilist
Ühenduse tekitamiseks antakse juhtmele kõrgendatud pinge, mille tulemusena dioodi VD2 pn-siire lüüakse elektriliselt läbi ning rõht- ja püstjuhtmete vahel tekib dioodi VDl kaudu ühendus. Mõlemal juhul on tegemist ühekordselt programmeeritavate maatriksitega, sest ühenduselementide taastamine pole võimalik. 14.2 Ümberprogrameeritavad maatriksid Ümberprogrammeeritavates maatriksites kasutatakse ühenduselemendina ujuvpaisuga MOS-transistore (joonis c). Ujuvpaisul elektriline ühendus puudub ning see on ette nähtud laengu säilitamiseks. Transistori pais on ühendatud rõhtjuhtmega, suue püstjuhtmega ning läte toiteallika miinusklemmiga. Lähteolekus läbib paisu ergastamisel transistori vool. Programmeerimisel antakse püstjuhtmele 25...50 V pingeimpulss, mille tulemusena ujuvpais saab negatiivse laengu. Ujuvpais säilitab laengu ning transistori avamiseks tuleb paisule anda tavalisest märksa kõrgemat pinget
Ühenduse tekitamiseks antakse juhtmele kõrgendatud pinge, mille tulemusena dioodi VD2 pn-siire lüüakse elektriliselt läbi ning rõht- ja püstjuhtmete vahel tekib dioodi VDl kaudu ühendus. Mõlemal juhul on tegemist ühekordselt programmeeritavate maatriksitega, sest ühenduselementide taastamine pole võimalik. 1.4.2. Ümberprogrammeeritavad maatriksid Ümberprogrammeeritavates maatriksites kasutatakse ühenduselemendina ujuvpaisuga MOS-transistore (joonis 1.23, c). Ujuvpaisul elektriline ühendus puudub ning see on ette nähtud laengu säilitamiseks. Transistori pais on ühendatud rõhtjuhtmega, suue püstjuhtmega ning läte toiteallika miinusklemmiga. Lähteolekus läbib paisu ergastamisel transistori vool. Programmeerimisel antakse püstjuhtmele 25...50 V pingeimpulss, mille tulemusena ujuvpais saab negatiivse laengu. Ujuvpais säilitab laengu ning transistori avamiseks tuleb paisule anda tavalisest märksa kõrgemat pinget
annaabi.ee 
