Euroopas põhjustades juure- ja tüvemädanikku, võrse- ja lehelaiksust ning lehtede närbumist, nakatunud taimed enamasti hukkuvad, kui taimed siiski ellu jäävad on nende kasv pärsitud. · Kõige olulisemad tegurid, mis mõjutavad Phytophthora haiguse levikut ja suurendavad nakatunud leppade arvu on jõe laiuse suurenemine, suvine veetemperatuuride tõus, savine pinnas jõekallastel ja aeglane vool jõgedes. · Phytophthora levik looduses on tihedalt seotud kliimatiliste parmeetritega nagu sademed, temperatuuride ning niiskuse kõikumisega ja kliimasoojenemisega. Elutsükkel ja mõju taimedele · Elab mullas ja taimekudedes, võib võtta erinevaid vorme ja võib liikuda vees. · Ebasobivate tingimuste korral muutuvad klamüdospoorideks. · Sobivate tingimuste juures klamüdospoorid idanevad, tootes mütseele ja sporangiat. · Sporangiad valmivad ja levitavad zoospoore, mis nakatavad taimejuuri, sisenedes juurde juuretipu tagant.
61 IGBT on liittransistor, kus sisendis on isoleeritud paisuga väljatransistor ja väljundis suurevõimsuseline bipolaartransistor. Peale nende sisaldab ta veel täiendavaid elemente. Tema skemaatiline ehitus, aseskeem ja tingmärk on toodud joonisel 7.11. Tänu sellisele ehitusele on ühises korpuses paiknevasse elementi liidetud väljatransistori suur sisendtakistus ja bipolaartransistori väike küllastuspingelang. Neid valmistatakse küllalt laias valikus erinevate parmeetritega erinevate kasutuste jaoks. JOONIS7.11. 7.5. Väljatransistoride eriliike 7.5.1. Kahe paisuga väljatransistor Dual-Gate FET Kahe paisuga väljatransistor on formeerkanaliga MOSFET transistor, mille kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 7.12 toodu kohaselt. Sellel transistoril on võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne. JOONIS 7.12 7.5.2
IGBT on liittransistor, kus sisendis on isoleeritud paisuga väijatransistor ja väljundis suurevõimsusline bipolaartransistor. Peale nende sisaldab ta veel täiendavaid elemente. Tema skemaatiline ehitus, aseskeem ja tingmärk on toodud joonisel 5.12. Tänu sellisele ehitusele on ühises korpuses paiknevasse elementi liidetud väljatransistori suur sisendtakistus ja bipolaartransistori väike küllastuspingelang. Neid valmistatakse küllalt laias valikus erinevate parmeetritega erinevate kasutuste jaoks. JOONIS 5.12. 71 5.8. Väljatransistoride eriliike 5.8.1. Kahe paisuga väljatransistor (Dual-Gate FET) Kahe paisuga väljatransistor on formeerkanaliga MOSFET transistor, mille kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 5.13 toodu kohaselt. Sellel transistoril on võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne.
IGBT on liittransistor, kus sisendis on isoleeritud paisuga väijatransistor ja väljundis suurevõimsusline bipolaartransistor. Peale nende sisaldab ta veel täiendavaid elemente. Tema skemaatiline ehitus, aseskeem ja tingmärk on toodud joonisel 5.12. Tänu sellisele ehitusele on ühises korpuses paiknevasse elementi liidetud väljatransistori suur sisendtakistus ja bipolaartransistori väike küllastuspingelang. Neid valmistatakse küllalt laias valikus erinevate parmeetritega erinevate kasutuste jaoks. JOONIS 5.12. 5.8. Väljatransistoride eriliike 5.8.1. Kahe paisuga väljatransistor (Dual-Gate FET) Kahe paisuga väljatransistor on formeerkanaliga MOSFET transistor, mille kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 5.13 toodu kohaselt. Sellel transistoril on võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne.
annaabi.ee 
