Järelkindlustus •Eriti pehmete pinnaste korral (liivad) lõpetatakse alumise bjeffi kindlustus lõpu ehk järel-kindlustusega . See moodustatakse üldiselt jõe põhja paigutatud kiviklibuga. Selle ülesandeks on AB-s voolukiiruse vähendamine loodusliku kiiruseni. Selleks kujundatakse järelkindlustus kerge lohuna jõe põhjas. Sellega voolu ristlõige suureneb ja kiirus väheneb vajaliku kiiruseni. 11. Pehmetel pinnastel asuva gravitatsioonpaisu filtratsioonivastased meetmed Paisualune drenaaž (PD) •Filtratsioonirõhu vähendamiseks paisu all. Nähakse ette eriti pehmete aluspinnaste korral, mil paisu stabiilsuse tagamiseks ei piisa ei ponuuri ega punnseina rajamisest. •PD kujutab endast pöördfiltrit koos paisu vundamendis, hammastes ja punnseintes olevate veeäravoolukanalitega alumisse bjeffi. •Drenaaži vastutusrikkamaks elemendiks on pöördfilter. Viimane rajatakse mitmesuguste erineva jämedusega pinnasematerjalidest nt: jämeliiv, kruus,
Eriliigiks on kujunenud nn. komplimentaar ehk CMOS loogika, kus kasutatakse ühiselt koos n-ja p-kanaliga väljatransistore. JOONIS 7.8. 7.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid Power MOSFET 7.4.1. VMOS transistor VMOS väljatransistor on saanud oma nime konstruktsiooni V-kujulisest ristlõikest. Ta on indutseerkanaliga väljatransistor, mille eripäraks on paisu kraatri-taoline kuju, mis on näha ka joonisel 7.9. Tehnoloogiast tulenevalt on paisualune p-tsoon väga õhuke ja kui paisupinge toimel indutseeritakse seal kanal, on see lühike ja suhteliselt suure ristlõikega. Ka on selline struktuur sobiv paralleelühendusteks, kuna neeluelektrood jääb ühiseks. Tänu lühikesele ja "suure" ristlõikega kanalile on kanali takistus väiksem. Selline ehitus sobiv suurevõimsuselistele transistoridele. ELEKTROONIKAKOMPONENDJD lk.60 JOONIS 7.9. 7.4.2. DMOS transistor.
Väljatransistoride eriliike 5.8.1. Kahe paisuga väljatransistor (Dual-Gate FET) Kahe paisuga väljatransistor on formeerkanaliga MOSFET transistor, mille kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 5.13 toodu kohaselt. Sellel transistoril on võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne. JOONIS 5.13 NB! Isoleeritud paisuga väljatransistorides kasutatav paisualune isolatsioon on elektriliselt väga nõrk ja võib tekkida läbilöök ka elektrostaatilise laengu toimest. Siit tulenebki elektroonikatööstuse elektrostaatiliste laengute vältimise probleem. 5.6. Transistoride tähistus Reeglina kasutatakse transistoridel standardseid korpusi. Tähistussüsteemid on riikidel erinevad, kusjuures paljud firmad kasutavad veel oma tähistussüsteemi. Toome siin Euroopa, USA, Jaapani ja Vene tähistussüsteemi.
5.8.1. Kahe paisuga väljatransistor (Dual-Gate FET) Kahe paisuga väljatransistor on formeerkanaliga MOSFET transistor, mille kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 5.13 toodu kohaselt. Sellel transistoril on võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne. JOONIS 5.13 NB! Isoleeritud paisuga väljatransistorides kasutatav paisualune isolatsioon on elektriliselt väga nõrk ja võib tekkida läbilöök ka elektrostaatilise laengu toimest. Siit tulenebki elektroonikatööstuse elektrostaatiliste laengute vältimise probleem. 5.6. Transistoride tähistus Reeglina kasutatakse transistoridel standardseid korpusi. Tähistussüsteemid on riikidel erinevad, kusjuures paljud firmad kasutavad veel oma tähistussüsteemi. Toome siin Euroopa, USA, Jaapani ja Vene tähistussüsteemi.
annaabi.ee 
