Digitaalsignaali nullidele vastab üks sagedus ja ühtedele teine sagedus. See modulatsioonimeetod leidis kasutust raadiotelegraafi juures. ASK 40. Takisti (madala-, ja kõrgeoomilise) ekvivalentskeemid kõrgsagedusahelas. Ekvivalentskeemil asendatakse takisti jaotatud mahtuvus (hajumahtuvus) ekvivalentse kondekaga ning jaotatud induktiivsus (hajuinduktiivsus) induktiivpooliga. Nii võib takisti sageduslike omadusi hõlpsasti määrata analüüsides lihtsaid skeeme. 41. Takistite omamürade liigid ja millest nad sõltuvad? Mürasid võib liigitada kolme gruppi: segavad signaalid(häired), triiv ja elementide omamürad(soojusmüra ja voolumüra). Elektronide hulga statistilised fluktuatsioonid kutsuvad esile müra, tekivad pinge ja voolu juhuslikud komponendid. Elektronide hulga statistilisi muutusi põhjustab elektronide pidev kaootiline
· alalispingevõimendi ( 0-3..5KHz) põhiline kasutamis ala on automaatikas, andurite puhul mille väljund on alalispinge (termopaar, termotakisti) · ribavõimendi võimendi, mis võimendab väga rangelt määratud suhteliselt kitsas sagedusalas (f1-f2) see sagedusala võib kuuluda erinevate sagetuste piirkonda, on olemas madal sageduslike helivõimendeid [katlaleegi signalisaator, tetonatsiooni andur(5KHz on kõlina hääl-süüde on vale)] Parameetrid: 1. Arv mis näitab mitu korda suureneb võimendi toimel signaali amplituut U välj I välj Pvälj K= Ki = Kp = U sis I sis Psis K üld = K1 K 2 ....K n
pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt emitterist baasi läinud laengukandjad jõuavad kollektorisse erinevatel ajahetketel. Nii venivad impuss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide korral aga vähenevad väljundvoolu muutused, kuna signaali ühel poolperioodil baasi läinud laengukandjatest jõuab osa kollektorisse hoopis teisel poolperioodil ja tulemuseks ongi väljundvoolu muutuste vähenemine. Võime öelda, et transistoride sageduslike omaduste parendamiseks on olemas kolm võimalust: 1) vähendada kollektorsiirde mahtuvust; 2) vähendada baasi laiust; 3) suurendada laengukandjate liikumiskiirust baasis. Neid võimalusi arvestatakse kõrg-sagedulike transistoride konstrueerimisel. Lisaks on füüsikast teada, et elektronide liikuvus pooljuhis on peaaegu kaks korda suurem aukude liikuvusest. See on üheks põhjuseks, miks kaasajal eelistatakse n-p-n transistore p-n-p transistoridele.
annaabi.ee 
