opvõimendid olid seal. 1.6. Elektroonika passiivkomponendid Takisti USA-s R U = IR mittelineaarsel puhul reguleeritavad potentsiomeeter, lülituse häälestamiseks R element, mis muudab elektrienergia soojuseks. Kui R on skeemis väheneb kasutegur. Takistid on lineaarsed ja mittelin(termistor). Takisti parameter on takistus R. Parasiitnähtusesk on takisti juures parasiitmahtuvus, mis tekib kõrgetel sagedustel. Kondensaator C, Alalisvoolul kondekas voolu ei juhi ehk toimib kui isolaator! Vahelduvvoolul juhib voolu, toimub pidev ümberlaadimine. Vahelduvvoolul on käitub ta kui reaktiivtakistus X C, mis on kui aku, mis annab-võtab. Kondekast vool läbi ei lähe, vaid tekib laeng tema katete peal. Mida suurem on C, seda kauem läheb aega, et kondekas saavutaks vajaliku pinge. Induktiivsus L (vasktraadist mähis) . Raudsüdamiku
(regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilise muutmälu elemendi skeem on joonisel. Mäluna toimib transistori VT2 paisuahela mahtuvus C1. Info kirjutatakse mällu ja loetakse sealt siini Y kaudu (signaal D). Enne info lugemist antakse signaal REG, mis avab transistori VT4, ning mahtuvus C2 (siini Y parasiitmahtuvus) laetakse allikast +E. Seejärel antakse siinile X kirjutuse/lugemise sünkrosignaal CWR, mis avab transistori VT3, kuid ei saa avada transistori VT2. Kui mäluelement säilitab olekut 1, siis on mahtuvus C1 laetud ja transistor VT2 on avatud. Sel juhul tühjeneb mahtuvus C2 läbi avatud transistoride VT2, VT3 ja signaali D 0-nivoo näitab, et mälus säilitati signaali 1 (inversne väljund). Kui mäluelement säilitab olekut 0, siis on mahtuvus C1 tühjenenud, VT2 suletud ja signaal CWR ei
Trapetsikujuline sisendimpulss ei võimalda väljundis saada järsu frondiga lühikese kestusega impulsse. Dif. lüli puhul parasiitmahtuvus 10 pF või R s C enam, mõjutab väljundimpulsside kuju (eelkõige esifront), samuti väheneb väljundimpulsside amplituut.
WL = uL = L 2 dt Ferriit magn. pulber, kokku pressitud plastikuga. di/dt uL Alalisvoolul induktiivsus on praktiliselt lühis. Vahelduvvoolul L on reaktiivtakistus: X L = 2fL = L ; Vahelduvpinge puhul u = Umsint ja XC, XL, tekib vahelduvvool: um Im = X ... 19 1. Parasiitmahtuvus takisti juures: CP = 1pF (10-12F) 1 1012 1011 XC = = 2fC P 2f f Sunteerib R-i ! Kui f = 108Hz = 100MHz XC 1011/108 = 103 = 1k ! 2. Parasiitinduktiivsused takisti ja kondensaatori juures: Meie õnneks Lp-d tuleb arvestada nii kõrgetel sagedustel, mida me
vähemalt mõnikümmend kiloomi, väljundtakistus mõnikümmend oomi. Väljundpinge on sisendpingega faasis. Kasutatakse teda peamiselt sobitusastmena, sageli sobitustrafo asemel. Tööpunkti fikseerimiseks kasutatav R1 ja R2 valitakse tavaliselt võrdsed, mis tagab maksimaalse võimaliku tüürimisulatuse. Parasiitne tagasiside tekib lülitustes vastu meie kavatsusi ja see tekib parasiit elementide kaudu so. elemendid mida skeemi joodedud ei ole, kuid nad siiski eksisteerivad nt. parasiitmahtuvus väljund ja sisend ahelate vahel Nii näiteks sisend ja väljund juhtme mahtuvuse kaudu võib osa väljundvoolust minna sisendahelasse, ning teitada seal ettenägematu toimega tagasisidet. Kirjeldatud tagasiside vältimiseks kasutatakse varistamist milleks on heast elektrjuhtist ekraan (sein või varje),
REG D +E Joonis 1.26. Dünaamilise mäluelemendi skeem Mäluna toimib transistori VT2 paisuahela mahtuvus C1. Info kirjutatakse mällu ja loetakse sealt siini Y kaudu (signaal D). Enne info lugemist antakse signaal REG, mis avab transistori VT4, ning mahtuvus C2 (siini Y parasiitmahtuvus) laetakse allikast +E. Seejärel antakse siinile X kirjutuse/lugemise sünkrosignaal CWR, mis avab transistori VT3, kuid ei saa avada transistori VT2. Kui mäluelement säilitab olekut 1, siis on mahtuvus C1 laetud ja transistor VT2 on avatud. Sel juhul tühjeneb mahtuvus C2 läbi avatud transistoride VT2, VT3 ja signaali D 0-nivoo näitab, et mälus säilitati signaali 1 (inversne väljund). Kui mäluelement säilitab olekut 0, siis
annaabi.ee 
