18 (43) 4.3.3 Hõõglamp ja sellel põhinevad indikaatorseadised Hõõglambi põhimõttel töötavad miniatuursed signaallambid on ajalooliselt kõige vanem liik indikaatoreid. Odava seadisena leiavad nad kasutust tänaseni, kuigi neid tõrjutakse järjest rohkem valgusdioodide poolt välja. Hõõgindikaatorid on tärkseadised, mille segmendid kujutavad endast hõõgniidi lõike, milles tärgid kujundatakse vastavate hõõgniidilõikude pingestamisega.. Hõõgniidina kasutatakse peenikest (~60 um) volframtraati. Nende ehitusskeem on toodud näitena joonisel 4.14. http://en.wikipedia.org/wiki/Seven-segment_display Joonis 4.14. Hõõgindikaatorite ehitus ja sokeldus [4] ning väliskuju. 4.3.4 Huumlamp (neoonlamp) ja sellel põhinevad indikaatorseadised Huumlambid e. neoonlambid (joon.4.15) on külmkatoodiga gaaslahendusseadised,
2)mitmekihilist seotist normaaltingimustes 2-eelpingestatud(pik8-18m; laius1,2m; kõrgus 15-40cm) kruus, jämedateraline kuiv liiv(>50% üle 2mm Eelpingestatud õõnespaneelid toodetakse tähistusega EP ja AS Tartu Maja's tähistusega TAM Oma konstruktsioonilt võivad aknad olla: Paneelide valmistamisel tehases antakse neile pingestamisega -ühekordsed/kahekordsed(ka kolmekordsed) ehitamiseks mistahes kõvale ja tasasele aluspinnale. Toodetakse kolme negatiivne eeldeformatsioon. Selle tulemusel saavutatakse paneeli -avatavad/mitteavatavad samade parameetrite juures suurem kandevõime. Läbi õõnsuse võib -sissepoole/väljapoole avanevad avasid teha vabalt valitud kohta
Teema 3 Pooljuhtseadised 25 Joonis 3.20. Valik liitransistoride skeeme (a...d; parempoolne tingmärk iseloomustab struktuuri kui tervikut) [2]. 3.5 Väljatransistorid e. unipolaartransistorid Väljatransistorides tüüritakse ühenimeliste laengukandjate elektronide või aukude hulka juhtivas kanalis elektrivälja abil. Elektriväli tekitatakse juhtelektroodi ehk paisu (ingl. k. gate) pingestamisega lätte e. allika (source) suhtes. Väljatransistori pais sarnaneb oma funktsiooni poolest bipolaartransistoril baasile. Vahe seisneb selles, et baasi tüüritakse vooluga (pinge bipolaartransistori avatud emittersiirdel muutub sealjuures vahemikus u. 0,6...0,9 V), kuid väljatransistori paisu tüüritakse pingega (vool on väga väike ja praktiliselt võib seda lugeda nulliks). Selle omaduse poolest sarnanevad väljatransistorid elektronlampidele.
3. Hälvitussüsteemid Deflection Füüsika kursusest on teada, et elektronide liikumise trajektoori saab mõjutada nii elektri- kui magnetväljaga. Sellest tulenevalt on olemas nii elektrostaatilised kui ka magnetilised hälvitussüsteemid. Elektrostaatilises hälvitussüsteemis toimub elektronkiire hälvitamine e. kallutamine {deflection) elektrivälja mõjul. Selleks paigutatakse elektronkiire teele kaks paralleelset plaati, mille pingestamisega tekitatakse elektronkiirt kallutav elektri- väli nagu on näidatud joonisel 9.3. JOONIS 9.3. Elektronkiire hälvitamiseks nii x- kui y- telje sihis kasutatakse kaht plaatide paari, mis on paigutatud teineteise suhtes risti. Saamaks ekraanil kujutist, mis täpselt järgiks uuritava pinge muutusi, peab kiire nihkumine ekraanil olema võrdeline plaatidel mõjuva pingega. ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk.73
diood 0,5V;
UKE = UBE UBK 0,7 0,5 0,2V
146
TTL-i areng.
147
148
149
TTL-de ühendamine.
150
MOP- transistoride kasutamine lülitina.
Võimalused: pMOP harvaesinev,
nMOP sageli esinev;
KMOP üldlevinud.
a) Esialgne lahendus. Pärast selgus, et tehnoloogiliselt on lihtsam;
b) kuid olid probleemid pingestamisega; c) vahepealne lahendus
eritüüpi transistorid; d) lõplik variant.
151
Lülitite optimaalne skeemiline lahendus KMOP struktuurid!
152
ESL (ECL, ) emittersidestuses loogika.
Kui pinge US > U0 , siis juhib voolu T1, ja T2 on vooluta. Kui pinge US
annaabi.ee 
