Olgu väljund algul positiivse väärtusega. Kui nüüd sisendsignaal kasvab ja saavutab võrdluspingest suurema väärtuse, siis toimub väljundi ümberlülitamine. Seetõttu muutub ka võrdlussignaali märk ja isegi kui sisendsignaal muutub esialgsest võrdlussignaalist väiksemaks, on uus võrdlussignaal piisavalt erinev, nii et ümberlülitamist ei toiu. 4. K-MOP loogika Komplementaarsete MOP transistoridega loogikalülitused. KMOP loogika kasutab kõrgendatud režiimis MOSFET-e transistoridena ja põhineb täiendavate MOP transistoride kasutamisel, et realiseerida loogikafunktsioone ilma, et elektrivoolu üldse tarvis oleks. 5. Multiplekser Multiplekser on kommutaator, millel on mitu sisendit ja üks väljund. Sisendid jagunevad infosisenditeks ja juhtsisenditeks. Vastavalt juhtsignaalile kommuteeritakse multipleksori väljundisse signaal ühest infosisendist. Kommuteerivate infosisendite arv on 2n, kus n on juhtsignaalide arv. Järelikult saab
füüsikaline konstruktsioon märksa efektiivsemaks. Erinevuseks DTL-ist on see, et sisendis kasutatakse mitme emitterilist transistori. 12.n-MOP-loogika. 13.CMOS (KMOP)-loogika. Paljud rakendused, eriti transporditavad, patareitoitega, vajavad, et energiavajadus oleks võimalikult minimeeritud. Et seda saavutada, selleks arendati välja KMOP (komplementaarne metalloksiid pooljuht) tehnoloogia. KMOP loogika kasutab kõrgendatud reziimis MOSFET-e transistoridena ja on niimoodi disainitud, et ei vaja peaaegu üldse elektrivoolu. Samas on nad limiteeritud oma opereerimiskiirusega. Sellegipoolest on nad väga kasulikud ja efektiivsed suure osa patareitoitega rakenduste juures. KMOP põhineb täiendavate MOP transistoride kasutamisel, et realiseerida loogikafunktsioone ilma, et elektrivoolu peaaegu üldse tarvis oleks. See teeb selle perekonna väga kasulikuks patareisid tarvitavates rakendustes. Üks põhiline probleem KMOP lülitustega on nende kiirus
Taoline ehitus on kujutatud joonisel 9.1. 109 JOONIS 9.1. Kujundatava lülituse põhimõtteskeemiline ja ehituslik fragment on kujutatud joonisel 9.2. 110 JOONIS 9.2. Joonisel on näha transistorstruktuur, mis on mikrolülituste põhielemendiks ja milliseid tekitatakse kristalli suurel arvul (kaasajal üle 100 000 ja enam) Transistore kasutatakse mitmeti: transistoridena, dioodidena (kasutatakse üht siiret), takistitena (kasutades transistori erineva juhtivusega tsoone), kondensaatoritena (kasutades siirde mahtuvusi). Pind kaetakse isoleeriva oksiidikihiga ja selle peale tekitatakse elementidevahelised ühendusjuhtmed ja kondensaatorite ülemised plaadid. Toodud näite korral toimib teise transistori baasi P tsoon takistina (emitter on jäetud tekitamata) ja kolmanda transistori alumine N tsoon kondensaatori alumise plaadina.
1. JOONIS 9.1. Kujundatava lülituse põhimõtteskeemiline ja ehituslik fragment on kujutatud joonisel 9.2. 79 JOONIS 9.2. Joonisel on näha transistorstruktuur, mis on mikrolülituste põhielemendiks ja milliseid tekitatakse kristalli suurel arvul (kaasajal üle 100 000 ja enam) Transistore kasutatakse mitmeti: transistoridena, dioodidena (kasutatakse üht siiret), takistitena (kasutades transistori erineva juhtivusega tsoone), kondensaatoritena (kasutades siirde mahtuvusi). Pind kaetakse isoleeriva oksiidikihiga ja selle peale tekitatakse elementidevahelised ühendusjuhtmed ja kondensaatorite ülemised plaadid. Toodud näite korral toimib teise transistori baasi P tsoon takistina (emitter on jäetud tekitamata) ja kolmanda transistori alumine N tsoon kondensaatori alumise plaadina.