ära märkida indeksi jaoks inimesed ja mõisted. Nende inimeste ja mõistete osas, kes paistavad olulisemad — või huvitavamad — otsin lisamaterjale ning paigutan need lisadesse. Seejärel vaatan ma põhjalikult üle kogu teksti, et katsuda loogiline struktuur paika saada. See ei ole lugemise ajal just eriti hea, kuigi kuulata on mõnus. Kui aega ja jõudu jätkub, peaks lugema lisaks ka Usklike Instituudi1 loen- gumaterjalidest. Kuigi seal on formaalselt tegemist sootuks teistpidise asja- ga, on tegelikult vist siiski mõlemal juhul lihtsalt juttu filosoofidest ajas. Lehtede all on veel kommentaare. Need on pärit kas Eero Loonelt endalt, minult või veel kusagilt. Üldiselt olen katsunud hoida erinevad kommentee- rijad lahus: 1 EELK või mis iganes ta ka oli. . . Elmar Salumaa oli nagu autor. 5 6 SISUKORD M — minu isiklik arvamus,
o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. 7.2. p-n-siirdega väljatransistorid Junction FET (JFET) p-n-siirdega väljatransistor koosneb kas n- või p-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisutsoonist. Enamlevinud on n-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nenede sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 7.1. JOONIS 7.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin tekib paisu ja kanali vahel p-n-siire ja tõkkekiht. Sellise p-n-siirdega väljatransistori töötamiseks on vaja siirdele anda vastupinge
väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuuri mõju (voolu moodustavad enamus laengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) P-N-siirdega väljatransistor koosneb kas N- või P-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisu tsoonist. Enamlevinud on N-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nende sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 5.1. JOONIS 5.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin, tekib paisu ja kanali vahel P-N-siire ja tõkkekiht. Sellise P-N-siirdega väljatransistori töötamiseks on vaja
väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuuri mõju (voolu moodustavad enamus laengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) P-N-siirdega väljatransistor koosneb kas N- või P-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisu tsoonist. Enamlevinud on N-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nende sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 5.1. JOONIS 5.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin, tekib paisu ja kanali vahel P-N-siire ja tõkkekiht
annaabi.ee 
