Järelikult va=kap(1- ), kus ka on aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. muutusi. - nähtav staadium, milles muutused on juba silmaga tõuseb toru kaudu üles ning väljub trumlist. Seda meetodit saab võrdetegur. Üheaegselt A-ga kulgeb ka adsorbendi pinnalt Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki A. nähtavad. Schulze-Hardy reegel: koaguleerivat toimet omab kasutada suhteliselt suurte osakeste eemaldamiseks. b) filtreerimine - adsorbeerunud aine desorptsioon, mille kiirus on võrdeline Adsordbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tavaliselt see ioon, milline on laengult vastasmärgiline Filtreerimine läbi paberi, riide, traatfiltri
gaasimullike). Henry isoterm ca=kc, 1 mooli jaoks c=1/V ja c=p/RT. Madala gaasi rõhu korral võime adsorbeerunud aine pindc-i asendada pindliiaga : ca=k*p/RT=Kp. Langmuiri adsorptsiooniisoterm: A on vaadeldav keemilise r-ni analoogina. A-i põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. A lõpeb monomolekulaarse kihi moodustamisega (piiriline A (m)); tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki A. Adsordbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. A-unud osakeste vastastikune toime adsorbses kihis puudub. Freundlichi adsorbtsiooniisoterm: piirkonnas b kirjeldab A-i =kp1/n Logaritmime: log =log k + 1/n*log p. Polümolekulaarne adsorptsioon: A on mitmekihiline, adsorbaadi esimene kiht tekib adsorbendi pinnale van der Waals'i jõudude toimel adsorbaadi ja adsorbendi vahel. Järgmised kihid tekivad auru molekulide kondensatsiooni tõttu
pindaktiivsus kasvab 3 3,5 korda süsivesinikradikaali pikenemisel ühe CH2 - rühma võrra. Langmuiri teooria. Ta lähtus eeldustest: 1. Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. Adsorptsioon lõpeb monomolekulaarse kihi moodustamisega. Viimast iseloomustab piiriline adsorptsioon m. 2. Tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki adsorptsioon. Adsorbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. 3. Adsorbeerunud osakeste vastastikune toime adsorbses kihis puudub. Elektrilised omadused Elektrilise kaksikkihi tugevus kolloidosakese pinnal tagab kolloidosakesele tema püsivuse. Üldine reegel: tuuma pinnale adsorbeeruvad eelistatult need ioonid, millised on võimelised asetuma tuuma kristallvõresse (sugulasioonid).Seda
Langmuir esitas 1917.a. monomolekulaarse adsorptsiooni teooria. Ta lähtus järgmistest eeldustest: 1. Adsorptsioon on vaadeldav keemilise reaktsiooni analoogina. Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. Adsorptsioon lõpeb monomolekulaarse kihi moodustamisega. Viimast iseloomustab piiriline adsorptsioon m. 2. Tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki adsorptsioon. Adsorbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. 3. Adsorbeerunud osakeste vastastikune toime adsorbses kihis puudub. 6 Langmuiri võrrand Konstandi füüsikaline sisu ??? 4. Mille poolest erinevad Langmuiri ja Henry adsorptsioonikonstandid ja milline on nendevaheline seos? Langmuir: 5. Kuidas leitakse Langmuiri võrrandi konstante? Milliseid termodünaamilisi ja geomeetrilisi
ca= k=Kp Langmuir esitas 1917.a. monomolekulaarse adsorptsiooni teooria. Ta lähtus järgmistest eeldustest: 1.Adsorptsioon on vaadeldav keemilise reaktsiooni analoogina. Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. Adsorptsioon lõpeb mono- molekulaarse kihi moodustamisega. Viimast iseloomustab piiriline adsorptsioon m. 2.Tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki adsorptsioon. Adsorbaadi molekul võibnendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. 3.Adsorbeerunud osakeste vastastikune toime adsorbseskihis puudub. Adsorptsiooni isotermide uurimisel leiti, et ainult mõned neist vastavad
Hüdrooobne materiaal on väga raske dispergeerida(kehv märgumine). Pulber lihtsalt ujub vedeliku pinnal. Surfaktandi hüdrofoobne osa adsorbeerub osakese hüdrofoobse pinnale, aga polaarne osa on suunatud vedela keskonnale. Gaaside adsorptsioon tahketel ainetel *Langmuiri teooria: gaasi molekulid või aatomid adsorbeerivad tahke ainele monomolekulaarse kihi moodustamisega. *Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. *Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimub adsorptsioon. *Adsorbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. *Polümolekulaarne adsorptsioon (adsorptsioon on mitmekihiline): -Adsorbaadi esimene kiht tekib adsorbendi pinnale van der Waalsi jõudude toimel adsorbaadi ja adsorbendi vahel. -Järgmised kihid tekivad auru molekulide kondensatsiooni tõttu. Kui esimene kiht pole veel täidetud, siis on võimalik ka järgmiste kihtide ülesehitamine Adsorptsioon lahustest
Hüdrooobne materiaal on väga raske dispergeerida(kehv märgumine). Pulber lihtsalt ujub vedeliku pinnal. Surfaktandi hüdrofoobne osa adsorbeerub osakese hüdrofoobse pinnale, aga polaarne osa on suunatud vedela keskonnale. Gaaside adsorptsioon tahketel ainetel *Langmuiri teooria: gaasi molekulid või aatomid adsorbeerivad tahke ainele monomolekulaarse kihi moodustamisega. *Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. *Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimub adsorptsioon. *Adsorbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. *Polümolekulaarne adsorptsioon (adsorptsioon on mitmekihiline): -Adsorbaadi esimene kiht tekib adsorbendi pinnale van der Waalsi jõudude toimel adsorbaadi ja adsorbendi vahel. -Järgmised kihid tekivad auru molekulide kondensatsiooni tõttu. Kui esimene kiht pole veel täidetud, siis on võimalik ka järgmiste kihtide ülesehitamine Adsorptsioon lahustest
annaabi.ee 
