Õppida tundma bipolaartransistori omadusi. Juhtmed Tutvuda bipolaartransistori tööga ühisbaas- (ÜB-) ja ühisemitter- (ÜE-) ühenduses. Reostaat x2 Võtta üles transistori sisend- ja väljund- Bipolaartransistor (KT361E) tunnusjoonte sarjad, määrata nõrga signaali Toiteallikas x2 (PS613) režiimi parameetrid (h-parameetrid) ÜB- ja ÜE-ühenduses, võrrelda erinevate ühen- Milliampermeeter x2 (M104) duste puhul transistorastme olulisemaid Voltmeeter x2 (PSY) parameetreid. KT361E Pc =150 mW (t a=35 C) U CER 35V I C 50mA f T 250 MHz h21E 50...350 Rthja 670k / W + – Joonis 7.1 Transistori lülitusskeem ÜB-ühenduses 3. Võtsime üles tunnusjoonte sarjad: IC = f (UCB) IC = f (IE)
Ei ole eriti koormatav aga võimendab hästi. Ühise kollektoriga lülitus ehk emitterjärgur. Omadused: - suur sisendtakistus (200k..1M), - väike väljundtakistus (50..500), - vooluvõimendus mõnikümmend..mõnisada, - pingevõimendus ligikaudu 1, - sisend ja väljund liiguvad samas taktis (e. faasis). Märkus: hea kasutada sobitamiseks kui signaali allikas kardab koormust aga seda signaali (ntx. muusika) tuleb ikkagi saata üle pika kaabli. Reziimid Transistorastme pinge ja võimsusvõimendus sõltub tugevasti koormustakisti väärtusest. ÜE-lülituse korral saab suurima võimenduse mitmekümne kilooomise takisti kasutamisel. Alati selline väärtus ei sobi (sest järgmine aste koormab siis signaali maha). Ka väiksema koormuse puhul saab ÜE lülituses piisava võimenduse. Võimendusastmetes töötab ÜE lülituses transistor tavaliselt tööpiirkonna lineaarses osas, sest vaid siis jääb võimendatav signaal moonutamata.
33.Elektronkordisti ja fotoleketronide kordisti ehitus ja töötamise põhimõte. 34. Thevenini teoreem. Sõnastus ja seletus. 35.Mis on võimendusastme sisend ja väljundtakistus? Seletus thevenini teoreemi abil. 36.Kuidas lülitada mõõduriistu võimendi omaduste mõõtmiseks? Joonestage skeemid. 37.Arvutada pingejaguri sisend ja väljundtakistus. 38.Arvutada Zener-dioodiga pingestabilisaator. 39.Ühise emitteriga pingevõimenduastme lihtsustatud arvutus. 40. Kuidas saaks transistorastme tööpunkti fikseerida? Kaks skeemi, nende omadused. 41. A-klassi võimsusvõimendusastme skeem ja omadused. 42. B-klassi SAMA TEEMA.^^^ 43.Mis on lõikenurk ja võimenduse klassid ? Milliseid võimenduse klasse on? 44. Sobitustrafo ja selle ülesanne . Kuidas arvutatakse sobitustrafo ülekandetegurit? 45. Mis on positiivne ja mis on negatiivne tagasiside? Nende omadused. Tagasisidetegur ja tagasiside sügavus. Tagasisidestatud võimendi võimendusteguri valem. VASTUSED YO 25
vahelduvkomponendi suhe püsiva kollektorpinge juures; Vooluvõimendustegur β – kollektorvoolu vahelduvkomponendi ja baasvoolu α β= vahelduvkomponendi suhe. (Väärtus üle 1). Seos α ja β vahel 1−α Võimsusvõimendus Kp – transistorastme koormusele antava vahelduvvoolu võimsuse ja sisendisse juhitava signaali võimsuse suhe; Vooluvõimenduse piirsagedus – sagedus mille ületamisel transistori vooluvõimendustegur langeb 71 % oma väärtusest, fα – baaslülituse puhul, fβ – emitterlülitusel. Seos f β ≈ 1,2(1−α )f α Transistori sisendtakistus – sisendpinge vahelduvkomponendi ja sisendelektroodi voolu vahelduvkomponendi suhe (sisendsignaali allika
k. feedback loop). Pikkov lk 77 Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 33 Pikkov lk 78 Sõltuvalt vastusideahela sagedusomadustest eristatakse: - vahelduvpingevastusidet ja vahelduvvooluvastusidet; kui vastusideahelas on reaktiivtakistusega element (harilikult kondensaator), osutub vastuside sagedusest sõltuvaks; - alalispingevastusidet ja alalisvooluvastusidet, mida rakendatakse näiteks transistorastme alalisvoolureziimi stabiliseerimiseks. Nagu eelnevalt öeldud, vastavalt sellele, kas vastusidepinge Uvs on võrdeline väljundpingega või väljundvooluga, on tegemist kas pinge- või vooluvastusidega. Vastusidepinge võib mõlemal juhul rakenduda võimendi sisendisse sisendpingega Us (signaaliallikaga) kas jadamisi või rööbiti. Seega on kokku võimalikud neli kombinatsiooni, st neli erinevat vastusideviisi, millised on näidatud joonisel 6.14:
annaabi.ee 
