ajavahemiku baasi kogunenud laengukandjate arvel, ning transistori sulgumine sisendsignaali suhtes hilineb.Seejuures on see hilinemine seda suurem mida sügavamas küllastuses on transistor(joon.1.12). Kui ajahetkel t1 anda transistori baasile küllastav pinge, siis hakkab transistori kollektori vool koheselt suurenema. Kusjuures see voolu suurenemine ei toimu hetkeliselt, vaid kiirusega mis on määratud kasutatava transistori sagedusomadustega. Transistori sulgemiseks ajahetkel t2 antakse baasile negatiivne pinge, kuid esialgu kollektori voolu muutust praktiliselt ei teki. Ning alles teatud ajavahemiku t hil möödumisel, milline sõltub küllastuse määrast, hakkab vool vähenema kiirusega mis on määratud transistori sagedusomadustega. I C +E B C D L
ajavahemiku baasi kogunenud laengukandjate arvel, ning transistori sulgumine sisendsignaali suhtes hilineb. Seejuures on see hilinemine seda suurem mida sügavamas küllastuses on transistor (joon.4.13). Kui ajahetkel t anda transistori baasile küllastav pinge, siis hakkab transistori 1 kollektori vool koheselt suurenema. Kusjuures see voolu suurenemine ei toimu hetkeliselt, vaid kiirusega mis on määratud kasutatava transistori sagedusomadustega. Transistori sulgemiseks ajahetkel t antakse baasile negatiivne pinge, kuid esialgu 2 kollektori voolu muutust praktiliselt ei teki. Ning alles teatud ajavahemiku t hil möödumisel, milline sõltub küllastuse määrast, hakkab vool vähenema kiirusega mis on määratud transistori sagedusomadustega. L (R ) C U CE IC E/RC E UCE B A e D C VD +E e JOONIS 4.14.
sugugi koheselt kollektori vool, vaid see kestab veel teatud ajavahemiku baasi kogunenud laengukandjate arvel, ning transistori sulgumine sisendsignaali suhtes hilineb. Seejuures on see hilinemine seda suurem mida sügavamas küllastuses on transistor (joon.4.13). Kui ajahetkel t1 anda transistori baasile küllastav pinge, siis hakkab transistori kollektori vool koheselt suurenema. Kusjuures see voolu suurenemine ei toimu hetkeliselt, vaid kiirusega mis on määratud kasutatava transistori sagedusomadustega. Transistori sulgemiseks ajahetkel t 2 antakse baasile negatiivne pinge, kuid esialgu kollektori voolu muutust praktiliselt ei teki. Ning alles teatud ajavahemiku thil möödumisel, milline sõltub küllastuse määrast, hakkab vool vähenema kiirusega mis on määratud transistori sagedusomadustega. I C +E B C D
Esiteks kasutatakse enamasti transistoride lüliti reziimi kus impulsi kestel on transistor küllastuses. Impulsi lõppedes aga tekib hilistumine, sest transistori küllastusel koguneb baasi suurel hulgal lanegu kandjaid ja kui emittersiire suletakse jätkub nende liikumine kollektorisse ning transistori sulgumisel tekib kollektropinges võrreldes sisendpingega hilinemine. Selle hilinemise kestus on otseselt seotud kasutatavate transistoride sagedusomadustega. Mida kõrgem on transistori piirsagedus, seda lühem on nimetatud hilistumine. Teine probleem tuleneb sellest, et impulssidega kaasnevad siirdeprotsessid, mis tekivad nii impulsi algul kui ka selle lõpul. Need siirde protsessid mõjutavad signaali kuju ja nendega tuleb arvestada. Impulss signaalid on vaadeldavad mittesiinuseliste voolude ja pingetena, mille kohta on tõestatud, et nad koosnevad tervest reast erineva sagedusega siinus komponentide ehk harmooniliste
annaabi.ee 
