Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. Isis = IE : Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte- lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit. Kui sisendpinge muutub Usis võrra, siis emittervool IE võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada: IE + IE = Ic + IC + IB + IB. Siit järeldub, et IE = Ie + IB Sisend- ja väljundvoolude muutuste suhet nimetatakse vooluvõimendusteguriks: 29
5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, s t . = Isis IE : Usis = U EB , U VÄLJ = U CB ja I VÄLJ = Ic JOONIS 6.5 Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte-lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit. Kui sisendpinge muutub Usis võrra, siis emittervool IE võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada: IE + IE = Ic + IC + IB + IB. Siit järeldub, et IE = Ie + IB Sisend- ja väljundvoolude muutuste suhet nimetatakse vooluvõimendusteguriks:
U , U =U EB VÄLJ CB ja I = I . VÄLJ C JOONIS 4.5. See lülitus annab suure pingevõimenduse . Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega (mitmeastmelistes 43 võimendites), sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit. Kui sisendpinge muutub U võrra, siis emittervool I võrra ning vastavalt muutvad ka SIS E teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada : I + I = Ic + I + IB + I .
t. ISIS = IE USIS = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = IC . 30 JOONIS 4.5. See lülitus annab suure pingevõimenduse . Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega (mitmeastmelistes võimendites), sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit. Kui sisendpinge muutub USIS võrra, siis emittervool IE võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada : IE + IE = Ic + IE + IB + IB. Siit järeldub, et IE = IC + IB .
annaabi.ee 
