Joon.1.17 Ipj (pingejaguri vool) Esimesel juhul tuleb valida sobiva väärtusega baasitakistus, milline arvutatakse eeldusel, et emittersiirde takistus on piisavalt väike ja sel juhul E RB = , I BA kus IBA baasivool valitud tööpunktis. Teisel juhul leitakse sisendtunnusjoontelt vajalik baasi ja emitterivaheline pinge, ning arvutatakse takistused R1 ja R2 sobiva suhtega, kusjuures Ipj>>IB. Viimane nõue tuleneb sellest, et kui need voolud on lähedased, siis hakkab baasipinge muutuma koos sisendvoolu muutustega. Väljatransistori korral tuleb tööpunkt fikseerida alalispinge andmisega paisule, sest väljatransistor on pingega tüüritava element. Seejuures sõltuvalt kasutatava transistori
transistori tööpunkt. Erinevates tööpunktides on parameetrite väärtused muidugi erinevad. Väljundtunnusjoonelt saame tööpunkti O jaoks leida h21 ja h22 (joonis 6.22). JOONIS 6.22. IB määrame lõigul OO', mille puhul UCE =const ja IB = IB3 - IB2 ; I'c ja U' CE saamiseks võtame punkti O ümbruses muutused punktist A kuni B, kusjuures on rahuldatud tingimus IB =const. h11 ja h12 määratakse sisendtunnusjoontelt (joonis 6.23). JOONIS 6.23. UBE ja IB leiame lõigult OO', sest see rahuldab etteantud tingimust. UBE on meil olemas lõigul OA ja UCE = UCE2 UCE1- Sõltuvalt transistori tüübist ja reziimist võib esineda olukord, kus erinevate kollektorpingetega sisendtunnusjooned langevad kokku. Sel juhul h12 = 0. ELEKTROONIKAKOMP ON ENDID lk. 49 6.7. Transistori dünaamiline reziim
JOONIS 4.16. Tööpunkti võib fikseerida kahel viisil, kas andes transistori sisendisse sobiva väärtusega baasioolu või baasi ja emitteri vahele sobiva pinge(joon.4.16). Esimesel juhul tuleb valida sobiva väärtusega baasitakistus, milline arvutatakse eeldusel, et emittersiirde takistus on piisavalt väike ja sel juhul , kus I baasivool valitud tööpunktis. BA Teisel juhul leitakse sisendtunnusjoontelt vajalik baasi ja emitterivaheline pinge, ning arvutatakse takistused R ja R sobiva suhtega, kusjuures I >>I . Viimane nõue tuleneb 1 2 pj B sellest, et kui need voolud on lähedased, siis hakkab baasipinge muutuma koos sisendvoolu muutustega. ÜB lülituse korral tuleb tagada, et emittersiire oleks pingestatud sobival määral pärisuunas ja kollektorsiire vastusuunas. N-P-N transistori korral peab seega emitter
või baasi ja emitteri vahele sobiva pinge(joon.4.16). Esimesel juhul tuleb valida sobiva väärtusega baasitakistus, milline arvutatakse eeldusel, et emittersiirde takistus on piisavalt väike ja sel juhul E RB = , I BA kus IBA baasivool valitud tööpunktis. Teisel juhul leitakse sisendtunnusjoontelt vajalik baasi ja emitterivaheline pinge, ning arvutatakse takistused R1 ja R2 sobiva suhtega, kusjuures Ipj>>IB. Viimane nõue tuleneb sellest, et kui need voolud on lähedased, siis hakkab baasipinge muutuma koos sisendvoolu muutustega. ÜB lülituse korral tuleb tagada, et emittersiire oleks pingestatud sobival määral pärisuunas ja kollektorsiire vastusuunas. N-P-N transistori korral peab seega emitter olema baasi suhtes pingestatud negatiivselt ja kollektor positiivselt.
annaabi.ee 
