need võiksid hakata mõjutama paisu potentsiaali. sis Takistus RG jääb paralleelselt sisendklemmidega ja ta määrab astme sisendtakistuse. Praktiliselt valitakse see takistus kusagil 10 M ringis tagades piisavalt suure sisendtakistuse ja samal ajal ka vaba pääsu elektronidele paisult maha. F-MOS transistor (indutseerkanaliga väljatransistor) võib teatavasti töötada mõlema polaarsusega sisendpingega st. nii vaesustus, kui rikastusreziimis ja sellest tulenevalt kasutatakse mõnikord ka nulleelpinget (joon.1.20) mis on samuti võimalik, positiivset eelpinget ei kasutata, kuna selline reziim on ebaökonoomne. ID +E R D
..10 MW. Lättetakistiga RS võib ühendada vahelduvvoolu-vastuside kõrvaldamiseks rööbiti kondensaatori CS samadel kaalutlustel kui bipolaartransistori korral. Joonis 6.7. Väljatransistori lähtetööpunkti määramise lülitused: (a) pn-siirde ja n- kanaliga transistor; (b) p-indutseerkanaliga transistor; (c) n-formeerkanaliga transistor; (d) mistahes tüüpi väljatransistori tööpunkti stabiliseerimise skeem [3]. Indutseerkanaliga (rikastusreziimis) MOP-transistori paisule tuleb rakendada sama polaarsusega pinge kui neelulegi (joonis 6.7 b). Pingejaguri takistused tulevad siin megaoomides. Formeerkanaliga väljatransistori võib tööle rakendada kas nn vaesestusreziimis (nagu pn-siirdega väljatransistori joonisel 6.7 a), mil paisul ja neelul on vastupidise polaarsusega pinged, või nn rikastusreziimis (joon. 6.7 b) nagu indutseerkanaltransistori või ka hoopis eelpingeta (UGS = 0; joon. 6.7 c). Paisutakisti takistus võib ulatuda
toodetakse ja kasutatakse ka P-kanaliga transistore. Nende kasutamisel tuleb vaid arvestada pingete vastupidise polaarsusega. 5.3.2. Indutseerkanaliga MOSFET transistor (Enchancement-Type MOSFET) Indutseerkanaliga MOSFET transistor erineb eelmisest selle poolest, et tal on küll lätte- ja neeluelektroodide all n+ tsoonid, kuid nendevaheline kanal .on jäetud tekitamata. Tulemusena on nullisel paisupingel ka neelu vool null. Juhtiv kanal tekib paisu-aluse elektrivälja toimel ainult rikastusreziimis, kus elektriväli tõrjub augud paisust eemale ja lätte ja neelu vahel tekib voolujuhtiv kanal, mis on seda laiem, mida suurem on positiivne paisupinge. Paisu ja lätte vahelist pinget U , mil transistor avaneb, nimetatakse GSon lävipingeks. Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 5.6 66 Vaeguspiirkond Kanal JOONIS 5.6
kasutatakse ka P-kanaliga transistore. Nende kasutamisel tuleb vaid arvestada pingete vastupidise polaarsusega. 5.3.2. Indutseerkanaliga MOSFET transistor (Enchancement-Type MOSFET) Indutseerkanaliga MOSFET transistor erineb eelmisest selle poolest, et tal on küll lätte- ja neeluelektroodide all n+ tsoonid, kuid nendevaheline kanal .on jäetud tekitamata. Tulemusena on nullisel paisupingel ka neelu vool null. Juhtiv kanal tekib paisu-aluse elektrivälja toimel ainult rikastusreziimis, kus elektriväli tõrjub augud paisust eemale ja lätte ja neelu vahel tekib voolujuhtiv kanal, mis on seda laiem, mida suurem on positiivne paisupinge. Paisu ja lätte vahelist pinget UGSon , mil transistor avaneb, nimetatakse lävipingeks. Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 5.6 Vaeguspiirkond Kanal JOONIS 5.6
väikest kanali takistust. Selle saavutamiseks on välja töötatud mitmeid võimsate MOSFET transistoride eriliike. 7.3.2. Indutseerkanaliga MOSFET transistor Enhancement-Type MOSFET Indutseerkanaliga MOSFET transistor erineb eelmisest selle poolest, et tal on küll lätte- ja neeluelektroodide all n+ tsoonid, kuid nendevaheline kanal on jäetud tekitamata. Tulemusena on millisel paisupingel ka neeluvool null. Juhtiv kanal tekib paisu-aluse elektrivälja toimel ainult rikastusreziimis, kus elektriväli tõrjub augud paisust eemale ja lätte ja neelu vahel tekib voolujuhtiv kanal, mis on seda laiem, mida suurem on positiivne paisupinge. Paisu ja lätte vahelist pinget U , mil transistor avaneb, nimetatakse lävipingeks. Selle transistori skemaatiline ehitus on toodud joonisel 7.7. ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 59 JOONIS 7.7. Seega saab n-indutseerkanaliga MOSFET transistor töötada ainult lätte suhtes
annaabi.ee 
