Uvälj R CS U RG S sis E Joon.1.27 1.8.2.Otsene sidestus Otsese sidestuse korral (joon.1.28) on sidestusahel ära jäetud ja ühendatud eelmise astme kollektor vahetult järgmise astme baasiga. Sellise ühendamise korral on oht, et kui eelmise astme kollektorpinge on küllalt kõrge, siis tema toimel järgmise astme transistori baasile võib see minna küllastusse ja võimendi lakkab võimendamast. Kui aga eelmise astme kollektor pinge on sobivalt madal, siis võib selline võimendi töötada. Seejuures ilmnevad eelised:
lineaar reziimis ja selleks on vaja tekitada selles reziimis sobiva väärtusega alalisreziim seda reziimi nimetataksegi tööpunktiks. Joonis 3. Vaadeldavas lülituses kasutatakse esimeses tööpunkti fikseerimist baasivooluga, kuna seal on sisendvool väike ja tööpunkti stabiilsus ei ole kriitiline. Teises astmes on sisendsignaal suurem ja seal on vaja tugevamat stabiliseerimist. Mis tõttu kasutakse pingejagurit koos emitter komplektiga. Teises ahelas on sidestusahel ära jäätud. Otseses sidestuses on elemente vähe ja puudub suure mahtuvuslik sidestus kondensaator, mida ei osata senini integraallülituste sisse tekitada. Taoline lülitus on sobiv just integraal lülituste jaoks sest elemente on vähem ja ta on lihtsam. Samal ajal on aga taolise võimendi tööreziimide valikuga probleeme, nimelt mõjub järgmise astme baasile eelmise astme kolektor pinge, mis on tavaliselt küllalt kõrge, see võib viia teise
Seljuhul on meil trafo otsesidestus. Trafo sidestuse eripäraks, on võimalus tagada sisendi ja väljundi takistuste ideaalne sobitatus trafo ülekandeteguri valikuga. Kasutatakse seda võimalust põhiliselt lõppastmete sisendeis ja väljundeis. Rsis1 = RsisVT 1 || RB1 Rsis 2 = RsisVT 2 || R1 || R2 Sidestusahel on .. on astmete vaheline (CS1 kuni CS3) RC ahela takistus aga konkreetselt elemendina puudub. Sellena toimel võimendusastme sisendtakistus, mis moodustub võimendus elemendi sisend takistusest ja temaga signaali suhtes paraleelselt jäävatest tööpunkti takistustest. On ilmne et võimendi alumis võimenduspiiri määrab sidestusahela ajakonstant, kuna astme sisendtakistus ei ole vabalt valitav, siis elemendiks, mille valikust sõltub alumine sageduspiir on sidestus kondensaator
T siis on kasutatavate sidekondensaatorite mahtuvused suhteliselt suured. +E E RS CS CS1 RD RG CS2 Usis Uvälj JOONIS 7.10. Kasutades väljatransistore (joon.7.10), mida sageli tehakse sisendastmetes, on astma sisendtakistus tuhandeid kordi suurem ja sellest tulenevalt on seal ka sidestuskondensaatori mahtuvus vastavalt tuhandeid kordi väiksem 7.3.2.Otsene sidestus Otsese sidestuse korral (joon.7.11) on sidestusahel ära jäetud ja ühendatud eelmise astme kollektor vahetult järgmise astme baasiga. Sellise ühendamise korral on oht, et kui eelmise astme kollektorpinge on küllalt kõrge, siis tema toimel järgmise astme transistori baasile ,võib see minna küllastusse ja võimendi lakkab võimendamast. Kui aga eelmise astme kollektor pinge on sobivalt madal, siis võib selline võimendi töötada. Seejuures ilmnevad eelised: RE1 CE1 R1 RC1 +E 88 E RE2 CE2 RC2 CS1 Usis VT2 VT1 CS3 R2 UBE2= UCE1
G E JOONIS 7.10. Kasutades väljatransistore (joon.7.10), mida sageli tehakse sisendastmetes, on astma sisendtakistus tuhandeid kordi suurem ja sellest tulenevalt on seal ka sidestuskondensaatori mahtuvus vastavalt tuhandeid kordi väiksem 7.3.2.Otsene sidestus Otsese sidestuse korral (joon.7.11) on sidestusahel ära jäetud ja ühendatud eelmise astme kollektor vahetult järgmise astme baasiga. Sellise ühendamise korral on oht, et kui eelmise astme kollektorpinge on küllalt kõrge, siis tema toimel järgmise astme transistori baasile ,võib see minna küllastusse ja võimendi lakkab võimendamast. Kui aga eelmise astme kollektor pinge on sobivalt madal, siis võib selline võimendi töötada. Seejuures ilmnevad eelised:
annaabi.ee 
