elektronkonfiguratsiooni. 5.Mis on kristalliline materjal? Materjal kus võrepunktide kogumik mingi võrepunkti ümber on idente võrepunktide kogumikuga kristallvõre igas teises kohas. 6.Ekvivalentne aatomite arv HTP? 6 7.Kas on võimalik materjalides ideaalne korrapära ja millistel tingimustel? On, ainult siis kui T=0K 8.Kuidas difusiooni kiirus sõltub temperatuurist? Temp tõstmine viib difusiooniprotsessi kiirenemisele. 9.Neli võimalikku tsoonistruktuuri materjalides? Kaks tsoonistruktuuri metallidele, üks isolaatoritele ja teine pooljuhtidele. 10.Millega on määratud valguse kiirus vaakumis? On määratud vaakumi elektrilise ja magnetilise läbitavusega vastavalt võrrandile:C=1/sqrt(eps*mikr) kus mikr- magnetiline läbitavus ja eps- elektriline läbitavus. 11.Kui suur on süsteemi vabadusastmete arv ühefaasilises alas? 12.Analüüsi puhta aine faasidiagrammi? 11 1.Metallide üldiseloomustus?
elektronkonfiguratsiooni. 5.Mis on kristalliline materjal?Materjal kus võrepunktide kogumik mingi võrepunkti umber on identne võrepunktide kogumikuga kristallvõre igas teises kohas. 6.Ekvivalentne aatomite arv HTP?6.HTP on ekvivalentne 6 aatomilisele rakule. 7.Kas on võimalik materjalides ideaalne korraparaja millistel tingimustel? On, ainult siis kui T=0 K 8.Kuidas difusiooni kiirus sõltub temperatuurist? Temp. tõstmine viib difusiooniprotsessi kiirenemisele, 9.Neli võimalikku tsoonistruktuuri materjalides?Kaks tsoonistruktuuri metallidele, uks isolaatoritele ja teine pooljuhtidele. 10.Millega on määratud valguse kiirus vaakumis? On määratud vaakumi elektrilise ja magnetilise läbitavusega vastavalt võrrandile:C= kus i- magnetiline läbivus ja - elektriline läbitavus. 11.Kui suur on süsteemi vabadusastmete arv ühefaasilises alas? v= 3-f(faaside arv); maksimaalselt saab tasakaalus olla 3 faasi!; n=2; 2-faasiline on v=1, 3-faasiline v=0, 1-faailine v=2 12
5. Millised on laengukandjad ioonilises materjalides? Laetud ioonid 6. Miks tekivad tahke aine moodustumisel energiatsoonid? viies aatomid üksteise lähedusse, nii et toimub korrastatud kristallstruktuuri teke siis aatomite elektronide ja tuumade vahel algab koosmõju. Koosmõju tulemusena N aatomi elektronnivood jagunevad N üksteise ligidal paiknevaks elektronnivooks, mis moodustavad kogumiku (energiatsooni) 7. Materjalide neli võimalikku tsoonistruktuuri? 8. Millised on metallide tsoonistruktuurid? 1) täis valentstsoon ja normaalolekus tühi juhtivustsoon osaliselt kattuvad, 2) valentstsoon vaid osaliselt täidetud elektronidega 9. Milline tsoonistruktuur vastab pooljuhtidele ja isolaatoritele? olekud valentstsoonis on täidetud ja puudub kattumine valents- ja juhtivustsooni vahel. Valents ja juhtivustsoon on eraldatud teineteisest nn. keelatud tsooniga. . 10. Miks metallid on väga head elektrijuhid
On võimalik, et osa tsoone on tühjad või täidetud vaid osaliselt. Materjali elektrilised omadused on otseselt määratud tema tsoonistruktuuriga, s.o. kuidas paiknevad tema energiatsoonid ja mil määral on nad täidetud. Tsooni, kus paiknevad kõrgeima energiaga ehk valentselektronid, nimetatakse tavaliselt valentstsooniks. Järgmist lubatud, tavaliselt tühja, energiatsooni nimetatakse juhtivustsooniks. O K juures on võimalik neli erinevat tsoonistruktuuri (joon. 7.20). Joonis 7.20a juhul on valentstsoon vaid osaliselt täidetud elektronidega. Energiat, mis vastab kõrgemale täidetud olekule temperatuuril O K nimetatakse Fermi nivooks E f . Antud tsooniskeem on tüüpiline metallidele, mis omavad ühe s valentselektroni (Cu). Iga vase aatom omab ühe 4 s elektroni. Kui tahke aine sisaldab N aatomit, siis 4s tsoon on võimeline mahutama 2N elektroni. Seega vaid pooled lubatud elektroninivoodest on 4s valentstsoonis täidetud.
annaabi.ee 
