1.15).Selles rezhiimis käitub transistor takistusena ja tema lätte ja neelu vaheline pingelang sõltub teda läbivast voolust ja on märksa suurem tavalise transistori vastavast emitteri ja kollektori vahelisest pingelangust.Võime kujutleda , et lüliti rezhiimi sisselülitatud olukorras jääb koormustakistusega järjestiku kanali takistus ja seetõttu sõltubki neelu ja lätte vaheline pinge transistori läbivast voolust Nimetatud põhjusel püütakse suurevooluliste väljatransistoride korral leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks, selleks otstarbeks kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore, kus on püütud tekitada võimalikult lühike voolu juhtiv kanal. Parimateks taolisteks transistorideks on D- MOSFET transistorid, mille kanali takistus võib olla 0,1 oomi ja vähem. See on eriti oluline suuremate voolude korral mitmesusgustes jõupooljuhtmuundites.
märksa suurem tavalise transistori vastavast emitteri ja kollektori vahelisest pingelangust. Lülitireziimi sisselülitatud olukorras jääb koormustakistusega järjestikku väljatransistori kanali takistus, mistõttu neelu ja lätte vaheline pinge sõltub transistori läbivast voolust. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 51 Suurevooluliste väljatransistoride valmistamiseks püütakse leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks. Lülititena kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore, kus on püütud tekitada võimalikult lühike voolu juhtiv kanal, nagu D-MOSFET transistoridel, mille kanali takistus võib olla 0,1 oomi ja väiksem. Selline transistor on kasutatav suuremate voolude korral mitmesugustes jõupooljuhtmuundites. Samal eesmärgil kasutatakse ka IGBT transistore, mille sisendi omadused on sarnased
5.8.).Selles reziimis käitub transistor takistusena ja tema lätte ja neelu vaheline pingelang sõltub teda läbivast voolust ja on märksa suurem tavalise transistori vastavast emitteri ja kollektori vahelisest pingelangust. Võime kujutleda , et lüliti reziimi sisselülitatud olukorras jääb koormustakistusega järjestiku kanali takistus ja seetõttu sõltubki neelu ja lätte vaheline pinge transistori läbivast voolust Nimetatud põhjusel püütakse suurevooluliste väljatransistoride korral leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks, selleks otstarbeks kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore, kus on püütud tekitada võimalikult lühike voolu juhtiv kanal. Parimateks taolisteks transistorideks on D-MOSFET transistorid, mille kanali takistus võib olla 0,1 oomi ja vähem. See on eriti oluline suuremate voolude korral mitmesugustes jõupooljuht-muundites.
takistusreziim (joon.5.8.).Selles reziimis käitub transistor takistusena ja tema lätte ja neelu vaheline pingelang sõltub teda läbivast voolust ja on märksa suurem tavalise transistori vastavast emitteri ja kollektori vahelisest pingelangust. Võime kujutleda , et lüliti reziimi sisselülitatud olukorras jääb koormustakistusega järjestiku kanali takistus ja seetõttu sõltubki neelu ja lätte vaheline pinge transistori läbivast voolust Nimetatud põhjusel püütakse suurevooluliste väljatransistoride korral leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks, selleks otstarbeks kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore, kus on püütud tekitada võimalikult lühike voolu juhtiv kanal. Parimateks taolisteks transistorideks on D-MOSFET transistorid, mille kanali takistus võib olla 0,1 oomi ja vähem. See on eriti oluline suuremate voolude korral mitmesugustes jõupooljuht-muundites.
o Silicon ControlledSwitch. Ka tavalist SCR türistori võib sulgeda tüürelektroodi kaudu. Selleks on vaja anda ta tüürelektroodile tugev negatiivne vooluimpulss. Kuigi vajadus tüürelektroodilt ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk.69 suletavate türistoride järel oli olemas juba pikemat aega, ei olnud see võimalus praktikas levinud, kuna vajaminev impulsi võimsus on sedavõrd suur, et tingib suurevooluliste juhtskeemide kasutamise. Selle probleemi lahendamiseks töötati välja spetsiaalsed GTO türistorid, mille väljlülitamiseks vajalik võimsus on väiksem ja mis lülituvad välja tavalistest SCR türistoridest kiiremini. GTO türistoride struktuur, ekvivalentskeem ja tingmärk on toodud joonisel 8.10. Katoodipoolset tüürelektroodi nimetatakse katood-tüürelektroodiks ja anoodipoolset tüürelektroodi anood-tüürelektroodiks. Mõlemaid tüürelektroode võib kasutatada nii
annaabi.ee 
