tulemus, kus Kh = 0,01%. Talitussagedusala alumise ja ülemise piiri alas harmooniliste tegur teataval määral suureneb. Signaaliallika ja võimendi baasi karakteristikud ei ole alati täpselt teada ja seetõttu loetakse, et nende harmooniliste tegurid liituvad geomeetriliselt. Kui näiteks võimendisse, mille Kh1 = 1% anda signaal magnetofonist, mille Kh2 = 2%, siis võimendi väljundsignaali Kh = ruutjuur (Kh1 ruudus + Kh2 ruudus). Sagedustunnusjoon Määrab alumise ja ülemise piirsageduse, millel sagedusmoonutus jääb etteantud piiridesse. Tehniliselt ei valmista raskusi teha võimendi sagedusalaga mõnest Hz-st kuni 100 kHz-ni, kuid valdava enamiku heliallikate sagedused koos ülemtoonidega mahuvad sagedusalasse 40...14 000 Hz. Seetõttu võimendi oluliselt laiem talitussagedusala ei paranda kuigivõrd heli kvaliteeti. Nimetatud sagedusalast väljaspool olevad infra- ja ultraheli sageduslikud
4) SR-de häälestuse katteulatus peab vastama vv-tavale sagedusastmikule. Juhul, kui häälestuselement ei võimalda sagedusastmikku katta, jaotatakse see allastmikeks nii, et igas allastmikus jääksid elumine ja ülemine piirsagedus kindlalt nõutava sagedusastmiku piire katma ka eskpluatatsiooni tingimustel ning VR-de elementide elektriliste parameetrite ajalise muutumise korral. Selleks võetakse iga allastmiku katteulatus nii alumise kui ka ülemise piirsageduse juures ca. 2% võrra suurem. fm fm f 1 max in ax K1 f f 1 min
Transistori võimendusomaduste sõltuvust sagedusest iseloomustab transiit-sagedus fT, mis on sagedus, mil transistor lakkab võimendamast s.o. kui vooluvõimendustegur CE lülituses muutub võrdseks ühega. Võimenduse langus algab juba sagedustest 0,1 fT ja võimendustegur sagedustel 0,1... 1 fT on määratav valemiga: h21e = fT /f Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet f, mis on sagedus, mil vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses. 6.5.5. Lülitireziimi parameetrid. Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge UBESAT on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis (etteantud baasi- ja kollektorivoolul). Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge UCEsat on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis. 6.5.6. Siirete mahtuvused.
on sagedus, mil transistor lakkab võimendamast s.o. kui vooluvõimendustegur CE lülituses muutub võrdseks ühega. Võimenduse langus algab juba sagedustest 0,1 f ja T võimendustegur sagedustel 0,1... l f on määratav valemiga: T h = f /f 2IE T Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet f , mis on sagedus, mil vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses . 4.5.3. Lülitireziimi parameetri Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge U on nende elektroodide vaheline pinge BESAT küllastusreziimis (etteantud baasi-ja kollektorivoolul). Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge U on nende elektroodide vaheline pinge
sisendvoolu muutuste suhe vahelduvvoolule lühistatud väljundi korral CE lülituses. Transistori võimendusomaduste sõltuvust sagedusest iseloomustab transiitsagedus fT, mis on sagedus, mil transistor lakkab võimendamast s.o. kui vooluvõimendustegur CE lülituses muutub võrdseks ühega. Võimenduse langus algab juba sagedustest 0,1 fT ja võimendustegur sagedustel 0,1... l fT on määratav valemiga: h2IE = fT/f Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet f, mis on sagedus, mil vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses . 4.5.3. Lülitireziimi parameetri Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge UBESAT on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis (etteantud baasi-ja kollektorivoolul). Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge UCEsat on nende elektroodide vaheline pinge küllastusreziimis. 4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest
annaabi.ee 
