o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. Mikroelektroonikas on tänapäeval kasutatavaim tehnoloogia CMOS ehk komplementaarne metall-oksiid-pooljuht tehnoloogia, mis põhineb MOSFET komplementaarpaaridel. 44. Mida nimetatakse väljatransistori sulgepingeks? Paisu sulgepinge on paisu ja lätte vaheline pinge, mil transistor sulgub. 45. Mis on türistor? Türistor on mitme pn-siirdega pooljuhtseadis, mille tunnusjoonel on negatiivse diferentsiaaltakistusega lõik. Türistorid valmistatakse ränist. Sisselülitatud (avatud) türistoril on väike takistus, väljalülitatud (suletud) türistoril aga suur takistus. 46. Millised on türistori põhiliigid? Türistore liigitatakse tüürimismooduse järgi:
Tavaliselt ühendatakse aga kontakt B juba transistori korpuses lätte S külge, mistõttu tuleb lättel ja neelul vahet teha. Joonis 3.25. Indutseeritava n-kanaliga MOP-väljatransistori ülekandetunnusjoon (a) ja väljundtunnusjooned (b) [3]. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 31 Väljatransistoride mõned põhiparameetrid: · Sulgepinge UGS(off) on pinge, mille juures kanal sulgub peaaegu täielikult. · Lävipinge UGS(th) on pinge, millest alates hakkab MOP-transistori kanal avanema. · Tõusuks S nimetatakse neeluvoolu muutuse ja seda põhjustava paisupinge muutuse jagatist (mA/V). Väljatransistoride oluline iseärasus on see, et maksimaalselt lubatavat paisupinget ei tohi ületada. Vastasel korral lööb liigpinge õhuke paisudielektriku kihi läbi ja transistor rikneb
Temperatuuri mõju: ! kasvab 1% / K0 ! Häälestada tuleb väga täpselt. Stabiilsuse tõstmiseks tuleb rakendada tagasisidet Oletame: IKp IEp UEp (kuna UEp = IEp·RE) UBEp (kuna UBEp = UBp UEp) IBp IKp -------------------------------------------------------------------- 72 5.3. Võimendusastmed VT baasil n tüüpi kanaliga väljatransistorid: In = f(Upl) neelu-paisu karakteristikud. Upl 0 sulgepinge. S neelu-paisu karakteristiku tõus.S = dIn/dUpl | Unl = const. ri transistori sisetakistus väljundkarakteristikute kallak. Väljatransistori aseskeemid: Kõrgetel sagedustel Madalatel sagedustel 73 n-kanaline VT: Reziimi valik: Unlp > Uväljm + Unl ; Inp > Inm Seos Inp ja Unlp vahel: Unlp = En Inp(Rn + Rl): - määratakse pingega Uplp, vastavalt punktile P.
põhjuseks on varemvaadeldud läbilööginähtused. Läbilöögi tagajärjel transistor reeglina hävib. Nagu märgata, on ülekandetunnusjoon mittelineaarne, kuid vähem kui bipolaarse transistori sisendtunnusjoon. See viitab väljtransistoride väiksematele moonutustele, mis on ka üheks väljatransistori eeliseks. Ülekandetunnusjoon on küllalt täpselt kirjeldatav ruutfuntsiooniga. Selle kaks punkti on alati käsiraamatutes antud. Paisu sulgepinge UGs(off) mis on paisu ja lätte vaheline pinge, mil transistor sulgub ( ID = 0 ) ja neeluvool, kui pais ja läte on lühistatud IDSS. Kui need kaks punkti on teada, võime alati arvutada neeluvoolu etteantud paisu ja lätte vahelisel pingel valemiga Väljatransistoril on kaks tunnusjoontelt määratavat põhiparameetrit. Ülekandetunnusjoonelt leiame tüürivat toimet iseloomustava parameetrina ülekandejuhtivuse ehk tõusu (kasutatakse ka mõistet "läbivjuhtivus")
annaabi.ee 
